发明

一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品

2023-08-31 07:32:47 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202010899353.5
  • 公开(公告)日:2023-08-25
  • 公开(公告)号:CN112028010A
  • 申请人:华中科技大学
摘要:本发明属于微纳结构相关技术领域,并具体公开了一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制备方法及其产品。该方法包括:在基底表面制备刻蚀掩膜层,并通过刻蚀在基底上制得倒锥形阵列;对倒锤形阵列进行纳米压印,以此制得锥形掩膜,然后进行一次倒模,获得倒锥形阵列结构;构建耐磨层,获得倒锥形模板,利用疏水聚合物对倒锥形模板进行二次倒模,制得锥形阵列结构;对锥形阵列结构的表面进行研磨,以得到锥台阵列结构。本发明采用一次倒模、构建耐磨层的方式制备大面积倒锥形模板,后续利用疏水聚合物进行二次倒模得到大面积的超疏水表面,无需任何低表面能物质修饰,最后通过研磨进行微纳结构的加工,能够进一步提高表面的粗糙度和结构稳定性。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112028010 A (43)申请公布日 2020.12.04 (21)申请号 202010899353.5 (22)申请日 2020.08.31 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 史铁林 林建斌 廖广兰 李小平  孔令贤 罗京 段暕  (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 石梦雅 李智 (51)Int.Cl. B81B 7/04 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种大面积高耐用性超疏水表面结构的制 备方法及其产品 (57)摘要 本发明属于微纳结构相关技术领域,并具体 公开了一种大面积高耐用性超疏水表面结构的 制备方法及其产品。该方法包括:在基底表面制 备刻蚀掩膜层,并通过刻蚀在基底上制得倒锥形 阵列;对倒锤形阵列进行纳米压印,以此制得锥 形掩膜,然后进行一次倒模,获得倒锥形阵列结 构;构建耐磨层,获得倒锥形模板,利用疏水聚合 物对倒锥形模板进行二次倒模,制得锥形阵列结 构;对锥形阵列结构的表面进行研磨,以得到锥 台阵列结构。本发明采用一次倒模、构建耐磨层 的方式制备大面积倒锥形模板,后续利用疏水聚 A 合物进行二次倒模得到大面积的超疏水表面,无 0 需任何低表面能物质修饰,最后通过研磨进行微

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