发明

一种反射型原子气室制作方法及其光路结构2024

2024-04-16 07:17:08 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311260035.4
  • 公开(公告)日:2024-04-12
  • 公开(公告)号:CN117865057A
  • 申请人:浙江大学|||浙江大学绍兴研究院|||绍兴市科技创业投资有限公司
摘要:本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构,设计的气室结构属于双腔室结构,在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室,两腔室之间由沟道连接,碱金属释放剂填充入存储腔室中,通过与玻璃片阳极键合实现密封,为提高反射率,在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后,基于该气室结构设计了一种光路结构,激光器射出的激光由第一反射镜调整,射入探测器的激光由第二反射镜调整,射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比,反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离,使其不受硅片厚度的限制,改善了原子器件的灵敏度和稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865057 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311260035.4 (22)申请日 2023.09.27 (71)申请人 浙江大学 地址 310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 申请人 浙江大学绍兴研究院  绍兴市科技创业投资有限公司 (72)发明人 车录锋 李晨啸  (74)专利代理机构 绍兴锋行知识产权代理事务 所(普通合伙) 33460 专利代理师 徐锋 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种反射型原子气室制作方法及其光路结 构 (57)摘要 本发明公开了一种反射型原子气室制作方 法及其光路结构,设计的气室结构属于双腔室结 构,在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔 室,两腔室之间由沟道连接,碱金属释放剂填充 入存储腔室中,通过与玻璃片阳极键合实现密 封,为提高反射率,在光学腔反射侧壁上溅射金 属。之后,基于该气室结构设计了一种光路结构, 激光器射出的激光由第一反射镜调整,射入探测 器的激光由第二反射镜调整,射入和射出气室的 激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相 比,反射型气室极大地延长了光与原子相互作用 A 的距离,使其不受硅片厚度的限制,改善了原子 7 器件的灵敏度和稳定性。

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