一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备方法
- 申请专利号:CN202211179280.8
- 公开(公告)日:2023-04-21
- 公开(公告)号:CN115504430A
- 申请人:甘肃省科学院传感技术研究所
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115504430 A (43)申请公布日 2022.12.23 (21)申请号 202211179280.8 (22)申请日 2022.09.27 (71)申请人 甘肃省科学院传感技术研究所 地址 730000 甘肃省兰州市城关区定西南 路229号 (72)发明人 员朝鑫 何开宙 谢明玲 王向谦 强进 高晓平 (74)专利代理机构 兰州智和专利代理事务所 (普通合伙) 62201 专利代理师 张英荷 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) G03F 7/16 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G03F 7/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS电子器件有机介电层的低温制备 方法 (57)摘要 本发明公开了一种MEMS电子器件有机介电 层的低温制备方法,涉及微纳加工与元器件集成 技术领域,具体为选取完成器件核心微结构加工 前道工序的晶圆作为衬底基片,在衬底基片上涂 布一层PI薄膜;再将衬底基片置于恒温加热平板 上保温一段时间;之后在光刻机中通过掩膜曝光 完成图形化,再通过显影工艺去除金属电极Pad 位置上方的PI薄膜;最后将衬底基片置于加热平 台中进行阶梯式固化完成有机介电层的制备。一 方面,旋涂工艺成膜、一次光刻实现图形化、低温 可固化