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• 阀装置 公开日期：2024-04-09 公开号：CN113544085A 申请号：CN202080016790.6
  PCT发明 阀装置

  • 申请号：CN202080016790.6
  • 公开号：CN113544085A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：株式会社电装

  阀装置具备主体(51)、阀芯(52)以及控制阀部件(Y1)，该控制阀部件(Y1)使作用于压力室(51g、58a)的压力变化，而该压力室(51g、58a)产生用于使阀芯(52)移动的控制压力。控制阀部件(Y1)具有：基部(Y11、Y121、Y13)，该基部形成有制冷剂室(Y19)、与制冷剂室(Y19)连通并且与所述压力室(51g、58a)连通的第一制冷剂孔(Y16)、与制冷剂室(Y19)连通并且与该控制阀部件(Y1)外的制冷剂通路(51c、51k)连通的第二制冷剂孔(Y17、Y18)；驱动部(Y123、Y124、Y125)，该驱动部当自身的温度变化时进行位移；放大部(Y126、Y127)，该放大部对驱动部(Y123、Y124、Y125)的由温度的变化引起的位移进行放大；可动部(Y128)，该可动部被传递由放大部(Y126、Y127)放大后的位移而在制冷剂室(Y19)内移动，从而对第二制冷剂孔(Y17、Y18)相对于制冷剂室(Y19)的开度进行调整。

  发布时间：2024-04-11 07:40:58

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• 一种量子点像素化薄膜及其制备方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN113651286A 申请号：CN202010398349.0
  发明 一种量子点像素化薄膜及其制备方法

  • 申请号：CN202010398349.0
  • 公开号：CN113651286A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：北京大学|||致晶科技（北京）有限公司

  本发明提供了一种量子点像素化薄膜及其制备方法，所述量子点像素化薄膜包括量子点层和基底层；所述量子点层包括量子点；所述基底层包括基底；所述量子点自组装在所述基底的表面。本发明通过对基底进行表面预处理，使得图案化的片状/棒状量子点可在基底表面进行原位组装，从而在基板上形成厚度在纳米级的均匀薄膜，进一步提高了量子点的发光效率，当使用喷墨打印技术进行像素化时可避免咖啡环的形成，有助于提高量子点像素化显示的能效。

  发布时间：2024-04-11 07:40:34

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• 自动解键合机 公开日期：2024-04-09 公开号：CN110040684A 申请号：CN201910399229.X
  发明 自动解键合机

  • 申请号：CN201910399229.X
  • 公开号：CN110040684A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：苏州美图半导体技术有限公司

  本发明涉及一种自动解键合机，其衬底吸附加热装置包括上连接板、设置于所述上连接板下侧面的上真空吸盘以及设置于所述上连接板上侧面的焊接波纹管，向焊接波纹管内充气后，通过焊接波纹管的伸长能驱动上真空吸盘向靠近正下方的衬底吸附固定顶片装置运动，上真空吸盘与衬底吸附固定顶片装置上的键合衬底组接触后，通过上真空吸盘能对键合衬底组加热直至使得键合衬底组解键合，解键合后得到的下衬底能吸附在衬底吸附固定顶片装置上，解键合后得到的上衬底能吸附在上真空吸盘上。本发明结构紧凑，能有效确保解键合过程中上真空吸盘与下真空吸盘间的平行，提高解键合的成功率，安全可靠。

  发布时间：2024-04-11 07:39:25

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• 柔性多稳态三维微结构及其系统和形成方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN114955975A 申请号：CN202210441385.X
  发明 柔性多稳态三维微结构及其系统和形成方法

  • 申请号：CN202210441385.X
  • 公开号：CN114955975A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：清华大学

  提供了一种柔性多稳态三维微结构及其系统和形成方法。柔性多稳态三维微结构包括夹层结构，夹层结构是能够在彼此交叉的第一方向和第二方向上屈曲变形的平面结构，夹层结构包括第一端部条带、第二端部条带以及多个中间条带，第一端部条带和第二端部条带均沿着第一方向延伸，并且第一端部条带和第二端部条带沿着第二方向间隔开地排列，各中间条带的一端连接到第一端部条带、另一端连接到第二端部条带，第一端部条带、第二端部条带以及多个中间条带中的一个或多个条带能够在电磁的作用下发生诱导变形，在发生诱导变形之前，夹层结构在第一方向上屈曲变形，在发生诱导变形之后，夹层结构在第二方向上屈曲变形。

  发布时间：2024-04-11 07:41:27

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• 一种无引线封装的高温压力传感器 公开日期：2024-04-09 公开号：CN117842924A 申请号：CN202311763661.5
  发明 一种无引线封装的高温压力传感器

  • 申请号：CN202311763661.5
  • 公开号：CN117842924A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：中国飞行试验研究院

  本发明涉及传感器设计领域，提供一种无引线封装的高温压力传感器。包括：封装金属管壳、玻璃基座、金属插针、传感器芯片、硅基座；封装金属管壳为一端开口的筒状结构，壳体从内向外依次设置传感器芯片、封装金属管壳和玻璃基座；传感器芯片设有两处金属电极；硅基座为圆饼状，硅基座上设有两处与金属电极位置匹配的第一外引线过孔；玻璃基座为圆饼状，陶瓷基座上设有两处与金属电极位置匹配的第二外引线过孔；传感器芯片通过粘接浆料与硅基座粘接，硅基座通过粘接浆料与陶瓷基座粘接；两处金属电极分别连接两根外引线并从两处外引线过孔穿出输出压力数据。

  发布时间：2024-04-11 07:25:37

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• 热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工艺 公开日期：2024-04-09 公开号：CN112250034A 申请号：CN202011052512.4
  发明 热电堆红外探测器制作过程释放薄膜的工艺

  • 申请号：CN202011052512.4
  • 公开号：CN112250034A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：广州德芯半导体科技有限公司

  本发明公开了一种热电堆红外探测器制备过程释放薄膜的工艺，在需要释放的区域预先制作一层容易腐蚀的金属层，依次生成氮化硅层、多晶硅层、电极及二氧化硅层，然后把易腐蚀的金属层快速腐蚀掉，再用气体腐蚀方法把下面Si层腐蚀一定深度形成悬浮窗空腔，如此可使热电堆所在的薄膜层完全干净释放出来，做成一致性非常好热电堆单元，成品率极大提高，而且工艺简单、工作效率高。

  发布时间：2023-05-28 12:05:16

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• 基于纳米探针的微纳三维结构制备方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN117842927A 申请号：CN202410043336.X
  发明 基于纳米探针的微纳三维结构制备方法

  • 申请号：CN202410043336.X
  • 公开号：CN117842927A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：清华大学

  提供了一种基于纳米探针的微纳三维结构制备方法，其包括以下步骤：S1：在衬底上设置牺牲层与热塑性聚合物层。S2：在所述热塑性聚合物层上沉积金属层，通过微加工工艺刻蚀所述金属层，以形成图案化的所述金属层，刻蚀所述热塑性聚合物层，并去除所述衬底上涂布的所述牺牲层，形成二维前驱体。S3：使用一个或多个纳米探针对所述二维前驱体施加载荷并移动所述纳米探针，带动所述二维前驱体的与所述纳米探针的针尖的接触的部分移动，使所述二维前驱体的结构发生变形，形成三维微纳结构。S4：加热所述三维微纳结构使其产生热塑性，实现所述三维微纳结构的固形。

  发布时间：2024-04-11 07:30:49

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• 一种MEMS开关及其制作方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN110171799A 申请号：CN201910455171.6
  发明 一种MEMS开关及其制作方法

  • 申请号：CN201910455171.6
  • 公开号：CN110171799A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：苏州知芯传感技术有限公司

  本发明涉及一种MEMS开关及其制作方法，应用桥式结构，在驱动力作用下，使开关的中间部分产生最大位移，进而将接触区域设计为面接触，取消了现有技术中的点接触设计，由此避免点接触的缺点，获得了更高的MEMS开关工作效率，与此同时，针对所设计MEMS开关，具体设计对应其的制作方法，采用键合工艺方案，大大减小工艺复杂度，减小粘附，有效提高了成品率。

  发布时间：2024-04-11 07:39:29

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• 一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN117842930A 申请号：CN202311648758.1
  发明 一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法

  • 申请号：CN202311648758.1
  • 公开号：CN117842930A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：北京自动化控制设备研究所

  本发明提供一种用于惯性MEMS器件的敏感结构加工方法，该加工方法包括：步骤一、在衬底正面加工N个第一槽，用于对应待增厚的敏感结构释放；步骤二、在衬底正面除第一槽的位置加工引线；步骤三、在敏感结构层背面刻蚀第二槽，第二槽用于除待增厚的敏感结构之外的敏感结构释放；敏感结构层背面未加工第二槽的位置作为锚点；待增厚的敏感结构所在的位置需预留出锚点；步骤四、将敏感结构层背面与衬底正面进行键合，其中，任意第一槽与对应待增厚的敏感结构所在的位置的锚点正对，不发生键合；步骤五、对敏感结构层正面进行结构刻蚀，加工器件的敏感结构。本发明可以在保证非增厚敏感结构加工精度的条件下增大待增厚敏感结构厚度。

  发布时间：2024-04-11 07:23:13

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• 一种MEMS产品的切割方法 公开日期：2024-04-09 公开号：CN117842925A 申请号：CN202311804830.5
  发明 一种MEMS产品的切割方法

  • 申请号：CN202311804830.5
  • 公开号：CN117842925A
  • 公开日期：2024-04-09
  • 申请人：广东气派科技有限公司

  本发明提供了一种MEMS产品的切割方法，其包括：画不良步骤、贴膜步骤、切割步骤和剔除不良步骤，在所述贴膜步骤中，采用UV膜贴附在PCB背面，在所述切割步骤中，采用金属刀进行切割，将所述PCB板切割为多个MEMS产品。采用本发明的MEMS产品切割方法，可以减少在切割工序产生的残胶及碎屑。

  发布时间：2024-04-11 07:26:29

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