MEMS器件及其制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111285326 A (43)申请公布日 2020.06.16 (21)申请号 202010116922.4 (22)申请日 2020.02.25 (71)申请人 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 地址 312000 浙江省绍兴市皋埠镇临江路 518号 (72)发明人 王红海　刘国安　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 曹廷廷 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 MEMS器件及其制造方法 (57)摘要 本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法， 通过在衬底上形成第一低应力氧化层、等离子体 增强氧化层和第二低应力氧化层依次堆叠而成 三明治结构，来替代现有技术中单一的LPTEOS结 构或PETEOS结构，一方面可以避免LPTEOS沉积厚 度无法达到MEMS器件制造要求，另一方面可以避 免牺牲介质层应力大而导致上电极层应力过大 以及严重变形的问题，更重要的是，可以避免去 除牺牲介质层时释放大量应力，进而避免因去除 牺牲介质层而导致上电极层严重变形以及具有 该上电极层的电容结构严重变形的问题。 A