最新专利

• 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件 公开日期：2024-04-16 公开号：CN111792621A 申请号：CN202010640709.3
  发明 一种圆片级薄膜封装方法及封装器件

  • 申请号：CN202010640709.3
  • 公开号：CN111792621A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

  本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。

  发布时间：2024-04-21 07:27:05

  0

• 用于具有倾斜的光学窗的微机械设备的制造方法和相应的微机械设备 公开日期：2024-04-16 公开号：CN112105580A 申请号：CN201980031200.4
  PCT发明 用于具有倾斜的光学窗的微机械设备的制造方法和相应的微机械设备

  • 申请号：CN201980031200.4
  • 公开号：CN112105580A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明涉及一种用于具有倾斜的光学窗的微机械设备的制造方法和一种相应的微机械设备。所述制造方法包括以下步骤：提供具有前侧(VS)和后侧(RS)的第一衬底(S1)；在所述第一衬底(S1)中形成多个间隔开的通孔(F1、F2)，所述通孔沿着多个间隔开的列(R1、R2)布置在所述第一衬底(S1)中；沿着所述列(R1、R2)中的每一列形成相应的连续的斜的槽(N1、N2)，所述槽确定用于倾斜的光学窗(G1、G2)的支座；并且将所述光学窗(G1、G2)在所述通孔(F1、F2)上方接合到所述槽(N1、N2)中。

  发布时间：2024-04-21 07:26:47

  0

• 平板 公开日期：2024-04-16 公开号：CN112533860A 申请号：CN201980051086.1
  PCT发明 平板

  • 申请号：CN201980051086.1
  • 公开号：CN112533860A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：优志旺电机株式会社

  本发明提供一种平板，具有多条微流路、或形成有多条分支流路的微流路，在通过显微镜观察在微流路中流动的样本时，无需降低该显微镜的倍率，就能够容易地确定观察中的微流路或者分支流路处于哪个位置。该平板在内部具有微流路，其特征在于，具有对该平板的表面方向上的上述微流路的位置进行识别的识别标记。在具有相互独立地形成的多条上述微流路时，上述识别标记优先形成于每条上述微流路，在上述微流路具有与注入样本的注入口连通的源流路、与该源流路连通的多条分支流路时，上述识别标记优先形成于上述源流路以及每条上述分支流路。

  发布时间：2023-06-02 13:10:40

  0

• 一种硅基MEMS封装结构 公开日期：2024-04-16 公开号：CN220788057U 申请号：CN202322483488.5
  实用新型 一种硅基MEMS封装结构

  • 申请号：CN202322483488.5
  • 公开号：CN220788057U
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：上海辰仪测量技术有限公司

  本实用新型涉及MEMS封装结构技术领域，尤其为一种硅基MEMS封装结构，包括基座和传感器，基座顶部设置有封装盖，传感器位于基座上封装盖内部，传感器底部通过固定组件与基座相固定，位于封装盖内传感器上方设置有散热机构，散热机构上方设置有导热机构。本申请从散热、防水等方面进行设计，以较小的封装尺寸进行封装，一定程度上降低了封装成本，以实现最佳的封装性能，通过在封装盖内部设置导热块进行导热，提高总散热面积，通过在封装盖内部设置散热路径，使热气流上升从散热路径孔流经散热板顶部，能够更快地通过散热板，导热块进行导热，提高散热效率，减少了热应力,从而提高了芯片的可靠性和热稳定性，设置密封胶进行密封，提高防水性能。

  发布时间：2024-04-21 07:37:06

  0

• 一种陶瓷基板结构及切割方法 公开日期：2024-04-16 公开号：CN108069386A 申请号：CN201711400342.2
  发明 一种陶瓷基板结构及切割方法

  • 申请号：CN201711400342.2
  • 公开号：CN108069386A
  • 公开日期：2024-04-16
  • 申请人：深圳华美澳通传感器有限公司

  本发明涉及陶瓷基板的加工技术领域，尤其涉及一种陶瓷基板结构及切割方法，陶瓷基板包括本体和工艺边，所述工艺边位于本体的四周，所述本体和工艺边之间设有用于裂板的激光打印线，所述本体内阵列有多个基岛单元，所述基岛单元之间也设有用于裂板的激光打印线，所述基岛单元之间的内部激光打印线仅延伸至工艺边的内边。通过调整激光打印线的加工工艺来解决裂板问题，即所述基岛单元之间的内部激光打印线仅延伸至工艺边的内边，在焊线工序，陶瓷基板加热受压情况下，由于四周的工艺边为一个整体，承受力大增，不易裂板。所述陶瓷基板结构的切割方法可以提高产品的质量和合格率，并且广泛适用于不同型号种类的陶瓷基板。

  发布时间：2024-04-21 07:25:05

  0

• 半导体封装及其制造方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN112897449A 申请号：CN202010666748.0
  发明 半导体封装及其制造方法

  • 申请号：CN202010666748.0
  • 公开号：CN112897449A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：力成科技股份有限公司

  本发明提供一种半导体封装，包括多个第一芯片、多个硅穿孔、至少一绝缘体、第一电路结构以及第一密封体。第一芯片电性连接至多个硅穿孔且包括具有传感区的第一有源面、第一背面以及从第一背面朝向第一有源面延伸的多个通孔。绝缘体配置于第一芯片的第一有源面上。第一电路结构配置于第一芯片的第一背面上且电性连接至多个硅穿孔。第一封装体侧向包封第一芯片。一种半导体封装的制造方法亦被提出。

  发布时间：2023-06-11 12:28:38

  0

• 一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN117865060A 申请号：CN202410051527.0
  发明 一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法

  • 申请号：CN202410051527.0
  • 公开号：CN117865060A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

  本发明公开了一种高性能惯性传感器的工艺制备流程中在线调频方法，包括：提供具有顶部平面和底部平面的第一基板；提供具有上平坦表面的第二基板；将第二基板的一部分从上平坦表面蚀刻，形成多个凸起和浅腔，每个凸起具有上平坦表面；将第一基板的顶部平面结合到凸起的上部平坦表面形成锚固部分；刻蚀掉第一基板的一定位置的氧化物层；从底部表面和/或顶部表面蚀刻第一基板的一部分至第一基板的总厚度，将透明封盖晶圆蚀刻至预定深度以形成顶部凹槽，并将透明封盖晶圆与结构晶圆在高真空条件下使用玻璃料粘结来完成真空键合；顶层封盖完成后进行激光调频。本发明在能够实现晶圆制造流片过程中的在线频率调节，激光调频的可调范围广，调节精度高。

  发布时间：2024-04-16 07:24:23

  0

• 双面超表面结构的制备方法 公开日期：2024-04-12 公开号：CN112408316A 申请号：CN202011314162.4
  发明 双面超表面结构的制备方法

  • 申请号：CN202011314162.4
  • 公开号：CN112408316A
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

  本发明提供一种双面超表面结构的制备方法，包括：提供呈镜像关系标记的第一光刻板及第二光刻板，且标记具有正反对准、正反偏移误差测量及下一工艺步骤对准的功能；提供衬底，并将呈镜像关系标记的图形分别转移至衬底两面，得到第一衬底样品；筛选出偏移误差在需求范围内的第一衬底样品，得到合格的第一衬底样品；将合格的第一衬底样品放入下一步骤所用光刻设备中，识别合格的第一衬底样品上具有下一工艺步骤对准功能的标记，并将双面超表面结构图形版图分别转移至合格的第一衬底样品的正反两面，得到第二衬底样品并刻蚀得到双面超表面结构。采用本方法能够成功制作出高精度对准的双面超表面结构，从而提高双面超表面结构的性能。

  发布时间：2023-05-29 12:23:07

  1

• MEMS设备 公开日期：2024-04-12 公开号：CN220766509U 申请号：CN202321798138.1
  实用新型 MEMS设备

  • 申请号：CN202321798138.1
  • 公开号：CN220766509U
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：意法半导体股份有限公司

  本公开的实施例涉及MEMS设备。MEMS设备包括：半导体主体，限定主腔，并且形成锚固结构；以及第一可变形结构，沿第一轴具有彼此相对的第一端和第二端，第一可变形结构经由第一端而被固定到锚固结构，以被悬置在主腔之上。第二端被配置为相对于锚固结构，沿第二轴振荡。第一可变形结构包括具有第一外表面和第二外表面的主体，以及在第一外表面之上延伸的压电结构。主体包括沿第二轴界定第一掩埋腔的底部部分和顶部部分，第一掩埋腔沿第二轴与压电结构对准，其中主体的顶部部分沿第二轴的最大厚度小于主体的底部部分沿第二轴的最小厚度。

  发布时间：2024-04-16 07:35:12

  0

• 微机电器件 公开日期：2024-04-12 公开号：CN220766508U 申请号：CN202321015454.7
  实用新型 微机电器件

  • 申请号：CN202321015454.7
  • 公开号：CN220766508U
  • 公开日期：2024-04-12
  • 申请人：意法半导体股份有限公司

  本公开的实施例涉及微机电器件。微机电器件包括：半导体主体；腔，被掩埋在半导体主体中；膜，悬置在腔上；以及至少一个防粘滞凸块，被完全包含在腔中，其功能是防止腔内部的膜的侧面粘滞到向下界定腔的相对侧。

  发布时间：2024-04-16 07:33:55

  0