一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111517273 A (43)申请公布日 2020.08.11 (21)申请号 202010253123.1 (22)申请日 2020.04.02 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址 201203 上海市浦东新区祖冲之路 1399号 (72)发明人 刘善善　朱黎敏　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 代理人 戴广志 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法 (57)摘要 本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体 涉及一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法。其中， 方法包括：提供衬底；在衬底上沉积含钛薄膜层； 刻蚀含钛薄膜层，形成隔离槽和连接槽，隔离槽 和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬 底的刻蚀停止面；在未被刻蚀的含钛薄膜层上， 与，隔离槽和连接槽中沉积非晶硅层；刻蚀非晶 硅层，去除位于隔离槽中的非晶硅层；在非晶硅 层上与的隔离槽中沉积二氧化硅层。结构包括衬 底；含钛薄膜层沉积在衬底上，且含钛薄膜层上 开设有隔离槽和连接槽；隔离槽和连接槽从含钛 薄膜层的上表面向下延