微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865058 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311719577.3 B81B 7/02 (2006.01) (22)申请日 2023.12.14 (71)申请人 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公 司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区科创十四街99号33幢D栋二层 2208号（集中办公区） (72)发明人 杨志政　王飞飞　祁富荣　李健飞　 徐宝盈　 (74)专利代理机构 北京众达德权知识产权代理 有限公司 11570 专利代理师 余婕 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机 电器件 (57)摘要 本申请的实施例提供了一种微机电器件硅 通孔结构的制备方法、及微机电器件，所述方法 包括：提供一硅晶圆和一衬底基板，硅晶圆包括 相对设置的第一表面和第二表面，第一表面设置 有第一凹槽，第一凹槽的侧壁与第一表面垂直或 近似垂直；将硅晶圆的第一表面与衬底基板进行 键合，得到键合衬底；对键合衬底中的第二表面 进行干法刻蚀，以在第二表面形成与第一凹槽连 通的第二凹槽，第二凹槽的侧壁与第二表面垂