作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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微声学晶片级封装及制造方法 公开日期:2024-07-23 公开号:CN113195400A 申请号:CN201980083983.0微声学晶片级封装及制造方法
- 申请号:CN201980083983.0
- 公开号:CN113195400A
- 公开日期:2024-07-23
- 申请人:RF360新加坡私人有限公司
提供了一种用于微声学器件的晶片级封装及制造方法。该封装包括具有电气器件结构的基底晶片。框架结构位于基底晶片的顶部上,该框架结构包围用于微声学器件的特定的器件区域。设置有薄的聚合物涂层的帽晶片被键合到框架结构,以在每个器件区域的上方形成封闭的空腔,并且将被布置在相应的器件区域上的器件结构包围在空腔内。- 发布时间:2023-06-16 07:16:18
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一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法 公开日期:2024-07-23 公开号:CN113772620A 申请号:CN202010525014.0一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法
- 申请号:CN202010525014.0
- 公开号:CN113772620A
- 公开日期:2024-07-23
- 申请人:中国科学院微电子研究所
本申请公开了一种图案化有机半导体的制备方法及形变拉伸测试方法,通过制备图案化硅柱以及镀铜膜的硅片;对所述图案化硅柱侧壁化学修饰,使所述图案化硅柱达到侧壁疏水顶端亲水状态;退浸润过程发生,毛细液桥自组织装使图案化微纳阵列结构生长在铜膜上;利用化学反应去除所述铜膜,将图案转移到柔性衬底上,获得图案化有机半导体。利用毛细液桥制备的图案化阵列高质量且长程有序,并且这种转移方法操作简单,在柔性衬底上具有优异的拉伸形变,为可穿戴领域的发展提供了新的应用前景。- 发布时间:2023-07-05 07:04:44
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梳齿型元件的制造方法 公开日期:2024-07-23 公开号:CN113015691A 申请号:CN201980074534.X梳齿型元件的制造方法
- 申请号:CN201980074534.X
- 公开号:CN113015691A
- 公开日期:2024-07-23
- 申请人:国立大学法人东京大学|||株式会社鹭宫制作所
一种梳齿型元件的制造方法,该梳齿型元件具备经由间隙相互啮合地配置的多个固定梳齿和多个可动梳齿,并且上述可动梳齿与上述固定梳齿的啮合量可变,其中,在被蚀刻基材的表面形成用于形成上述固定梳齿的第一掩模图案和用于形成上述可动梳齿的第二掩模图案,在相邻的上述第一掩模图案之间以及相邻的上述第二掩模图案之间的上述被蚀刻梳齿基材上配置被蚀刻掩模图案,并且该被蚀刻掩模图案的厚度根据相邻的上述固定梳齿与上述可动梳齿之间的第一间隙尺寸和相互相邻的上述固定梳齿之间的第二间隙尺寸来形成,通过Deep‑RIE对上述被蚀刻基材及上述被蚀刻掩模图案进行蚀刻,形成上述固定梳齿及上述可动梳齿。- 发布时间:2023-06-11 13:38:14
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一种半导体结构的制造方法 公开日期:2024-07-19 公开号:CN114014259A 申请号:CN202111296963.7一种半导体结构的制造方法
- 申请号:CN202111296963.7
- 公开号:CN114014259A
- 公开日期:2024-07-19
- 申请人:安徽奥飞声学科技有限公司
本申请公开了一种半导体结构的制造方法,包括:提供具有环形凹槽的衬底;在所述衬底的上表面形成阻挡层,所述阻挡层填充所述环形凹槽;在所述阻挡层上方形成功能层;蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔,直至到达所述功能层时停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接近于90度,从而有利于空腔上方的功能层保持一致性。而且,晶圆的中间区域和边缘区域的空腔尺寸相对一致,进而有利于提高该晶圆的各个半导体结构的一致性。- 发布时间:2023-04-25 09:29:18
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一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法 公开日期:2024-07-19 公开号:CN112239195A 申请号:CN202011114499.0一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法
- 申请号:CN202011114499.0
- 公开号:CN112239195A
- 公开日期:2024-07-19
- 申请人:南开大学
本发明为一种基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤:前驱体溶液于所得的衬底上旋涂,获得氧化物薄膜;再在氧化物薄膜上旋涂聚合物电解质,退火得到该聚合物电解质薄膜;最后再聚合物电解质薄膜的表面上蒸镀金属电极,制备得到基于纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件。本发明制备得到的纳米氧化物薄膜/电解质垂直结构的人工突触电子器件实现了兴奋性突触后电流等可塑性的模拟。- 发布时间:2023-05-28 12:01:05
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一种精细微纳米玻璃结构的加工方法 公开日期:2024-07-19 公开号:CN113788452A 申请号:CN202111014187.7一种精细微纳米玻璃结构的加工方法
- 申请号:CN202111014187.7
- 公开号:CN113788452A
- 公开日期:2024-07-19
- 申请人:上海交通大学
本发明公开了一种精细微纳米玻璃结构的加工方法,包括如下步骤:准备玻璃基片,并进行清洗吹干;当掩膜材料为非光刻胶材料,将掩模薄膜沉积到玻璃基片上,再涂覆光刻胶;当掩膜材料为光刻胶材料,在玻璃基片上涂覆光刻胶;采用光刻的方式,将待加工的结构转移至基片表面的光刻胶上;当掩膜材料为非光刻胶材料,先对掩膜材料进行刻蚀,再对玻璃基片进行刻蚀;当掩膜材料为光刻胶材料,仅对玻璃基片进行刻蚀即可;利用干法刻蚀或湿法腐蚀的方法去除光刻胶及掩膜材料,形成最终的玻璃器件结构。采用本发明的制备工艺,可使得刻蚀玻璃速率达到了710nm/min,粗糙度降低到40nm以下,侧壁垂直度接近90°。- 发布时间:2023-07-05 07:12:13
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用于制造集成MEMS换能器设备的方法和集成MEMS换能器设备 公开日期:2024-07-19 公开号:CN112996746A 申请号:CN201980074084.4用于制造集成MEMS换能器设备的方法和集成MEMS换能器设备
- 申请号:CN201980074084.4
- 公开号:CN112996746A
- 公开日期:2024-07-19
- 申请人:希奥检测有限公司
一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法,该方法包括向衬底主体(1)提供表面、在该表面上沉积蚀刻停止层ESL(8)、在该ESL(8)上沉积牺牲层(3)、在该牺牲层(3)上沉积隔膜层(6)、以及去除牺牲层(3)。沉积牺牲层(3)包括沉积第一材料的第一子层(4)和沉积第二材料的第二子层(5),其中第一材料和第二材料是不同的材料。- 发布时间:2023-06-11 13:25:28
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半导体MEMS器件的制备方法 公开日期:2024-07-19 公开号:CN116969412A 申请号:CN202311053562.8半导体MEMS器件的制备方法
- 申请号:CN202311053562.8
- 公开号:CN116969412A
- 公开日期:2024-07-19
- 申请人:无锡邑文微电子科技股份有限公司
本发明涉及半导体器件制备技术领域,具体而言,涉及半导体MEMS器件的制备方法,包括:对具有图形掩膜结构的衬底器件进行刻蚀,以形成沟槽或孔洞;用离子轰击沟槽或孔洞的侧壁和顶部,以增大粗糙度;在沟槽或孔洞的侧壁和顶部沉积附着物,以形成表面不规则的填充层,且填充层遮挡于沟槽和孔洞的开口处,以使沟槽或孔洞的开口口径减小;在填充层沉积附着聚合物,并形成封堵沟槽或孔洞的开口的封堵层;在封堵层的表面外延生长出外延层。本发明的方法能够改善沟槽或孔洞对应的空腔处出现下陷并形成凹坑的问题,并且在制备时不需要精确对准,能够降低工艺难度,提高良品率。- 发布时间:2023-11-05 07:19:33
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键合方法和键合结构 公开日期:2024-07-16 公开号:CN112456436A 申请号:CN201910844589.6键合方法和键合结构
- 申请号:CN201910844589.6
- 公开号:CN112456436A
- 公开日期:2024-07-16
- 申请人:上海新微技术研发中心有限公司
本申请提供一种键合方法和键合结构,该键合方法包括:在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱;在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形,所述键合胶图形具有凹陷部,所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出,所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应,所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸,所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度;以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准,在预定的温度条件下,对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力,使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体,并且,所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。- 发布时间:2023-06-02 12:12:17
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一种微纳复合滤膜及其制备方法和应用 公开日期:2024-07-16 公开号:CN114162779A 申请号:CN202111227408.9一种微纳复合滤膜及其制备方法和应用
- 申请号:CN202111227408.9
- 公开号:CN114162779A
- 公开日期:2024-07-16
- 申请人:北京大学
本发明涉及一种微纳复合滤膜的制备方法。本发明的制备方法基于聚对二甲苯‑微机电系统(MEMS)翻模工艺,首先在硅衬底上加工出微米柱与纳米柱复合结构作为模具,之后通过用聚对二甲苯填充微米柱与纳米柱的间隙来形成微纳复合滤膜结构。本发明方法可以精确控制纳米孔层的厚度,纳米通孔的孔径、孔间距和孔分布,以及支撑层厚度和微米通孔的孔径等。本发明还涉及通过所述制备方法获得的微纳复合滤膜及其应用。- 发布时间:2023-04-27 13:33:39
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