半导体器件与其制作方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111170263 A (43)申请公布日 2020.05.19 (21)申请号 201811339671.5 (22)申请日 2018.11.12 (71)申请人 中国科学院微电子研究所 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 (72)发明人 王英辉　尚海平　王玮冰　 (74)专利代理机构 北京康信知识产权代理有限 责任公司 11240 代理人 韩建伟　谢湘宁 (51)Int.Cl. B81B 3/00(2006.01) B81C 1/00(2006.01) H01L 21/18(2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 半导体器件与其制作方法 (57)摘要 本申请提供了一种半导体器件与其制作方 法。该制作方法包括：提供第一待键合结构，第一 待键合结构包括具有凹槽的第一衬底，第一衬底 的材料包括碳化硅；提供第二待键合结构，第二 待键合结构包括依次叠置设置的第二衬底、感应 层和形变层，感应层的材料包括基体材料和N型 或P型的掺杂杂质；将第一待键合结构和第二待 键合结构键合，使得形变层的远离感应层的表面 与凹槽两侧的第一衬底的表面接触，且形变层和 凹槽形成感应空腔；去除第二衬底。该制作方法 形成的半导体器件能够在高温等极端恶劣的环 境下实现精准测量。 A 3 6 2 0