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• 微纳结构光窗、制备方法及光学组件 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902542A 申请号：CN202211234797.2
  发明 微纳结构光窗、制备方法及光学组件

  • 申请号：CN202211234797.2
  • 公开号：CN117902542A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：松山湖材料实验室|||中国科学院西安光学精密机械研究所

  本发明公开了一种微纳结构光窗、制备方法以及光学组件。提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗包括面板、微纳结构层以及光电阴极，所述面板具有用于接收和透过入射光的第一表面以及与所述正面相对的第二表面，所述第二表面依次顺序层叠连接有所述微纳结构层以及所述光电阴极，所述微纳结构层朝向所述光电阴极的表面具有若干个相同的微结构单元，所述微结构单元包括微孔以及设置于所述微孔内的高折射率膜层。本发明的提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗能够实现入射光的强有力的光场调控，在保持光电阴极厚度不变时增加光线在光电阴极中的光程，从而使得光电阴极对光的吸收率提高，增加光生电子数目。

  发布时间：2024-04-21 07:41:51

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• 一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用 公开日期：2024-04-19 公开号：CN112694062A 申请号：CN202011592356.0
  发明 一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用

  • 申请号：CN202011592356.0
  • 公开号：CN112694062A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：华中科技大学

  本发明公开了一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用，属于气体检测技术领域。阵列包括阵列式排布的基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器，每个气体传感器包括硅晶圆基片以及自下而上排布在在硅晶圆基片上的ONO介质层、加热电极、绝缘层、测试电极和气敏材料，加热电极和测试电极均通过硅通孔引至硅晶圆基片的下表面。本发明提供的气体传感器阵列能够降低成本，缩小器件尺寸，提高器件性能稳定性和一致性，实现传感器阵列，并降低器件功耗。

  发布时间：2023-06-05 18:01:57

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• 一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构及其制备方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN116216628A 申请号：CN202310231561.1
  发明 一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构及其制备方法

  • 申请号：CN202310231561.1
  • 公开号：CN116216628A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：清华大学

  本发明属于微纳米表面涂层技术领域，具体涉及一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构及其制备方法。本发明提供的一种金属纳米颗粒微图案化学镀结构的制备方法，包括如下步骤：(1)得到改性纳米颗粒分散液和改性基底；(2)得到金属纳米颗粒自组装层的微图案基底；(3)在目标基底上形成可诱导固化的粘结层，得到粘结基底；(4)将金属纳米颗粒自组装层部分与粘结层部分相贴合压紧，诱导粘结层固化；(5)将基底进行剥离，得金属纳米颗粒微图案结构；(6)将金属纳米颗粒微图案结构进行化学镀处理，得到金属纳米颗粒微图案化学镀结构。本发明提供的制备方法可以得到分辨率高、缺陷较少、导电性较好、质量较好且稳定性较高的微电路结构。

  发布时间：2023-06-11 11:46:13

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• 一种超滑结构及其制备方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902547A 申请号：CN202311763948.8
  发明 一种超滑结构及其制备方法

  • 申请号：CN202311763948.8
  • 公开号：CN117902547A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：深圳清力技术有限公司|||清华大学

  本申请提供了一种超滑结构及其制备方法，该超滑结构制备方法包括提供超滑岛和第一基底，然后，再将超滑岛内的滑块沿超滑界面转移至第一基底的上表面，最后，再对第一基底上的滑块的电阻值进行测量，筛选出电阻值满足目标阈值的滑块，获得超滑结构。通过对滑块的电阻值进行测量，并根据测量结果，对电阻值小于目标阈值的滑块进行筛选，以获取不含部分超滑面的滑块。利用不含有部分超滑面的滑块具有更加优异的结构稳定性的特点，将其与第一基底进行结合，获得具有鲁棒性的超滑结构，提高超滑结构的超滑特性。

  发布时间：2024-04-21 07:45:28

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• 一种MEMS封装结构及其制作方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN113526453A 申请号：CN202110807607.0
  发明 一种MEMS封装结构及其制作方法

  • 申请号：CN202110807607.0
  • 公开号：CN113526453A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：芯知微（上海）电子科技有限公司

  本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法，器件晶圆，所述器件晶圆包括相对的第一表面和第二表面，MEMS芯片，所述MEMS芯片键合于所述器件晶圆上，所述MEMS芯片上形成有MEMS器件和位于所述MEMS器件外侧的第一密封结构和第一焊垫；所述器件晶圆上形成有第二密封结构和第二焊垫，所述第一焊垫和第二焊垫之间形成有电镀的导电凸块。通过在所述器件晶圆的表面设置有第一密封结构与第一焊垫，且在MEMS芯片的表面设置第二焊垫与第二密封结构，且第一密封结构与第二密封结构相结合，形成密封结构，使MEMS芯片在与器件晶圆相结合时，保证了其密封性，可以达到各个传感元件的高效连通，同时可以从封装单个器件提升到晶圆级封装的水平，有利于器件的性能和长期稳定性。

  发布时间：2024-04-21 07:55:15

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• 一种MEMS封装结构及其制作方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN113526454A 申请号：CN202110808952.6
  发明 一种MEMS封装结构及其制作方法

  • 申请号：CN202110808952.6
  • 公开号：CN113526454A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：芯知微（上海）电子科技有限公司

  本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法，包括：器件晶圆，其设置有控制单元以及与控制单元电连接的互连结构，器件晶圆的第一表面上形成有凹槽；第一焊垫，位于器件晶圆的第一表面，至少部分所述第一焊垫位于凹槽的下方并与互连结构电连接；绝缘层，形成于器件晶圆的第一表面及凹槽内；MEMS芯片，将所述MEMS芯片嵌入凹槽并与器件晶圆键合连接，MEMS芯片的的第一面具有多个裸露第二焊垫并与第一焊垫电连接。本发明通过键合工艺将MEMS芯片嵌入凹槽中，实现MEMS芯片与器件晶圆的连接，降低器件集成的高度，提高器件的集成度，另外，在器件晶圆的凹槽沉积一层具有压应力的绝缘层，平衡了后续产生的拉应力，减少封装制程中的晶圆的翘曲，提高产品的可靠性。

  发布时间：2024-04-21 07:55:15

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• 微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902549A 申请号：CN202410074848.2
  发明 微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件

  • 申请号：CN202410074848.2
  • 公开号：CN117902549A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司

  本申请的实施例提供了一种微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件，所述方法包括：提供一晶圆衬底，所述晶圆衬底包括相对的第一表面和第二表面；在所述晶圆衬底的第一表面形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上贴附保护层；在贴附保护层后，从所述晶圆衬底的第二表面形成贯穿所述晶圆衬底的硅通孔，所述硅通孔停止于所述刻蚀停止层。本申请的实施例提供的技术方案能避免在制作硅通孔的过程中进行背面露头工艺，进而能避免对前段机台产生金属污染，使得能实现大规模量产具有硅通孔结构的微机电器件。

  发布时间：2024-04-21 07:48:29

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• 单晶衬底和微机械结构的加工方法 公开日期：2024-04-16 公开号：CN107867673A 申请号：CN201710890273.1
  发明 单晶衬底和微机械结构的加工方法

  • 申请号：CN201710890273.1
  • 公开号：CN107867673A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：英飞凌科技股份有限公司

  根据各种实施例，加工单晶衬底(102)的方法可以包括：沿着主处理侧将衬底(102)分割(100b)成至少两个单晶衬底子块(102a，102b)；以及形成(100c)包括所述至少两个衬底子块(102a，102b)的单晶衬底子块的微机械结构(106)。

  发布时间：2024-04-21 07:24:55

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• 微机械惯性传感器 公开日期：2024-04-16 公开号：CN111071982A 申请号：CN201910992349.0
  发明 微机械惯性传感器

  • 申请号：CN201910992349.0
  • 公开号：CN111071982A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明涉及一种微机械惯性传感器(100)，具有：‑衬底(1)；‑振动质量(10)；‑限定数量的探测电极(20、21)以用于通过所述振动质量(10)与所述探测电极(20、21)在功能上的共同作用来探测所述振动质量(10)的偏移；和‑限定数量的补偿电极(30、31)以用于生成电信号来补偿由于所述衬底(1)的寄生变形所引起的电偏置信号。

  发布时间：2024-04-21 07:26:36

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• 一种高精度温度感测功能的MEMS微热板及其制备方法 公开日期：2024-04-16 公开号：CN117886276A 申请号：CN202311832546.9
  发明 一种高精度温度感测功能的MEMS微热板及其制备方法

  • 申请号：CN202311832546.9
  • 公开号：CN117886276A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：武汉微纳传感技术有限公司

  本发明提供一种高精度温度感测功能的MEMS微热板及其制备方法，涉及微电子器件技术领域，该MEMS微热板包括衬底；设置在所述衬底上的绝缘支撑层；设置在所述绝缘支撑层上的加热电阻层；设置在所述加热电阻层上的绝缘保护层；所述加热电阻层包括具有氧化保护作用的粘结层、铂金属层、氧化保护层。本发明兼具尺寸小、成本低、加热电阻稳定性好的优点，改善MEMS微热板在长期高温工作参数工作后电阻值的漂移，MEMS微热板的温度感测参数可以长期稳定。

  发布时间：2024-04-21 07:17:53

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