作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
收起
最新专利
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MEMS器件及其制造方法 公开日期:2023-08-25 公开号:CN111285326A 申请号:CN202010116922.4MEMS器件及其制造方法
- 申请号:CN202010116922.4
- 公开号:CN111285326A
- 公开日期:2023-08-25
- 申请人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法,通过在衬底上形成第一低应力氧化层、等离子体增强氧化层和第二低应力氧化层依次堆叠而成三明治结构,来替代现有技术中单一的LPTEOS结构或PETEOS结构,一方面可以避免LPTEOS沉积厚度无法达到MEMS器件制造要求,另一方面可以避免牺牲介质层应力大而导致上电极层应力过大以及严重变形的问题,更重要的是,可以避免去除牺牲介质层时释放大量应力,进而避免因去除牺牲介质层而导致上电极层严重变形以及具有该上电极层的电容结构严重变形的问题。- 发布时间:2023-08-31 07:32:26
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一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品 公开日期:2023-08-25 公开号:CN112028010A 申请号:CN202010899353.5一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品
- 申请号:CN202010899353.5
- 公开号:CN112028010A
- 公开日期:2023-08-25
- 申请人:华中科技大学
本发明属于微纳结构相关技术领域,并具体公开了一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品。该方法包括:在基底表面制备刻蚀掩膜层,并通过刻蚀在基底上制得倒锥形阵列;对倒锤形阵列进行纳米压印,以此制得锥形掩膜,然后进行一次倒模,获得倒锥形阵列结构;构建耐磨层,获得倒锥形模板,利用疏水聚合物对倒锥形模板进行二次倒模,制得锥形阵列结构;对锥形阵列结构的表面进行研磨,以得到锥台阵列结构。本发明采用一次倒模、构建耐磨层的方式制备大面积倒锥形模板,后续利用疏水聚合物进行二次倒模得到大面积的超疏水表面,无需任何低表面能物质修饰,最后通过研磨进行微纳结构的加工,能够进一步提高表面的粗糙度和结构稳定性。- 发布时间:2023-08-31 07:32:47
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物理量传感器、惯性测量装置以及制造方法 公开日期:2023-08-22 公开号:CN116621111A 申请号:CN202310139332.7物理量传感器、惯性测量装置以及制造方法
- 申请号:CN202310139332.7
- 公开号:CN116621111A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:精工爱普生株式会社
本发明公开了物理量传感器、惯性测量装置以及制造方法,能够避免伴随着可动体的质量不均匀性的不良情况。物理量传感器检测第三方向上的物理量,包括固定于基板的固定部、一端与固定部连接的支承梁以及可动体。可动体具有可动电极部以及框架部。在固定电极部设置有第一固定电极组和第二固定电极组。在可动电极部设置有第一可动电极组和第二可动电极组。而且,在第一可动电极组设置有向第三方向凹陷的第一凹部,在第二固定电极组设置有向第三方向凹陷的第二凹部,在框架部的第二可动电极组侧的区域设置有向第三方向凹陷的第三凹部。- 发布时间:2023-08-25 07:23:56
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一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用 公开日期:2023-08-22 公开号:CN111017868A 申请号:CN201911148319.8一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用
- 申请号:CN201911148319.8
- 公开号:CN111017868A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:厦门大学
本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用,所述制备方法包括:在一硅片表面旋涂光刻胶;采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区;采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球;对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀,使所述点样区形成微纳米结构阵列;去除所述硅片表面的所述光刻胶;且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。- 发布时间:2023-08-25 07:39:08
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一种阵列结构硅基靶板及其应用 公开日期:2023-08-22 公开号:CN110902646A 申请号:CN201911148324.9一种阵列结构硅基靶板及其应用
- 申请号:CN201911148324.9
- 公开号:CN110902646A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:厦门大学
本发明公开了一种阵列结构硅基靶板及其应用,所述阵列结构硅基靶板包括点样区和外围区,所述点样区具有微纳米结构阵列,所述微纳米结构阵列包括数个微纳米结构,所述微纳米结构的高度为10nm‑100μm,等效直径或者等效边长为10nm‑100μm,所述相邻微纳米结构之间的距离为10nm‑10μm,所述微纳米结构阵列还包括裹附在微纳米结构表面的材料层;以及本发明的阵列结构硅基靶板在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或光电探测器中的应用。- 发布时间:2023-08-25 07:39:08
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一种MEMS声传感芯片封装结构 公开日期:2023-08-22 公开号:CN219567579U 申请号:CN202320428769.8一种MEMS声传感芯片封装结构
- 申请号:CN202320428769.8
- 公开号:CN219567579U
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:苏州思萃声光微纳技术研究所有限公司
本申请属于封装结构技术领域,公开了一种MEMS声传感芯片封装结构,包括两端开口的封装外壳,所述封装外壳的上表面开设有安装槽,所述安装槽内设置有用于封闭封装外壳的上盖,所述封装外壳的内壁上设置有封装基板,所述封装外壳的内壁上设置有用于对封装基板进行限位的限位环,所述封装外壳的底面安装有T形底盖,所述封装基板上开设有安置槽,所述安置槽内设置有MEMS芯片,所述封装外壳的侧壁上开设有与其内腔相互联通的注胶孔,所述封装外壳上设置有用于对MEMS芯片进行限位的限位组件。本申请具有降低封装结构受到外力撞击时MEMS芯片受损概率的效果。- 发布时间:2023-08-25 07:47:26
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一种适用于流体界面上微小物体组装和重构的方法及其应用 公开日期:2023-08-22 公开号:CN112340691A 申请号:CN202011252868.2一种适用于流体界面上微小物体组装和重构的方法及其应用
- 申请号:CN202011252868.2
- 公开号:CN112340691A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:西湖大学
本发明提供一种适用于流体界面上微小物体组装和重构的方法及其应用,利用微小物体在液面上的光致形状变化使执行器周边液体界面产生形变,利用液体界面形变诱导产生的毛细作用力来调控多个执行器相互之间吸引或排斥力,从而实现微小物体的程序化组装和重构,不仅可以在气液界面上进行图案化的组装和重构,还可实现在多层液体界面上进行独立组装和重构,甚至可以实现在多层液体界面上进行三维协同组装。这种全新的方法在微机械系统、生物医学设备和超材料等领域具有可观的潜在应用价值。- 发布时间:2023-05-28 13:29:08
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一种基于超分子可逆化学的柔性自修复传感器及制造方法 公开日期:2023-08-22 公开号:CN116621110A 申请号:CN202310448177.7一种基于超分子可逆化学的柔性自修复传感器及制造方法
- 申请号:CN202310448177.7
- 公开号:CN116621110A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:安徽信息工程学院
本发明涉及柔性传感器技术领域,具体涉及一种基于超分子可逆化学的柔性自修复传感器及制造方法,包括超分子柔性基体,所述超分子柔性基体内设置有至少两个电极,所述超分子柔性基体内混合有弹性体介质,所述超分子柔性基体的两侧设置有保护层,所述超分子柔性基体的材质为脲基嘧啶酮水凝胶,本发明通过设置的超分子柔性基体能够实现裂纹的自愈合能力,保证传感器常温下的自修复性能,提高传感器的使用寿命,弹性体介质能够保证传感器的柔韧性,保护层能够减少超分子柔性基体附着脏污或被划伤的问题,提高了传感器的基本性能和使用寿命。- 发布时间:2023-08-25 07:25:24
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一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法 公开日期:2023-08-22 公开号:CN111517273A 申请号:CN202010253123.1一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法
- 申请号:CN202010253123.1
- 公开号:CN111517273A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司
本申请涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法。其中,方法包括:提供衬底;在衬底上沉积含钛薄膜层;刻蚀含钛薄膜层,形成隔离槽和连接槽,隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面;在未被刻蚀的含钛薄膜层上,与,隔离槽和连接槽中沉积非晶硅层;刻蚀非晶硅层,去除位于隔离槽中的非晶硅层;在非晶硅层上与的隔离槽中沉积二氧化硅层。结构包括衬底;含钛薄膜层沉积在衬底上,且含钛薄膜层上开设有隔离槽和连接槽;隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面;非晶硅层沉积在剩余的含钛薄膜层上,并填充在连接槽中;二氧化硅层沉积在非晶硅层上,并填充在隔离槽中。- 发布时间:2023-08-25 07:39:28
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具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺 公开日期:2023-08-22 公开号:CN109502539A 申请号:CN201811075439.5具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺
- 申请号:CN201811075439.5
- 公开号:CN109502539A
- 公开日期:2023-08-22
- 申请人:意法半导体股份有限公司
本公开的实施例涉及具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺。微电子设备包括芯片,芯片容纳功能部分并且承载第一电接触区域,第一电接触区域与功能部分通过第一受保护的连接件电连接,第一受保护的连接件在芯片之上或者在芯片中延伸。基板具有第一接触区和第二接触区,第二接触区远离第一接触区。第一接触区承载第二电接触区域,并且第二接触区承载外部连接区域。第二接触区域和外部连接区域通过第二受保护的连接件相互电连接,第二受保护的连接件在基板之上或者在基板中延伸。保护环结构围绕第一电接触区域和第二电接触区域,并且界定相对于外部封闭的第一腔室。第一电接触区域和第二电接触区域相互电接触。- 发布时间:2023-08-25 07:38:14
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