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• 静电微机电系统换能器、制造方法及电子设备 公开日期：2024-09-10 公开号：CN114148985A 申请号：CN202111314136.6
  发明 静电微机电系统换能器、制造方法及电子设备

  • 申请号：CN202111314136.6
  • 公开号：CN114148985A
  • 公开日期：2024-09-10
  • 申请人：歌尔微电子股份有限公司

  本公开公开了一种静电微机电系统换能器、制造方法及电子设备。该静电微机电系统换能器包括：第一电极；相对于第一电极能移动的第二电极；以及位于第一电极和第二电极之间的电介质层，其中，所述电介质层包括标准部分和泄漏部分，所述标准部分的材料是标准电介质材料，所述泄漏部分的材料是泄漏电介质材料。

  发布时间：2023-04-27 13:19:36

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• 一种高温压力传感器芯片及其制备方法 公开日期：2024-09-06 公开号：CN112174085A 申请号：CN202011099028.7
  发明 一种高温压力传感器芯片及其制备方法

  • 申请号：CN202011099028.7
  • 公开号：CN112174085A
  • 公开日期：2024-09-06
  • 申请人：广州市智芯禾科技有限责任公司

  本发明涉及一种高温压力传感器芯片及其制备方法，高温压力传感器芯片包括顶层硅结构和底层SOI结构；底层SOI结构由上至下依次分布的信号处理层硅、绝缘层氧化硅和感压层硅，顶层硅结构上设置有信号引出孔和位于下表面的压力腔，感压层硅的下表面设置有引压腔；信号处理层硅包括四个惠斯通电桥桥臂电阻R1、R2、R3、R4、四个惠斯通电桥电极E1、E2、E3、E4以及隔离键合层，信号处理层硅用于将压力信号转换为电信号。本发明提供的压力传感器基于SOI基底制成，使用氧化硅代替PN结作为其绝缘层，其最高使用温度达到500℃。

  发布时间：2023-05-24 13:28:53

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• 一种聚合物微结构的超精密制造方法 公开日期：2024-09-03 公开号：CN114804011A 申请号：CN202210476300.1
  发明 一种聚合物微结构的超精密制造方法

  • 申请号：CN202210476300.1
  • 公开号：CN114804011A
  • 公开日期：2024-09-03
  • 申请人：中国兵器科学研究院宁波分院

  本发明涉及一种聚合物微结构的超精密制造方法，步骤S1、采用金刚石铣削接触式工艺对聚合物表面进行加工，以实现对微结构的毫微级控形；步骤S2、对步骤S1得到的聚合物微结构采用激光束非接触式工艺，实现微米级调形；步骤S3、在步骤S2得到的聚合物外设置导电层，导电层具有使聚合物的微结构外露的镂空部，然后采用非接触式离子束加工，离子束直接对聚合物微结构进行纳米级精调。最终产品可以达到需要的精度要求及表面质量要求，并且加工效率较高。

  发布时间：2023-05-18 12:35:41

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• 一种基于介电润湿效应下的薄膜的剥离方法及应用 公开日期：2024-08-30 公开号：CN117105168A 申请号：CN202311040704.7
  发明 一种基于介电润湿效应下的薄膜的剥离方法及应用

  • 申请号：CN202311040704.7
  • 公开号：CN117105168A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：中国科学院力学研究所

  本发明实施例公开了一种基于介电润湿效应下的薄膜的剥离方法及应用，包括：在薄膜的受限边界条件处滴加电解质溶液；在基底的一侧设置导电基台，将电解质溶液与正电极连接，导电基台与负电极连接，通过电源施加外加电场，以使得电解质溶液在外加电场的作用下沿薄膜的受限边界铺展；电解质溶液在表面张力与电场力的共同作用下侵入薄膜与基底的界面结合层，将薄膜从基底上抬升与剥离。本发明基于介电润湿效应操控液体的动态特性，通过固‑液界面能和电场能共同克服薄膜的形变能及基底‑薄膜的界面结合能，实现对薄膜进行抬升并剥离。本方法不受预留空白区的限制、不受基底的导电特性的限制，能有效实现薄膜从任意基底表面的完全剥离。

  发布时间：2023-11-27 07:18:56

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• 一种耐摩擦超疏水表面材料及制备方法 公开日期：2024-08-30 公开号：CN114014260A 申请号：CN202111396646.2
  发明 一种耐摩擦超疏水表面材料及制备方法

  • 申请号：CN202111396646.2
  • 公开号：CN114014260A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：中南大学

  本发明公开了一种耐摩擦超疏水表面材料及制备方法，包括以下步骤：提供一基底材料，使用激光在基底材料上加工出具有微纳结构的凹槽阵列；在加工后的基底材料表面覆盖一层聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第一方向将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内；将聚四氟乙烯薄膜移除，并在基底材料的表面覆盖一层新的聚四氟乙烯薄膜，使用激光沿第二方向将新的聚四氟乙烯颗粒再次嵌入凹槽阵列内；移除新的聚四氟乙烯薄膜，获得耐摩擦超疏水表面材料。本发明使用激光将具有微纳尺寸的聚四氟乙烯颗粒嵌入凹槽阵列内，使得基底材料表面具有超疏水特性，经摩擦后仍具有较高的疏水性，方法操作简单、不会造成环境污染，且适用性广，适用于多种基底。

  发布时间：2023-04-25 09:34:26

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• 力测量和触摸感测集成电路器件 公开日期：2024-08-30 公开号：CN112978671A 申请号：CN202011455984.4
  发明 力测量和触摸感测集成电路器件

  • 申请号：CN202011455984.4
  • 公开号：CN112978671A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：奥矽半导体技术有限公司

  一种力测量和触摸感测集成电路器件包括：半导体基板、覆盖在半导体基板上的薄膜压电叠层、压电微机械测力元件(PMFE)和压电微机械超声换能器(PMUT)。薄膜压电叠层包括压电层。PMFE和PMUT沿薄膜压电叠层位于相应的横向位置处，使得PMFE和PMUT中的每一个包括薄膜压电叠层的相应部分。每个PMFE具有：(1)薄膜压电叠层的相应部分；(2)在薄膜压电叠层的一侧上的第一PMFE电极；以及(3)在薄膜压电叠层的另一侧上的第二PMFE电极。每个PMFE被配置为根据由低频机械变形导致的压电层的相应部分处的时变应变，输出PMFE电极之间的电压信号。

  发布时间：2023-06-11 13:26:09

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• 具有弹性元件和梳状驱动部的MEMS装置以及对应的制造方法 公开日期：2024-08-30 公开号：CN113735054A 申请号：CN202110577799.0
  发明 具有弹性元件和梳状驱动部的MEMS装置以及对应的制造方法

  • 申请号：CN202110577799.0
  • 公开号：CN113735054A
  • 公开日期：2024-08-30
  • 申请人：英飞凌科技股份有限公司

  本公开的各实施例涉及具有弹性元件和梳状驱动部的MEMS装置以及对应的制造方法。一种用于制造MEMS装置的方法包括：产生第一半导体层，以及在第一半导体层上方选择性地沉积第二半导体层，其中第二半导体层包括由单晶半导体材料制成的第一部分和由多晶半导体材料制成的第二部分。此外，该方法还包括：将半导体层中的至少一个半导体层结构化，其中第一部分的单晶半导体材料和第一半导体层的位于第一部分下方的材料形成MEMS装置的弹性元件，并且第二部分的多晶半导体材料和第一半导体层的位于第二部分下方的材料形成MEMS装置的梳状驱动部的至少一部分。

  发布时间：2023-07-03 10:43:48

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• 微机电系统器件及其形成方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN113247855A 申请号：CN202010332779.2
  发明 微机电系统器件及其形成方法

  • 申请号：CN202010332779.2
  • 公开号：CN113247855A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  提供微机电系统支撑结构及顶盖结构。在微机电系统支撑结构或者顶盖结构的部分中形成至少一个垂直延伸沟槽。在至少一个垂直延伸沟槽中的每一者中形成垂直延伸出气材料部分，垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于相应的垂直延伸空腔的表面。将基质材料层贴合到微机电系统支撑结构。通过将基质材料层图案化来形成在侧向上限定在基质层内的可移动元件。将基质层结合到顶盖结构。形成包含可移动元件的密封腔室。垂直延伸出气材料部分中的每一垂直延伸出气材料部分具有在实体上暴露于密封腔室的表面，且排出气体以增加密封腔室中的压力。

  发布时间：2023-06-17 07:14:32

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• 具有微细多引线的压力传感器的封装方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN114314503A 申请号：CN202111676553.5
  发明 具有微细多引线的压力传感器的封装方法

  • 申请号：CN202111676553.5
  • 公开号：CN114314503A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：深圳市信为科技发展有限公司

  本发明为具有微细多引线的压力传感器的封装方法，提供漆包线及压力传感器芯片，漆包线中至少有一根引线，压力传感器芯片上设置有焊盘；在漆包线的一端形成开裂结构；将开裂结构去除外表皮以使引线端子露出；采用金属件分隔相邻的引线端子；使引线端子焊接固定于焊盘上，并形成相邻但不相连的焊点；形成低温玻璃烧结层覆盖焊点并填充焊点之间的间隙；在低温玻璃烧结层表面形成氮化硅封装结构层；各层级材料的热膨胀系数在较广的温度范围内呈现良好的热匹配性，可以达到‑70‑350℃范围使用，并且封装巧妙，使用了氮化硅和玻璃烧结层封装，保证了良好的生物相容性和使用稳定性，且整体制备工艺简单，能够达到较高良品率和生产效率的自动化过程。

  发布时间：2023-05-06 10:08:19

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• 半导体器件及其形成方法 公开日期：2024-08-27 公开号：CN112441551A 申请号：CN202010856148.0
  发明 半导体器件及其形成方法

  • 申请号：CN202010856148.0
  • 公开号：CN112441551A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括设置在半导体衬底之上的内连线结构。介电结构设置在内连线结构之上。多个空腔设置在介电结构中。微机电系统(MEMS)衬底设置在介电结构之上，其中微机电系统衬底包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄膜分别上覆在所述多个空腔之上。多个流体连通通道设置在所述介电结构中，其中所述多个流体连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个相邻空腔之间在侧向上延伸，使得所述多个空腔中的每一者彼此流体连通。

  发布时间：2023-06-02 12:08:11

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