最新专利

• 半导体传感器 公开日期：2023-05-30 公开号：CN116194404A 申请号：CN202180058074.9
  PCT发明 半导体传感器

  • 申请号：CN202180058074.9
  • 公开号：CN116194404A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：株式会社村田制作所

  半导体传感器(1)具备：绝缘基板(11)；半导体片(12)，配置在绝缘基板(11)上，包含石墨烯或者碳纳米管；源极电极(13)以及漏极电极(14)，配置在绝缘基板(11)上，与半导体片(12)电连接；氧化膜(15)，配置为覆盖半导体片(12)的表面，包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物；和受体(16)，配置在氧化膜(15)的表面。

  发布时间：2023-06-02 12:45:51

  0

• 包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件 公开日期：2023-05-26 公开号：CN116171257A 申请号：CN202180067758.5
  PCT发明 包括图案化EM辐射吸收层的光电子器件

  • 申请号：CN202180067758.5
  • 公开号：CN116171257A
  • 公开日期：2023-05-26
  • 申请人：OTI照明公司

  本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件促进其上EM辐射的吸收。该器件在至少一个侧向朝向延伸。EM辐射吸收层被沉积在第一层表面上，该EM辐射吸收层包括至少一种颗粒结构的不连续层，该颗粒结构包括沉积材料。该颗粒结构促进入射在其上的EM辐射的吸收，并且可包括晶种，该沉积材料可倾向于围绕该晶种聚结，并且/或者包括与共沉积介电材料共沉积的该沉积材料。该EM辐射吸收层可设置在支撑介电层上和/或由覆盖介电层覆盖。公开了一种图案化涂层，其对于该沉积材料和/或晶种材料在该图案化涂层的表面上的沉积的初始黏着概率小于对于该沉积材料和/或晶种材料在第二层表面上的沉积的该初始黏着概率。

  发布时间：2023-05-28 13:02:44

  0

• 单纳米颗粒的高维指纹及其在多重数字检测中的应用 公开日期：2023-05-23 公开号：CN116157352A 申请号：CN202180059657.3
  PCT发明 单纳米颗粒的高维指纹及其在多重数字检测中的应用

  • 申请号：CN202180059657.3
  • 公开号：CN116157352A
  • 公开日期：2023-05-23
  • 申请人：悉尼科技大学

  本公开一般涉及使用多种不同技术来调整单个上转换纳米颗粒的时域发射分布的方法，以增加纳米尺度的编码容量。本公开还涉及解码纳米颗粒指纹的时间分辨宽场成像和深度学习技术。

  发布时间：2023-05-24 13:32:35

  0

• 一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法 公开日期：2023-05-23 公开号：CN116143068A 申请号：CN202310183150.X
  发明 一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法

  • 申请号：CN202310183150.X
  • 公开号：CN116143068A
  • 公开日期：2023-05-23
  • 申请人：南开大学

  本发明公开了一种柔性纳米线取向阵列的大面积组装方法，属于纳米材料的组装技术领域，先通过液相合成制备一维纳米线，将纳米线进行尺寸筛分后分散在水中配置为特定浓度的溶液；将基板进行异电化处理；将基板缓慢浸入纳米线溶液中，由于静电力吸附和基板移动而水动力驱动纳米线取向，在基板上形成取向良好的纳米线阵列薄膜。本发明方法可以适用于多种超长一维纳米材料和任意基板，适用于阵列薄膜的大面积快速制备，并且可以控制一维纳米材料多角度多层取向网络，为制备基于纳米线(NW)的柔性电子器件(包括可穿戴储能设备、柔性显示器、电子传感器和健康监测器)领域提供了良好的工业化制备基础。

  发布时间：2023-05-28 11:49:09

  0

• 一种基于DNA分子组装纳米图案的方法 公开日期：2023-05-23 公开号：CN114084871A 申请号：CN202111366278.7
  发明 一种基于DNA分子组装纳米图案的方法

  • 申请号：CN202111366278.7
  • 公开号：CN114084871A
  • 公开日期：2023-05-23
  • 申请人：电子科技大学长三角研究院（湖州）

  本发明提供了一种基于DNA分子组装纳米图案的方法，包括以下步骤：步骤一、在载玻片上通过聚乙二醇添加生物素，形成生物素层；步骤二、培育出可折叠和展开的发夹式DNA，所述发夹式DNA的形态在折叠和展开之间变化，将发夹式DNA转移到生物素层上；步骤三、根据预设的纳米图案，确定生物素层上每个目标点的位置，寻找每个目标点内唯一处于折叠态的发夹式DNA，并使其处于永久折叠状态；步骤四、在处于永久折叠状态下的发夹式DNA上添加纳米颗粒，最终得到预期的纳米图案。本发明的方法可以实现百纳米以内的分辨率设计，为纳米图案、纳米尺寸功能器件的制备提供了一种廉价的、简单的方法。

  发布时间：2023-04-26 10:00:45

  0

• 薄片状组合物、薄片状组合物的制造方法 公开日期：2023-05-23 公开号：CN116157351A 申请号：CN202180063626.5
  PCT发明 薄片状组合物、薄片状组合物的制造方法

  • 申请号：CN202180063626.5
  • 公开号：CN116157351A
  • 公开日期：2023-05-23
  • 申请人：新日本繊维株式会社

  本发明的目的在于，提供一种能够更有效地利用从以煤炭为燃料的火力发电厂排出的废弃物的薄片状组合物、薄片状组合物的制造方法。薄片状组合物的特征在于，作为原料包含从以煤炭为燃料的火力发电厂排出的废弃物。

  发布时间：2023-05-24 13:32:52

  0

• 一种低维材料转移介质、制备方法及转移方法 公开日期：2023-05-16 公开号：CN114715842A 申请号：CN202210361835.4
  发明 一种低维材料转移介质、制备方法及转移方法

  • 申请号：CN202210361835.4
  • 公开号：CN114715842A
  • 公开日期：2023-05-16
  • 申请人：西安交通大学

  一种低维材料转移介质、制备方法及转移方法，低维材料转移介质包括表面均匀涂覆有PC胶溶液的PDMS半球形弹性体，PDMS半球形弹性体为混合均匀的PDMS与固化剂点涂在载玻片上固化后形成，PC胶溶液由PC颗粒按5％～12％的质量比在有机溶剂中溶解配置形成。本发明在传统干法转移基础上，将PDMS仅作为弹性支撑体，在支撑体表面旋涂PC胶，利用PC胶的粘性进行材料与原始基底之间的剥离，剥离成功率高，且在光学显微镜下操作，可精确控制转移介质和低维材料之间的接触范围。转移过程的释放步骤则利用不同温度区间PC胶受热融化和PDMS受热膨胀的性质，使低维材料在较小外界压力下接触目标基底，减小转移过程中的材料损伤。

  发布时间：2023-05-15 11:26:27

  0

• 立方晶锰酸碱金属纳米颗粒的制造方法及由其制造的立方晶LiMnO2纳米颗粒 公开日期：2023-05-16 公开号：CN116133979A 申请号：CN202180060613.2
  PCT发明 立方晶锰酸碱金属纳米颗粒的制造方法及由其制造的立方晶LiMnO2纳米颗粒

  • 申请号：CN202180060613.2
  • 公开号：CN116133979A
  • 公开日期：2023-05-16
  • 申请人：斯坦雷电气株式会社|||国立大学法人东北大学

  本发明的课题在于制造立方晶的LiMnO2纳米颗粒而不需要特殊的合成条件或处理，且粗大颗粒不混合存在。LiMnO2的制造方法包括：在反应容器中加入有机溶剂、锰氧化物纳米颗粒和氨基锂，在非活性气氛下进行加热，生成立方晶的LiMnO2纳米颗粒的工序；以及对生成的颗粒进行清洗、回收的工序。作为锰氧化物，优选使用纤锌矿型MnO纳米颗粒。由此得到与作为Mn原料的纤锌矿型MnO纳米颗粒大致同等粒径的LiMnO2纳米颗粒。另外，通过控制反应温度，可以形成中空结构的纳米颗粒。

  发布时间：2023-05-24 12:53:35

  0

• 纳米探针的修复方法 公开日期：2023-05-12 公开号：CN115849299A 申请号：CN202310196386.7
  发明 纳米探针的修复方法

  • 申请号：CN202310196386.7
  • 公开号：CN115849299A
  • 公开日期：2023-05-12
  • 申请人：长鑫存储技术有限公司

  本公开涉及一种纳米探针的修复方法，纳米探针的修复方法包括如下步骤：将待进行修复的纳米探针的载体固定放置在支撑台上；使纳米探针的针体与聚焦离子束的发射方向平行；采用第一工艺参数的聚焦离子束对纳米探针进行修复处理，以将旧针尖去除；采用第二工艺参数的聚焦离子束对去除旧针尖后的纳米探针的针体进行修复处理，以在针体上得到针尖半成品；采用第三工艺参数的聚焦离子束对针尖半成品进行修复处理，使针尖半成品的尺寸参数符合预设要求的新针尖。上述的纳米探针的修复方法，能够对损坏的纳米探针进行修复，节省能源，以及降低了成本。

  发布时间：2023-05-14 11:53:53

  0

• 量子信息的存储及传导 公开日期：2023-05-09 公开号：CN116096668A 申请号：CN202180058802.6
  PCT发明 量子信息的存储及传导

  • 申请号：CN202180058802.6
  • 公开号：CN116096668A
  • 公开日期：2023-05-09
  • 申请人：光子公司

  用于存储及传导量子信息的方法及设备提供硅中的发光中心，所述发光中心经可控地耦合以经历与例如超导量子位的第一量子位的量子相互作用。举例来说，所述发光中心可为T中心或T中心系集。可以所述T中心的不成对电子或空穴自旋及/或三个核自旋中的一或多者存储相同或不同量子信息。稍后可将所述经存储量子信息返回到所述第一量子位或传送到可见光子状态。

  发布时间：2023-05-12 11:03:45

  0