作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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平板 公开日期:2024-04-16 公开号:CN112533860A 申请号:CN201980051086.1平板
- 申请号:CN201980051086.1
- 公开号:CN112533860A
- 公开日期:2024-04-16
- 申请人:优志旺电机株式会社
本发明提供一种平板,具有多条微流路、或形成有多条分支流路的微流路,在通过显微镜观察在微流路中流动的样本时,无需降低该显微镜的倍率,就能够容易地确定观察中的微流路或者分支流路处于哪个位置。该平板在内部具有微流路,其特征在于,具有对该平板的表面方向上的上述微流路的位置进行识别的识别标记。在具有相互独立地形成的多条上述微流路时,上述识别标记优先形成于每条上述微流路,在上述微流路具有与注入样本的注入口连通的源流路、与该源流路连通的多条分支流路时,上述识别标记优先形成于上述源流路以及每条上述分支流路。- 发布时间:2023-06-02 13:10:40
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半导体封装及其制造方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN112897449A 申请号:CN202010666748.0半导体封装及其制造方法
- 申请号:CN202010666748.0
- 公开号:CN112897449A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:力成科技股份有限公司
本发明提供一种半导体封装,包括多个第一芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电路结构配置于第一芯片的第一背面上且电性连接至多个硅穿孔。第一封装体侧向包封第一芯片。一种半导体封装的制造方法亦被提出。- 发布时间:2023-06-11 12:28:38
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一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865060A 申请号:CN202410051527.0一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法
- 申请号:CN202410051527.0
- 公开号:CN117865060A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
本发明公开了一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法,包括:提供具有顶部平面和底部平面的第一基板;提供具有上平坦表面的第二基板;将第二基板的一部分从上平坦表面蚀刻,形成多个凸起和浅腔,每个凸起具有上平坦表面;将第一基板的顶部平面结合到凸起的上部平坦表面形成锚固部分;刻蚀掉第一基板的一定位置的氧化物层;从底部表面和/或顶部表面蚀刻第一基板的一部分至第一基板的总厚度,将透明封盖晶圆蚀刻至预定深度以形成顶部凹槽,并将透明封盖晶圆与结构晶圆在高真空条件下使用玻璃料粘结来完成真空键合;顶层封盖完成后进行激光调频。本发明在能够实现晶圆制造流片过程中的在线频率调节,激光调频的可调范围广,调节精度高。- 发布时间:2024-04-16 07:24:23
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双面超表面结构的制备方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN112408316A 申请号:CN202011314162.4双面超表面结构的制备方法
- 申请号:CN202011314162.4
- 公开号:CN112408316A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
本发明提供一种双面超表面结构的制备方法,包括:提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板,且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能;提供衬底,并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面,得到第一衬底样品;筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品,得到合格的第一衬底样品;将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中,识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记,并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面,得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构,从而提高双面超表面结构的性能。- 发布时间:2023-05-29 12:23:07
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MEMS设备 公开日期:2024-04-12 公开号:CN220766509U 申请号:CN202321798138.1MEMS设备
- 申请号:CN202321798138.1
- 公开号:CN220766509U
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:意法半导体股份有限公司
本公开的实施例涉及MEMS设备。MEMS设备包括:半导体主体,限定主腔,并且形成锚固结构;以及第一可变形结构,沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端,第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构,以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构,沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体,以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分,第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准,其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。- 发布时间:2024-04-16 07:35:12
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微机电器件 公开日期:2024-04-12 公开号:CN220766508U 申请号:CN202321015454.7微机电器件
- 申请号:CN202321015454.7
- 公开号:CN220766508U
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:意法半导体股份有限公司
本公开的实施例涉及微机电器件。微机电器件包括:半导体主体;腔,被掩埋在半导体主体中;膜,悬置在腔上;以及至少一个防粘滞凸块,被完全包含在腔中,其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。- 发布时间:2024-04-16 07:33:55
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一种反射型原子气室制作方法及其光路结构 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865057A 申请号:CN202311260035.4一种反射型原子气室制作方法及其光路结构
- 申请号:CN202311260035.4
- 公开号:CN117865057A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:浙江大学|||浙江大学绍兴研究院|||绍兴市科技创业投资有限公司
本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构,设计的气室结构属于双腔室结构,在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室,两腔室之间由沟道连接,碱金属释放剂填充入存储腔室中,通过与玻璃片阳极键合实现密封,为提高反射率,在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后,基于该气室结构设计了一种光路结构,激光器射出的激光由第一反射镜调整,射入探测器的激光由第二反射镜调整,射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比,反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离,使其不受硅片厚度的限制,改善了原子器件的灵敏度和稳定性。- 发布时间:2024-04-16 07:17:08
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微机电系统装置及其形成方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN111762753A 申请号:CN201910629444.4微机电系统装置及其形成方法
- 申请号:CN201910629444.4
- 公开号:CN111762753A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法,所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀,以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀,以将第一电极图案转移到第一电极层,以及移除硬掩模层。- 发布时间:2024-04-16 07:32:22
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电子设备 公开日期:2024-04-12 公开号:CN220766507U 申请号:CN202321074666.2电子设备
- 申请号:CN202321074666.2
- 公开号:CN220766507U
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:意法半导体股份有限公司
公开了电子设备。电子设备包括支撑结构、微机电系统管芯,微机电系统管芯结合有微结构和微机电系统管芯与支撑结构之间的连接结构。连接结构包括接合到支撑结构的间隔结构,以及施加到间隔结构的与支撑结构相对的一个面上的膜。间隔结构至少部分地横向限定腔,并且膜在腔上延伸,与支撑结构保持一定距离。微机电系统管芯接合到腔上的膜。本实用新型的技术提供了改进的电子设备,其减轻或至少减少了由于应力引起的缺陷。- 发布时间:2024-04-16 07:33:57
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基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN109607469A 申请号:CN201910011530.9基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法
- 申请号:CN201910011530.9
- 公开号:CN109607469A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:四川理工学院
本发明提供基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法,利用硅微加工技术,在柔性基底上设置电极对;然后通过交流耦合介电电泳的方法,使单壁碳纳米管在悬浮液中的电场力作用下定向沉积在柔性基底上的电极对间;接着配比饱和的Au电镀液,实施区域选择性电沉积Au技术,实现Au电极上的定域沉积Au压覆单壁碳纳米管。本发明实现了单根或单束单壁碳纳米管的一维定向排布,提高器件的灵敏性和稳定性,易于工业化生产。- 发布时间:2024-04-16 07:31:50
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