一种硅MEMS高压压力传感器封装
- 申请专利号:CN202222048701.5
- 公开(公告)日:2022-12-09
- 公开(公告)号:CN217996789U
- 申请人:无锡胜脉电子有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 217996789 U (45)授权公告日 2022.12.09 (21)申请号 202222048701.5 (22)申请日 2022.08.04 (73)专利权人 无锡胜脉电子有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国 际科技园菱湖大道228号天安智慧城 a2产业大厦203室 (72)发明人 毕勤 刘晓宇 (74)专利代理机构 苏州言思嘉信专利代理事务 所(普通合伙) 32385 专利代理师 安琳 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) G01L 1/16 (2006.01) G01L 9/08 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图5页 (54)实用新型名称 一种硅MEMS高压压力传感器封装 (57)摘要 本实用新型公开了一种硅MEMS高压压力传 感器封装,包括陶瓷基板、玻璃层、高压MEMS芯 片、一号金属垫、引线、二号金属垫、包封软胶和 塑封外壳,所述陶瓷基板上设置有玻璃层,所述 玻璃层上连接有高压MEMS芯片,所述高压MEMS芯 片上设置有一号金属垫,所述一号金属垫上连接 有引线,所述引线上连接有二号金属垫,所述二 号金属垫设置在陶瓷基板上,所述高压MEMS芯片 上设置有包封软胶。本实用新型通过采用玻璃烧 结方案替代环氧树脂胶粘接方案,进行硅MEMS芯 片
最新专利
- 微机电结构及其机械性能的调控方法公开日期:2025-05-02公开号:CN112777559A申请号:CN202011627164.9微机电结构及其机械性能的调控方法
- 发布时间:2023-06-07 12:22:340
- 申请号:CN202011627164.9
- 公开号:CN112777559A
- 一种传感器的形貌控制方法及其应用公开日期:2025-04-29公开号:CN117163918A申请号:CN202311110766.0一种传感器的形貌控制方法及其应用
- 发布时间:2023-12-08 07:32:560
- 申请号:CN202311110766.0
- 公开号:CN117163918A
- 具有内置电压生成器的MEMS图像形成元件公开日期:2025-04-29公开号:CN113795459A申请号:CN202080034482.6具有内置电压生成器的MEMS图像形成元件
- 发布时间:2023-07-05 07:11:100
- 申请号:CN202080034482.6
- 公开号:CN113795459A
- 一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构公开日期:2025-04-29公开号:CN112624035A申请号:CN202011612118.1一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构
- 发布时间:2023-06-03 12:20:230
- 申请号:CN202011612118.1
- 公开号:CN112624035A
- 一种基于碳纳米管模板制造纳米尺度通道流控器件的方法公开日期:2025-04-25公开号:CN114084869A申请号:CN202111463200.7一种基于碳纳米管模板制造纳米尺度通道流控器件的方法
- 发布时间:2023-04-26 10:06:010
- 申请号:CN202111463200.7
- 公开号:CN114084869A
- 一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法公开日期:2025-04-22公开号:CN117342517A申请号:CN202311312023.1一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法
- 发布时间:2024-01-08 07:15:330
- 申请号:CN202311312023.1
- 公开号:CN117342517A