发明

具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺

2023-08-25 07:38:14 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN201811075439.5
  • 公开(公告)日:2023-08-22
  • 公开(公告)号:CN109502539A
  • 申请人:意法半导体股份有限公司
摘要:本公开的实施例涉及具有受保护的连接件的微电子设备及其制造工艺。微电子设备包括芯片,芯片容纳功能部分并且承载第一电接触区域,第一电接触区域与功能部分通过第一受保护的连接件电连接,第一受保护的连接件在芯片之上或者在芯片中延伸。基板具有第一接触区和第二接触区,第二接触区远离第一接触区。第一接触区承载第二电接触区域,并且第二接触区承载外部连接区域。第二接触区域和外部连接区域通过第二受保护的连接件相互电连接,第二受保护的连接件在基板之上或者在基板中延伸。保护环结构围绕第一电接触区域和第二电接触区域,并且界定相对于外部封闭的第一腔室。第一电接触区域和第二电接触区域相互电接触。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109502539 A (43)申请公布日 2019.03.22 (21)申请号 201811075439.5 (22)申请日 2018.09.14 (30)优先权数据 102017000103511 2017.09.15 IT (71)申请人 意法半导体股份有限公司 地址 意大利阿格拉布里安扎 (72)发明人 D 卡尔塔比亚诺 A 米诺蒂  · · (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 王茂华 吕世磊 (51)Int.Cl. B81B 7/00(2006.01) B81C 3/00(2006.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图7页 (54)发明名称 具有受保护的连接件的微电子设备及其制 造工艺 (57)摘要 本公开的实施例涉及具有受保护的连接件 的微电子设备及其制造工艺。微电子设备包括芯 片,芯片容纳功能部分并且承载第一电接触区 域,第一电接触区域与功能部分通过第一受保护 的连接件电连接,第一受保护的连接件在芯片之 上或者在芯片中延伸。基板具有第一接触区和第 二接触区,第二接触区远离第一接触区。第一接 触区承载第二电接触区域,并且第二接触区承载 外部连接区域。第二接触区域和外部连接区域通 过第二受保护的连接件相互电连接

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