器件制备方法、电子器件和微机电系统

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115448249 A (43)申请公布日 2022.12.09 (21)申请号 202211191923.0 (22)申请日 2022.09.28 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区临港新片区云水路 600号 (72)发明人 冷国庆　刘建华　于艳菊　 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所 有限公司 11038 专利代理师 於菪珉 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图9页 (54)发明名称 器件制备方法、电子器件和微机电系统 (57)摘要 本公开涉及一种器件制备方法、电子器件和 微机电系统。该器件制备方法包括：提供衬底；在 所述衬底上形成悬空结构层，其中，所述悬空结 构层包括可收缩部和支撑部，所述支撑部至少位 于所述可收缩部的相对两侧上；在所述悬空结构 层上形成器件层，其中，所述器件层包括器件，且 所述器件的悬空部分位于所述可收缩部的上方； 以及对所述可收缩部进行收缩处理，以至少形成 位于所述可收缩部与所述器件的悬空部分之间 的间隙。 A 9 4 2 8 4 4 5 1 1 N C CN 115448249 A 权　利　要　求　书