作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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一种传感器 公开日期:2023-07-04 公开号:CN219297150U 申请号:CN202320581614.8一种传感器
- 申请号:CN202320581614.8
- 公开号:CN219297150U
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:潍坊歌尔微电子有限公司
本实用新型公开了一种传感器,包括基板及设在基板上面的上壳体,上壳体和基板共同围成封闭结构,封闭结构内收容有MEMS芯片,基板包括焊接基板及设在焊接基板上面的侧基板,焊接基板的上面设置MEMS芯片,焊接基板的底面设有客户端焊盘;传感器还包括ASIC芯片和阻容元件,ASIC芯片和阻容元件分别埋在基板内,ASIC芯片分别与MEMS芯片、阻容元件和客户端焊盘电连接。可见,本实用新型传感器的芯片和阻容元件同时埋在基板内,使其既具有良好的抗干扰能力,又具有体积小、轻便的优势。- 发布时间:2023-07-06 10:51:13
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基于硅基微系统的三维封装结构及硅基微组装器件 公开日期:2023-07-04 公开号:CN219297149U 申请号:CN202223357456.2基于硅基微系统的三维封装结构及硅基微组装器件
- 申请号:CN202223357456.2
- 公开号:CN219297149U
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:中国电子科技集团公司第十三研究所
本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构,属于硅基微系统微组装技术领域,包括第一层硅基板以及第二层硅基板,第一层硅基板上设有功能元件胶接区;第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面,第二层硅基板上设有用于避让功能元件的第一窗口,第一窗口的尺寸大于功能元件胶接区的尺寸;其中,第一层硅基板或/和第二层硅基板上设有隔离环,隔离环环绕在第一窗口的外围,且连接在第一层硅基板与第二层硅基板之间。本实用新型在芯片周围设置了隔离环,芯片涂覆导电胶胶接时,由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用,使导电胶只能在隔离环内,避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。- 发布时间:2023-07-06 10:43:57
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一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374945A 申请号:CN202310337427.X一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及制备方法
- 申请号:CN202310337427.X
- 公开号:CN116374945A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:华东师范大学
本发明公开了一种基于飞秒激光直写的集成微纳电极及制备方法,其制备方法包括铌酸锂光子芯片上镀金属铬膜、化学气相沉积镀二氧化硅膜、飞秒光刻铬掩膜、反应离子刻蚀、电子束蒸发金膜及湿法腐蚀等步骤。本发明使用介质膜及金属膜代替传统光刻胶,利用飞秒光刻的低成本、高效率等技术优势,可大规模于光子芯片上制备高度集成、电极性能优异的大尺寸微纳电极结构,可应用于片上微型激光器、微波光子学及高速调制器等领域。- 发布时间:2023-07-06 10:31:35
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微电极制备方法及微电极 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374944A 申请号:CN202310303102.X微电极制备方法及微电极
- 申请号:CN202310303102.X
- 公开号:CN116374944A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:清华大学
本发明涉及一种微电极制备方法及微电极。该微电极制备方法包括:将金属探针置于喷涂面;使用喷涂装置将喷涂溶液喷涂于所述金属探针的外壁,使所述金属探针的喷涂部分涂覆喷涂溶液;转动所述金属探针,使所述喷涂部分的表面覆盖喷涂溶液;将喷涂后的所述金属探针进行干燥处理,使所述喷涂溶液在所述金属探针的外表面形成绝缘层,同时,所述金属探针的针尖露出所述绝缘层,以形成微电极。这样,金属探针的针尖露出,无需进行打磨即可作为微电极使用,简化制备过程,避免出现打磨导致的断裂问题,降低制备难度。同时还能够控制喷涂溶液均匀分布,实现更均匀的包覆,保证绝缘效果,降低制作成本,便于微电极的制备。- 发布时间:2023-07-06 10:30:44
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一种面向跨封装混合异构微系统的集成结构及方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374946A 申请号:CN202310342731.3一种面向跨封装混合异构微系统的集成结构及方法
- 申请号:CN202310342731.3
- 公开号:CN116374946A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:西安微电子技术研究所
本发明公开了一种面向跨封装混合异构微系统的集成结构及方法,该集成方法包括以下步骤:在散热结构和基板之间设置元器件;对内部设置的元器件进行预灌装;预灌装完成后,对内部设置的元器件进行封装,形成封装体。所述结构包括散热结构、封装体、基板;所述基板厚度一致,所述基板的一侧设置元器件,根据元器件的大小设置散热结构,所述元器件设置在基板和散热结构之间,所述基板的另一侧和散热结构的对外面互相平行,所述散热结构的对内面与元器件之间贴合设置。可以有效的解决微系统集成时面临的散热、可靠性等问题。- 发布时间:2023-07-06 10:31:46
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一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法 公开日期:2023-07-04 公开号:CN116374940A 申请号:CN202310309908.X一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法
- 申请号:CN202310309908.X
- 公开号:CN116374940A
- 公开日期:2023-07-04
- 申请人:苏州司南传感科技有限公司
本发明提供一种高性能低成本的MEMS红外光源及其制备方法,涉及红外光源技术领域。该高性能低成本的MEMS红外光源,包括半导体衬底、支撑层、金属层、辐射层,所述半导体衬底位于最下方,且从下往上依次设置有支撑层、金属层、辐射层,所述半导体衬底内部设置有矩形空腔,所述支撑层完全覆盖于所述半导体衬底之上,并形成四边固支结构,所述加热层位于所述支撑层之上。本发明中,先采用干法将衬底刻蚀至剩余较薄厚度,此时硅各向异性倾斜角导致的尺寸增大相比于芯片毫米级的尺寸可忽略,因此芯片尺寸变化不大,同时相比单一的干法刻蚀工艺,最后采用湿法腐蚀能够保证空腔位置衬底完全无残留,因此能减小热量损失从而提升性能。- 发布时间:2023-07-06 10:30:53
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一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法 公开日期:2023-06-30 公开号:CN116177483A 申请号:CN202310444369.0一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法
- 申请号:CN202310444369.0
- 公开号:CN116177483A
- 公开日期:2023-06-30
- 申请人:中北大学
本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS材料制备,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法,LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上,在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压,利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构,制备“钩型”电畴结构,并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性,制备倾角约为90°的“钩型”畴结构,利用纳米级带电畴壁高开关比特性,有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题,制得产物不惧各种恶劣环境,功耗低、开关比高、重复性强,具有稳定性、低能耗、可重复等优点。- 发布时间:2023-06-02 12:59:34
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一种高灵敏度MEMS压差传感器件及其制备方法 公开日期:2023-06-30 公开号:CN116354307A 申请号:CN202310321370.4一种高灵敏度MEMS压差传感器件及其制备方法
- 申请号:CN202310321370.4
- 公开号:CN116354307A
- 公开日期:2023-06-30
- 申请人:电子科技大学
本发明公开了一种高灵敏度微机械系统(MEMS)压差传感器件及其制备方法,所述压差传感器件包括带刻蚀窗口的氮化硅(SiNx)薄膜、硅(Si)基片、SiNx悬浮结构自支撑膜、PdSe2多晶超薄膜、金属电极及表面钝化层。超薄PdSe2显著的压阻效应和超薄悬浮SiNx使得器件具有较高的压差应力传感特性,而高杨氏模量的SiNx保证器件压差传感的可靠性。优化设计的金属电极结构形成的惠斯通电桥能抑制温漂,确保了压差测量的准确性。本发明的优点是硅基半导体工艺兼容,成品率高,可重复性强,稳定性好,器件灵敏度高的压差传感器件。- 发布时间:2023-07-03 10:08:37
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微流体致动器模块的制造方法 公开日期:2023-06-30 公开号:CN111747376A 申请号:CN201910247977.6微流体致动器模块的制造方法
- 申请号:CN201910247977.6
- 公开号:CN111747376A
- 公开日期:2023-06-30
- 申请人:研能科技股份有限公司
一种微流体致动器模块的制造方法,包含以下步骤:1.提供第一基板沉积及蚀刻第一保护层;2.第一保护层滚压及显影第一光阻层;3.提供辅助基板滚压及蚀刻薄膜胶层以及阀层;4.阀层翻转对位以及接合于第一光阻层上;5.提供第二基板;6.第二基板滚压及显影第二光阻层;7.第二光阻层覆晶以及热压接合于阀层;8.第二基板网印导电胶层;9.导电胶层粘贴压电层;以及10.压电层以及第二基板焊接电极层。- 发布时间:2023-07-03 10:16:31
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用于制造MEMS传感器的方法和MEMS传感器 公开日期:2023-06-30 公开号:CN109422239A 申请号:CN201810947220.3用于制造MEMS传感器的方法和MEMS传感器
- 申请号:CN201810947220.3
- 公开号:CN109422239A
- 公开日期:2023-06-30
- 申请人:英飞凌科技股份有限公司
本发明涉及一种用于制造MEMS传感器的方法。在此提供衬底。在衬底的正面上构造MEMS结构。在衬底中构造具有凹槽的解耦结构,其使衬底的第一区域与第二区域应力解耦。在衬底的与正面对置的背面中,通过第一蚀刻工艺构造第一空腔并且通过第二蚀刻工艺构造第二空腔。第一空腔和第二空腔构造为使得第二空腔包括第一空腔并且第二空腔与MEMS结构的底部区域和解耦结构的底部区域邻接。- 发布时间:2023-07-03 10:15:55
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