一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111017868 A (43)申请公布日 2020.04.17 (21)申请号 201911148319.8 (22)申请日 2019.11.21 (71)申请人 厦门大学 地址 361000 福建省厦门市思明南路422号 (72)发明人 李静　钟昌祥　尹君　林水潮　 郑南峰　 (74)专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 32256 代理人 王茹 (51)Int.Cl. B81B 7/04(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书1页 说明书12页 附图7页 (54)发明名称 一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应 用 (57)摘要 本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制 备方法及其应用，所述制备方法包括：在一硅片 表面旋涂光刻胶；采用光刻方法在所述硅片表面 形成特定尺寸的点样区；采用溶液法在含点样区 的所述硅片表面自组装微纳米球；对沉积了微纳 米球的所述硅片进行刻蚀，使所述点样区形成微 纳米结构阵列；去除所述硅片表面的所述光刻 胶；且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发 明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基 点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光 电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、 A 化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜 8