发明

一种基于钛硅欧姆接触的密封方法2024

2024-04-16 07:21:05 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311810610.3
  • 公开(公告)日:2024-04-12
  • 公开(公告)号:CN117865061A
  • 申请人:中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
摘要:本发明提供一种基于钛硅欧姆接触的密封方法,包括:S1、在中间硅层(1)上制备分离的钛黏附层(10)和其上的钝化保护层(11),进行高温合金化处理;S2、在中间硅层(1)上制备硅引线层(8);硅引线层(8)与钛黏附层(10)之间形成了欧姆接触;S3、将盖板层(13)的垂直通孔和中间硅层(1)上的钝化保护层(11)进行对准,进行共晶键合密封封装;S4、通过干法刻蚀去除钛黏附层(10)上方的钝化保护层(11),在盖板层(13)的上表面沉积铝膜,通过光刻和湿法刻蚀在盖板层(13)上形成铝电极焊盘(18);铝电极焊盘(18)与硅引线层(8)之间导通。将钛的高温合金化欧姆接触与铝电极焊盘沉积工艺分离,提高了工艺质量。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865061 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202311810610.3 (22)申请日 2023.12.26 (71)申请人 中国航空工业集团公司西安飞行自 动控制研究所 地址 710076 陕西省西安市雁塔区锦业路 129号 (72)发明人 张力 熊恒 宋运康 赵坤帅  闫鑫 王刚  (74)专利代理机构 中国航空专利中心 11008 专利代理师 杨洁 (51)Int.Cl. B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种基于钛硅欧姆接触的密封方法 (57)摘要 本发明提供一种基于钛硅欧姆接触的密封 方法,包括:S1、在中间硅层(1)上制备分离的钛 黏附层(10)和其上的钝化保护层(11),进行高温 合金化处理;S2、在中间硅层(1)上制备硅引线层 (8);硅引线层(8)与钛黏附层(10)之间形成了欧 姆接触;S3、将盖板层(13)的垂直通孔和中间硅 层(1)上的钝化保护层(11)进行对准,进行共晶 键合密封封装;S4、通过干法刻蚀去除钛黏附层 (10)上方的钝化保护层(11),在盖板层(13)的上 表面沉积铝膜,通过光刻和湿法刻蚀在盖板层 (13)上形成铝电极焊盘(18);铝电极焊盘(18)与 硅引线层(8)之间导通。将钛的高温合金化欧姆 A 接触与铝电极焊盘沉积工艺分离,提高了工艺质 1 量。 6 0

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