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微机电系统装置及其形成方法2024

2024-04-16 07:32:22 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN201910629444.4
  • 公开(公告)日:2024-04-12
  • 公开(公告)号:CN111762753A
  • 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:本公开实施例涉及一种微机电系统装置及其形成方法,所述方法包括在第一压电层之上沉积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第一刻蚀,以将第一电极图案转移到硬掩模层。接着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻蚀,以将第一电极图案转移到第一电极层,以及移除硬掩模层。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111762753 A (43)申请公布日 2020.10.13 (21)申请号 201910629444.4 (22)申请日 2019.07.12 (30)优先权数据 16/371,421 2019.04.01 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 王怡人 林宏桦 谢元智  (74)专利代理机构 北京派特恩知识产权代理有 限公司 11270 代理人 薛恒 王琳 (51)Int.Cl. B81C 1/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图12页 (54)发明名称 微机电系统装置及其形成方法 (57)摘要 本公开实施例涉及一种微机电系统装置及 其形成方法,所述方法包括在第一压电层之上沉 积第一电极层。接着在第一电极层之上沉积硬掩 模层。在硬掩模层上形成具有第一电极图案的光 刻胶掩模。使用光刻胶掩模向硬掩模层中进行第 一刻蚀,以将第一电极图案转移到硬掩模层。接 着移除光刻胶掩模。使用硬掩模层进行第二刻 蚀,以将第一电极图案转移到第一电极层,以及 移除硬掩模层。 A 3 5 7 2 6 7 1 1 1 N C CN 111762753 A

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