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• 微器件转移设备、微器件转移方法、计算机可读存储介质 公开日期：2024-08-27 公开号：CN114348956A 申请号：CN202011092797.4
  发明 微器件转移设备、微器件转移方法、计算机可读存储介质

  • 申请号：CN202011092797.4
  • 公开号：CN114348956A
  • 公开日期：2024-08-27
  • 申请人：南京中兴软件有限责任公司

  本发明实施例提供一种根据本发明实施例提供的微器件转移设备、微器件转移方法、计算机可读存储介质，通过在超疏水弹性膜表面加工制造第一亲水性区域，并使第一亲水区域与待拾取微器件的上表面形状一致，然后通过张力盘使超疏水弹性膜与第一亲水区域同性扩张，进而将第一亲水区域同性扩张为第二亲水区域，第二亲水区域的形状与待拾取微器件的上表面形状一致，且面积接近，从而保证了第一液体在第二亲水区域与待拾取微器件形成的第一液桥被约束在第二亲水区域，实现了在第一液桥的液桥力的作用下快速地实现了微器件的拾取、姿态校正和转移操作，避免了传统拾取技术的硬接触，防止损坏微器件。

  发布时间：2023-05-06 10:15:28

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• MEMS设备及其制备方法、电子设备 公开日期：2024-08-20 公开号：CN113348145A 申请号：CN201980086980.2
  PCT发明 MEMS设备及其制备方法、电子设备

  • 申请号：CN201980086980.2
  • 公开号：CN113348145A
  • 公开日期：2024-08-20
  • 申请人：共达电声股份有限公司

  一种MEMS设备、包括该MEMS设备的电子设备以及该MEMS设备的制备方法，该MEMS设备的薄膜结构(10)包括位于中间区域的具有第一刚性的第一刚性区域(110)和位于边缘区域的具有第二刚性的第二刚性区域(120)，第一刚性小于第二刚性，第二刚性区域包括至少一个从薄膜结构(10)表面向外延伸的凸起(122)。MEMS设备的制备方法包括提供基板(210)；在基板(210)上形成沟槽(212)；提供薄膜结构(10)。该MEMS设备通过增加支撑结构扩孔时的制程裕度，不会因为扩孔误差导致薄膜结构的第一刚性区域(110)的刚性发生实质性变化，从而避免影响MEMS设备的性能。

  发布时间：2023-06-23 07:23:49

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• 一种梯度化热膨胀可调渐变管 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114132884A 申请号：CN202111415424.0
  发明 一种梯度化热膨胀可调渐变管

  • 申请号：CN202111415424.0
  • 公开号：CN114132884A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：西安交通大学

  本发明公开了一种梯度化热膨胀可调渐变管，所述渐变管包括依次相连的若干节空间圆柱壳体，相邻节的空间圆柱壳体的热膨胀系数依次变化；每个空间圆柱壳体包括若干依次相连的微元桁架结构，并卷曲形成环状结构的空间圆柱壳体；每个微元桁架结构包括四个平面单元，四个平面单元均匀分布在同一平面内；每个平面单元包括中心结构及四根双材料梁；四根双材料梁均匀分布在中心结构的四周，并关于中心结构的中心呈中心对称设置；双材料梁包括第一材料梁单元及第二材料梁单元，第一材料梁单元与第二材料梁单元的热膨胀系数不同；本发明通过调控材料梁单元的曲率变化，实现对渐变管的热膨胀系数的梯度变化，热膨胀温度变化控制精度较高。

  发布时间：2023-04-27 13:09:12

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• 一种基于对称金属条带结构的等离子体粒子传送带 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114436205A 申请号：CN202111586024.6
  发明 一种基于对称金属条带结构的等离子体粒子传送带

  • 申请号：CN202111586024.6
  • 公开号：CN114436205A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：桂林电子科技大学

  一种基于对称金属条带结构的等离子体粒子传送带，由介质基底和周期性排列的对称金属条带构成。一个周期结构的基本单元是由金对称条、银对称条、铝对称条排列形成。每个对称金属条带，由两个相同材料的金属条组成。整个结构放置折射率为1.33的水溶液中，入射光为振动方向沿着y轴的垂直向下的线偏振平面光。在不同波长入射光的照射下，对称金属条带会产生等离子体共振形成强烈的近场增强。水溶液中透明纳米粒子会被吸引到电场梯度最大的地方，实现捕获。不同材料的对称金属条带具有不同的共振频率。通过切换入射光的波长，就可以切换相邻的捕获位置，实现粒子的传送。该发明在微纳操纵，生物传感等领域具有重要的应用前景。

  发布时间：2023-05-09 11:25:51

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• 一种MEMS器件及其制造方法 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114506811A 申请号：CN202111580981.8
  发明 一种MEMS器件及其制造方法

  • 申请号：CN202111580981.8
  • 公开号：CN114506811A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：杭州士兰集成电路有限公司|||杭州士兰集昕微电子有限公司

  公开了一种MEMS器件及其制造方法，所述方法包括：在半导体衬底的第一区域形成第一掺杂区；在所述半导体衬底的第一区域形成多孔层，所述多孔层位于所述第一掺杂区下方；对所述多孔层进行氧化形成第一氧化层以及包裹所述第一氧化层的第二氧化层；在所述第一掺杂区和所述半导体衬底的第一表面上形成外延层；在所述外延层上形成钝化层；在所述半导体衬底的第二表面形成到达所述第二氧化层的通道；以及经由所述通道去除所述第一氧化层以及所述第二氧化层，以在所述半导体衬底中形成空腔。本发明采用采用多孔层氧化形成的第一氧化层以及包裹第一氧化层的第二氧化层作为刻蚀停止层，用于形成与外部环境连通的通道，从而形成空腔。

  发布时间：2023-05-10 11:42:06

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• 一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法 公开日期：2024-08-16 公开号：CN114031032A 申请号：CN202111326978.3
  发明 一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法

  • 申请号：CN202111326978.3
  • 公开号：CN114031032A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：河海大学

  本发明公开了一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻坡度。本发明的测试结构简单，制备成本低，测试方法步骤简洁，能够快速获得结果，且通用性强。

  发布时间：2023-04-25 09:47:35

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• 一种微机电传感器的背腔的制造方法 公开日期：2024-08-16 公开号：CN113200511A 申请号：CN202110367160.X
  发明 一种微机电传感器的背腔的制造方法

  • 申请号：CN202110367160.X
  • 公开号：CN113200511A
  • 公开日期：2024-08-16
  • 申请人：杭州士兰集昕微电子有限公司

  本申请公开了一种微机电传感器的背腔的制造方法，该背腔的制造方法包括：采用第一Bosch工艺在衬底中形成凹槽，第一Bosch工艺包括向衬底多次交替输送刻蚀气体与保护气体，衬底具有相对的正面与背面，凹槽自衬底的背面延伸至衬底中；以及采用第二Bosch工艺将凹槽继续延伸至衬底的正面，以形成贯穿衬底的背腔，第二Bosch工艺包括对衬底多次交替的输送刻蚀气体与保护气体，其中，第一Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率高于第二Bosch工艺在向衬底输送刻蚀气体的阶段内对衬底的刻蚀速率。该背腔的制造方法通过两次Bosch工艺形成背腔并提高第一Bosch工艺中的刻蚀速率，从而提高了背腔的形成效率。

  发布时间：2023-06-16 07:24:04

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• 防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法 公开日期：2024-08-13 公开号：CN114715833A 申请号：CN202210371604.1
  发明 防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法

  • 申请号：CN202210371604.1
  • 公开号：CN114715833A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

  本发明公开了一种防止垂直方向间隙粘连的MEMS器件及制造方法，包括顺次相连的下层晶圆结构、可动晶圆结构和上层晶圆结构；所述下层晶圆结构包括相连的硅衬底和绝缘层，所述绝缘层上靠近可动晶圆结构的一侧设有第一锚点和检测电极；所述第一锚点通过弹性梁与所述可动晶圆结构相连；所述检测电极与所述可动晶圆结构之间设有间隙，且刻蚀有第一加工槽，第一加工槽内设有第一微支撑结构，所述第一微支撑的高度等于第一锚点的高度；所述可动晶圆结构上与第一微支撑结构相对应的位置处均刻蚀有贯通式的第二加工槽，用于实现第一微支撑结构与可动晶圆结构的分离。本发明能够有效防止晶圆键合过程中垂直方向微小间隙粘连。

  发布时间：2023-05-15 11:26:50

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• 一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件 公开日期：2024-08-13 公开号：CN115700217A 申请号：CN202110823371.X
  发明 一种空气桥的制备方法及一种超导量子器件

  • 申请号：CN202110823371.X
  • 公开号：CN115700217A
  • 公开日期：2024-08-13
  • 申请人：本源量子计算科技（合肥）股份有限公司

  本申请公开了一种空气桥的制备方法，属于量子信息领域，尤其是量子计算技术领域。所述方法包括：提供形成有外延层的衬底，所述外延层包括分隔的第一子层和第二子层；形成桥支撑层于所述第一子层和所述第二子层之间；形成金属层于所述衬底在所述桥支撑层一侧的表面，所述金属层包括覆盖所述桥支撑层且连接所述第一子层和所述第二子层的空气桥；形成抗蚀层覆盖所述空气桥；依次利用第一刻蚀液和第二刻蚀液刻蚀去除裸露的所述金属层，且所述第二刻蚀液的浓度小于所述第一刻蚀液的浓度；去除所述抗蚀层和所述桥支撑层获得所述空气桥。本方案能够制备出将分隔的第一子层和第二子层连接的空气桥，且不易对外延层造成损伤。

  发布时间：2023-02-10 08:04:29

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• 集成芯片及其制造方法 公开日期：2024-08-09 公开号：CN112537751A 申请号：CN201911353697.X
  发明 集成芯片及其制造方法

  • 申请号：CN201911353697.X
  • 公开号：CN112537751A
  • 公开日期：2024-08-09
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  一种集成芯片，包括位于器件衬底之上的顶盖结构。器件衬底包括第一微机电系统(MEMS)器件及相对于第一微机电系统器件在横向上偏置开的第二微机电系统器件。顶盖结构包括上覆在第一微机电系统器件上的第一空腔及上覆在第二微机电系统器件上的第二空腔。第一空腔具有第一气体压力且第二空腔具有与第一空腔不同的第二气体压力。释气层邻接第一空腔。释气层包含具有释气物质的释气材料。释气材料是非晶态的。

  发布时间：2023-06-02 13:20:26

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