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发明

一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法

2023-06-10 07:02:49 发布于四川 3
  • 申请专利号：CN202211179280.8
  • 公开（公告）日：2023-04-21
  • 公开（公告）号：CN115504430A
  • 申请人：甘肃省科学院传感技术研究所
摘要：本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法，涉及微纳加工与元器件集成技术领域，具体为选取完成器件核心微结构加工前道工序的晶圆作为衬底基片，在衬底基片上涂布一层PI薄膜；再将衬底基片置于恒温加热平板上保温一段时间；之后在光刻机中通过掩膜曝光完成图形化，再通过显影工艺去除金属电极Pad位置上方的PI薄膜；最后将衬底基片置于加热平台中进行阶梯式固化完成有机介电层的制备。一方面，旋涂工艺成膜、一次光刻实现图形化、低温可固化的制备方法，极大的简化工艺制程，降低生产成本；另一方面，有机材料可以在器件微结构及信号线存在较大坡度角位置处形成良好的包覆，有效降低介电层断裂风险的几率，从而提高电子器件的寿命。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115504430 A (43)申请公布日 2022.12.23 (21)申请号 202211179280.8 (22)申请日 2022.09.27 (71)申请人 甘肃省科学院传感技术研究所 地址 730000 甘肃省兰州市城关区定西南 路229号 (72)发明人 员朝鑫　何开宙　谢明玲　王向谦　 强进　高晓平　 (74)专利代理机构 兰州智和专利代理事务所 (普通合伙) 62201 专利代理师 张英荷 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G03F 7/16 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备 方法 (57)摘要 本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电 层的低温制备方法，涉及微纳加工与元器件集成 技术领域，具体为选取完成器件核心微结构加工 前道工序的晶圆作为衬底基片，在衬底基片上涂 布一层PI薄膜；再将衬底基片置于恒温加热平板 上保温一段时间；之后在光刻机中通过掩膜曝光 完成图形化，再通过显影工艺去除金属电极Pad 位置上方的PI薄膜；最后将衬底基片置于加热平 台中进行阶梯式固化完成有机介电层的制备。一 方面，旋涂工艺成膜、一次光刻实现图形化、低温 可固化

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