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• 一种反射型原子气室制作方法及其光路结构 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865057A 申请号：CN202311260035.4
  发明 一种反射型原子气室制作方法及其光路结构

  • 申请号：CN202311260035.4
  • 公开号：CN117865057A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：浙江大学|||浙江大学绍兴研究院|||绍兴市科技创业投资有限公司

  本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构，设计的气室结构属于双腔室结构，在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室，两腔室之间由沟道连接，碱金属释放剂填充入存储腔室中，通过与玻璃片阳极键合实现密封，为提高反射率，在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后，基于该气室结构设计了一种光路结构，激光器射出的激光由第一反射镜调整，射入探测器的激光由第二反射镜调整，射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比，反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离，使其不受硅片厚度的限制，改善了原子器件的灵敏度和稳定性。

  发布时间：2024-04-16 07:17:08

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• 微机电系统装置及其形成方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN111762753A 申请号：CN201910629444.4
  发明 微机电系统装置及其形成方法

  • 申请号：CN201910629444.4
  • 公开号：CN111762753A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法，所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀，以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀，以将第一电极图案转移到第一电极层，以及移除硬掩模层。

  发布时间：2024-04-16 07:32:22

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• 电子设备 公开日期：2024-04-12 公开号：CN220766507U 申请号：CN202321074666.2
  实用新型 电子设备

  • 申请号：CN202321074666.2
  • 公开号：CN220766507U
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：意法半导体股份有限公司

  公开了电子设备。电子设备包括支撑结构、微机电系统管芯，微机电系统管芯结合有微结构和微机电系统管芯与支撑结构之间的连接结构。连接结构包括接合到支撑结构的间隔结构，以及施加到间隔结构的与支撑结构相对的一个面上的膜。间隔结构至少部分地横向限定腔，并且膜在腔上延伸，与支撑结构保持一定距离。微机电系统管芯接合到腔上的膜。本实用新型的技术提供了改进的电子设备，其减轻或至少减少了由于应力引起的缺陷。

  发布时间：2024-04-16 07:33:57

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• 基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN109607469A 申请号：CN201910011530.9
  发明 基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法

  • 申请号：CN201910011530.9
  • 公开号：CN109607469A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：四川理工学院

  本发明提供基于单壁碳纳米管悬空结构的柔性传感器及其制作方法，利用硅微加工技术，在柔性基底上设置电极对；然后通过交流耦合介电电泳的方法，使单壁碳纳米管在悬浮液中的电场力作用下定向沉积在柔性基底上的电极对间；接着配比饱和的Au电镀液，实施区域选择性电沉积Au技术，实现Au电极上的定域沉积Au压覆单壁碳纳米管。本发明实现了单根或单束单壁碳纳米管的一维定向排布，提高器件的灵敏性和稳定性，易于工业化生产。

  发布时间：2024-04-16 07:31:50

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• 微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865058A 申请号：CN202311719577.3
  发明 微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件

  • 申请号：CN202311719577.3
  • 公开号：CN117865058A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司

  本申请的实施例提供了一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件，所述方法包括：提供一硅晶圆和一衬底基板，硅晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置有第一凹槽，第一凹槽的侧壁与第一表面垂直或近似垂直；将硅晶圆的第一表面与衬底基板进行键合，得到键合衬底；对键合衬底中的第二表面进行干法刻蚀，以在第二表面形成与第一凹槽连通的第二凹槽，第二凹槽的侧壁与第二表面垂直或近似垂直，第二凹槽的宽度不等于第一凹槽的宽度；分离刻蚀后的所述键合衬底中的硅晶圆和衬底基板，得到具有硅通孔结构的硅晶圆。本申请的实施例能在不同晶相的硅晶圆上刻蚀得到上下不同尺寸且侧壁垂直或近似垂直的硅通孔结构。

  发布时间：2024-04-16 07:19:07

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• 封装产品及电子设备 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865056A 申请号：CN202311732676.5
  发明 封装产品及电子设备

  • 申请号：CN202311732676.5
  • 公开号：CN117865056A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：歌尔微电子股份有限公司

  本发明提供一种封装产品及电子设备，封装产品包括基板、MEMS芯片、ASIC芯片和封装层，封装层包裹MEMS芯片和ASIC芯片，MEMS芯片和ASIC芯片信号连接，MEMS芯片安装于基板，基板形成有面向MEMS芯片的通孔，ASIC芯片上连接有导电组件，导电组件暴露于封装层设置。通过在ASIC芯片上设置导电组件，导电组件暴露于封装层，导电组件用于与外部电子器件连接，MEMS芯片从感应到从通孔进入的轮胎压力信号，经过MEMS芯片转化成电信号后传递至ASIC芯片，经过ASIC芯片处理后的信号通过导电组件传递到外部电子器件上。通过在ASIC芯片上设置导电组件，代替了相关技术中在基板上设置引脚的技术方案，能够减小封装产品的面积。

  发布时间：2024-04-16 07:19:19

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• 一种基于钛硅欧姆接触的密封方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865061A 申请号：CN202311810610.3
  发明 一种基于钛硅欧姆接触的密封方法

  • 申请号：CN202311810610.3
  • 公开号：CN117865061A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所

  本发明提供一种基于钛硅欧姆接触的密封方法，包括：S1、在中间硅层(1)上制备分离的钛黏附层(10)和其上的钝化保护层(11)，进行高温合金化处理；S2、在中间硅层(1)上制备硅引线层(8)；硅引线层(8)与钛黏附层(10)之间形成了欧姆接触；S3、将盖板层(13)的垂直通孔和中间硅层(1)上的钝化保护层(11)进行对准，进行共晶键合密封封装；S4、通过干法刻蚀去除钛黏附层(10)上方的钝化保护层(11)，在盖板层(13)的上表面沉积铝膜，通过光刻和湿法刻蚀在盖板层(13)上形成铝电极焊盘(18)；铝电极焊盘(18)与硅引线层(8)之间导通。将钛的高温合金化欧姆接触与铝电极焊盘沉积工艺分离，提高了工艺质量。

  发布时间：2024-04-16 07:21:05

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• 神经形态微机电系统设备 公开日期：2024-04-12 公开号：CN113226975A 申请号：CN201980083480.3
  PCT发明 神经形态微机电系统设备

  • 申请号：CN201980083480.3
  • 公开号：CN113226975A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：索克普拉科学与工程公司

  一种微机电系统(MEMS)设备，包括：惯性部件，被配置为通过柔性连接而连接至结构，柔性连接响应于对结构所施加的外部刺激而允许惯性部件相对于结构发生变形或移动。一个或多个谐振部件连接至结构或惯性部件，谐振部件具有谐振模式。换能单元测量谐振部件相对于惯性部件和/或结构的振荡运动。电子控制单元施加静电力泵来诱使谐振部件在谐振模式下发生振荡运动，振荡运动是静电力的强度的非线性函数。谐振部件被配置为耦合至惯性部件和/或结构，以使得惯性部件响应于外部刺激所发生的变形和/或运动改变泵的强度，电子控制单元被配置为用于产生并且输出作为所测量的振荡运动的数学函数的输出信号。还提供一种用于为暴露于外部刺激的MEMS设备产生神经形态输出的系统。

  发布时间：2023-06-16 07:28:13

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• 超表面探测器及其制造方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865059A 申请号：CN202410044252.8
  发明 超表面探测器及其制造方法

  • 申请号：CN202410044252.8
  • 公开号：CN117865059A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：中国科学院合肥物质科学研究院

  本发明提供一种超表面探测器及其制造方法，针对超表面结构与探测器之间的集成，既能够避免超表面的性能下降又能够降低成本。在本发明的制造方法中，首先任选一个图像传感器，移除传感器表面的窗片使像敏面裸露，接着，在传感器的像敏面上形成一定厚度的镀层，然后，利用聚焦离子束技术在镀层直接刻写所需的图案从而将镀层加工成超表面阵列，最后，覆盖窗片完成超表面探测器的制造。由此，提供了高性能、低成本、设计和制造的过程灵活的超表面探测器的制造方法以及由该方法制造的超表面探测器。

  发布时间：2024-04-16 07:23:53

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• 半导体器件与其制作方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN111170263A 申请号：CN201811339671.5
  发明 半导体器件与其制作方法

  • 申请号：CN201811339671.5
  • 公开号：CN111170263A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：中国科学院微电子研究所

  本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括：提供第一待键合结构，第一待键合结构包括具有凹槽的第一衬底，第一衬底的材料包括碳化硅；提供第二待键合结构，第二待键合结构包括依次叠置设置的第二衬底、感应层和形变层，感应层的材料包括基体材料和N型或P型的掺杂杂质；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，使得形变层的远离感应层的表面与凹槽两侧的第一衬底的表面接触，且形变层和凹槽形成感应空腔；去除第二衬底。该制作方法形成的半导体器件能够在高温等极端恶劣的环境下实现精准测量。

  发布时间：2024-04-11 07:38:36

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