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• 一种实现抑制共模干扰信号的六质量块MEMS双轴陀螺 公开日期：2025-04-11 公开号：CN114195089A 申请号：CN202111513398.5
  发明 一种实现抑制共模干扰信号的六质量块MEMS双轴陀螺

  • 申请号：CN202111513398.5
  • 公开号：CN114195089A
  • 公开日期：2025-04-11
  • 申请人：泉州市云箭测控与感知技术创新研究院

  本发明公开一种实现抑制共模干扰信号的六质量块MEMS双轴陀螺。此MEMS双轴陀螺可同时检测X轴和Y轴两个方向的角速度，陀螺结构包括两个三角质量块、两个X轴质量块、两个Y轴质量块、质量块连接梁、梳齿结构、锚点结构、支撑梁结构及框架结构。其工作原理为在静电力驱动下陀螺的两个三角质量块沿面外(即Z轴)做反向简谐振动，并通过质量块连接梁将简谐振动传递给X轴和Y轴方向的质量块。当沿X或Y轴存在角速度时，由于科氏效应，将引起X轴或Y轴的一对质量块做反向振动，产生差模电容信号。当后端处理电路采用差分电路时，差模电容信号被放大，共模干扰信号被抑制，由此提高陀螺的抗干扰能力。

  发布时间：2023-04-28 10:06:16

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• 一种高集成度图案化的印刷方法及应用 公开日期：2025-04-11 公开号：CN114751365A 申请号：CN202111387165.5
  发明 一种高集成度图案化的印刷方法及应用

  • 申请号：CN202111387165.5
  • 公开号：CN114751365A
  • 公开日期：2025-04-11
  • 申请人：中国科学院化学研究所

  本发明公开了一种高集成度图案化的印刷方法和应用，所述方法包括：1)制备含有微结构阵列的第二基材，并经高能辐射处理；2)将第一基材原料溶于有机溶剂中，制备表面含有亲水基团的第一基材；3)对步骤2)中第一基材施加应力，使第一基材保持拉伸状态；4)将含有功能材料的溶液加入到步骤3)中保持拉伸状态的第一基材表面；5)将经辐射处理后的第二基材与第一基材相叠加，使第二基材、含有功能材料的溶液和第一基材组成“三明治”夹层结构；6)待“三明治”夹层结构中的溶剂挥发后，再将第一基材和第二基材分离，释放第一基材制备得到图案化阵列。本发明制备方法简单，具有绿色环保，成本低、图案精细化程度和集成度高的优点。

  发布时间：2023-05-16 10:42:42

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• 一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器 公开日期：2025-04-11 公开号：CN115744808A 申请号：CN202211515157.9
  发明 一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器

  • 申请号：CN202211515157.9
  • 公开号：CN115744808A
  • 公开日期：2025-04-11
  • 申请人：江苏理工学院

  本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片，以及用于安装传感器芯片的外壳，以及将传感器芯片封装在外壳内的上壳；传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基底和玻璃基底，三者至上而下依次连接；硅基底的一面设有腔体，硅基底将设有腔体一面与硼硅感压膜直接键合，形成真空参考腔；真空参考腔内设有抽气孔，通过硅基底的另一面与玻璃基底阳极键合封堵抽气孔，真空参考腔形成高真空。本发明通过在真空参考腔内部设有抽气孔，将形成真空参考腔的技术转变为硅‑硅直接键合和硅‑玻璃阳极键合相结合的方式，简化了工艺流程，降低了真空传感器的测量下限；硼硅感压膜上设有保护环，减小传感器灵敏度的影响，提高真空传感器的分辨率。

  发布时间：2023-06-07 22:14:45

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• 一种传感器、传感器封装方法、晶圆及小尺寸气压传感器 公开日期：2025-04-11 公开号：CN112158793A 申请号：CN202011175535.4
  发明 一种传感器、传感器封装方法、晶圆及小尺寸气压传感器

  • 申请号：CN202011175535.4
  • 公开号：CN112158793A
  • 公开日期：2025-04-11
  • 申请人：深圳市华普微电子股份有限公司

  本发明公开一种传感器、传感器封装方法、晶圆及小尺寸气压传感器，涉及传感器封装技术领域。所述传感器包括壳体，采用封装工艺将微机电系统芯片和信号处理芯片进行3D堆叠封装在所述壳体内部。传感器的封装方法包括：将信号处理芯片通过FC的方式贴装至基板，在信号处理芯片和基板之间进行底填胶保护；将微机电系统芯片3D叠封到所述信号处理芯片上；将壳体与所述基板通过锡膏回流焊或胶水粘结的方式封装到一起。导电性好，功耗低。封装效率高。

  发布时间：2023-05-24 13:19:53

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• 半导体结构及其形成方法 公开日期：2025-04-08 公开号：CN114348955A 申请号：CN202111672677.6
  发明 半导体结构及其形成方法

  • 申请号：CN202111672677.6
  • 公开号：CN114348955A
  • 公开日期：2025-04-08
  • 申请人：中芯集成电路（宁波）有限公司

  本申请公开一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在基底上形成第二介质层，第二介质层覆盖所述基底和第一导电层除顶部表面的其他表面，且第二介质层表面与第一导电层的顶部表面齐平；在第二介质层上形成第二导电层，第二导电层至少覆盖第一导电层的部分顶部表面。其可以降低后续各项工艺难度；第二导电层的整个顶部表面作为后续互连面积，使互连面积得到增大，相应半导体结构的互连能力得到提升。

  发布时间：2023-05-09 09:47:08

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• 用于微机械系统的制造方法和微机械系统 公开日期：2025-04-08 公开号：CN112520687A 申请号：CN202010984667.5
  发明 用于微机械系统的制造方法和微机械系统

  • 申请号：CN202010984667.5
  • 公开号：CN112520687A
  • 公开日期：2025-04-08
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明提出一种用于微机械系统的制造方法和微机械系统。包括以下步骤：将第一微机械功能层施加在衬底上；在第一各向异性的蚀刻步骤中在第一微机械功能层的第一区域中构造多个二维布置的、彼此间隔开的、长形的蚀刻沟，其中，蚀刻沟在一个或两个纵向端部处通过中断区域与相邻的蚀刻沟间隔开，直至小于第一微机械功能层的厚度的第一蚀刻深度；并且在随后的各向同性的蚀刻步骤中将蚀刻沟扩展直至大于第一蚀刻深度并且小于第一微机械功能层的厚度的第二蚀刻深度，其中，蚀刻沟在第一微机械功能层的内部扩开并且下部蚀刻出中断区域，使得相邻的蚀刻沟在第一微机械功能层的内部在中断区域下方相互连接，其中，中断区域保持在第一微机械功能层的上侧上。

  发布时间：2023-06-02 13:11:32

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• 封装结构及其制造方法 公开日期：2025-04-08 公开号：CN114715834A 申请号：CN202110006782.X
  发明 封装结构及其制造方法

  • 申请号：CN202110006782.X
  • 公开号：CN114715834A
  • 公开日期：2025-04-08
  • 申请人：华邦电子股份有限公司

  本发明提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括具有凹口的基板及依序形成于基板上的第一微机电系统芯片、第一中间芯片、第二微机电系统芯片及第一盖板。第一微机电系统芯片的下表面具有第一感测器或微致动器。第二微机电系统芯片的上表面具有第二感测器或微致动器。第一中间芯片具有基板穿孔，且包括信号转换单元、逻辑运算单元、控制单元或上述的组合。此封装结构包括第一感测器及第二感测器中的至少一者。

  发布时间：2023-05-15 11:19:24

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• 微网探测器的制作方法 公开日期：2025-04-08 公开号：CN114538368A 申请号：CN202210004351.4
  发明 微网探测器的制作方法

  • 申请号：CN202210004351.4
  • 公开号：CN114538368A
  • 公开日期：2025-04-08
  • 申请人：中国原子能科学研究院

  本申请公开了一种微网探测器的制作方法，包括：备好读出阳极板和金属微网；在所述读出阳极板上涂抹液体光刻胶至预设厚度，以形成光刻胶层；将所述金属微网覆设于所述光刻胶层，并进行刻蚀以形成绝缘支柱；在所述读出阳极板上制作漂移电极，完成所述微网探测器的制作。在上述的微网探测器的制作方法中采用液体光刻胶涂抹至预设厚度，避免了因固态光刻胶多次叠加导致成品率不足的情况，从而提高了微网探测器的质量与成品率。通过对光刻胶层刻蚀以形成绝缘支柱，从而可以通过光刻设备进行批量化制作，提高制作效率，实现批量化生产。

  发布时间：2023-05-12 11:31:24

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• 单片集成电路及其制造方法 公开日期：2025-04-04 公开号：CN117142426A 申请号：CN202311138953.X
  发明 单片集成电路及其制造方法

  • 申请号：CN202311138953.X
  • 公开号：CN117142426A
  • 公开日期：2025-04-04
  • 申请人：深圳市汇芯通信技术有限公司

  本申请公开了一种单片集成电路及其制造方法。单片集成电路的制造方法包括，提供衬底；在所述衬底上形成谐振器；在所述衬底上形成电容；和/或在所述衬底上形成电感；在所述衬底上制造金属互连线，以将所述电容和/或所述电感与所述谐振器连接。本申请将谐振器与LC电路集成制作在同一芯片上，形成MEMS单片集成电路，形成多功能的集成器件，提升性能和集成度。

  发布时间：2023-12-08 07:14:29

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• 一种微机电系统结构及其制作方法 公开日期：2025-04-04 公开号：CN114148984A 申请号：CN202111512073.5
  发明 一种微机电系统结构及其制作方法

  • 申请号：CN202111512073.5
  • 公开号：CN114148984A
  • 公开日期：2025-04-04
  • 申请人：美新半导体（天津）有限公司

  本发明提供一种微机电系统结构及其制作方法，所述微机电系统结构包括：第一半导体圆片，其设置有第一空腔、CMOS电路和防护层，第一空腔设置于第一半导体圆片的正面，CMOS电路设置于第一半导体圆片内且位于第一空腔的下方，防护层位于第一空腔的底部且位于所述CMOS电路的上方；第二半导体圆片，其为传感器的微机电系统单元，其包括固定结构、可移动结构和沟槽，第二半导体圆片与第一半导体圆片的正面相键合，第一空腔与可移动结构相对；第三半导体圆片，其与第二半导体圆片的背面相键合，第三半导体圆片的正面与第二半导体圆片的可移动结构的相对位置处设置有第二空腔。与现有技术相比，本发明能够有效防止或减少PID的产生，以对CMOS电路进行保护。

  发布时间：2023-04-27 13:25:58

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