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• 单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN109467044A 申请号：CN201811631727.4
  发明 单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法

  • 申请号：CN201811631727.4
  • 公开号：CN109467044A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：南京潇澳酒业有限公司

  本发明公开了单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法,所述集成CMOS加MEMS的热膜结构微加热器包括：在CMOS结构表面形成的绝热层；在绝热层表面形成的绝缘层Ⅰ；在绝热层及绝缘层Ⅰ上干法刻蚀出用于与电极柱子连接的pad的开口；在绝缘层Ⅰ表面形成的电极柱子；在电极柱子之间形成空腔及悬空加热结构；加热结构由下到上依次为支撑层，绝缘层，台阶结构层，加热层及钝化层；绝缘层覆盖在支撑层上；台阶结构层位于所述绝缘层上；加热层覆盖在含所述支撑层，绝缘层、台阶结构层的复合结构上、并覆盖电极柱子的上表面；钝化层覆盖所述加热层；所述绝热层的CMOS/ASIC电路与电极柱子连接；绝缘层Ⅰ、电极柱子、支撑层共同形成悬空加热器结构的空腔。

  发布时间：2024-04-21 07:53:57

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• MEMS高深宽比结构的形成方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902548A 申请号：CN202311770039.7
  发明 MEMS高深宽比结构的形成方法

  • 申请号：CN202311770039.7
  • 公开号：CN117902548A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：浙江欣芯微机电制造有限公司

  本申请提供一种MEMS高深宽比结构的形成方法，包括：提供硅片；刻蚀所述硅片，形成第一凹槽；在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层，所述氧化层至少覆盖所述第一凹槽的侧壁；在所述硅片表面沉积填充材料，形成至少填充满所述第一凹槽的填充结构；去除所述氧化层，释放出所述填充结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽以所述填充结构的侧壁、所述第一凹槽的侧壁为侧壁。本申请可以实现极小间隙高深宽比结构，同时可以精确控制小间隙尺寸。

  发布时间：2024-04-21 07:45:34

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• 基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902550A 申请号：CN202410075350.8
  发明 基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法

  • 申请号：CN202410075350.8
  • 公开号：CN117902550A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：中国科学院半导体研究所

  本发明提供一种基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法，可以应用于神经科学领域。其特征在于以PEDOT：PSS(聚(3，4‑乙烯二氧噻吩)：聚苯乙烯磺酸)作为记录和传输神经电信号的功能材料，使用薄层绝缘聚合物作为PEDOT：PSS干法刻蚀的掩膜层，实现大面积PEDOT：PSS的图形化，使用面向硅片的反向工艺，实现无损化PEDOT:PSS柔性透明神经电极的大批量制备。本发明提供的制备方法具有工艺简单、易操作、可大批量实现等优点。同时，该基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极分为主要界面区、中间导线区和电极焊接区，主要界面区均使用柔性透明材料，可应用于需要与光成像集成的电生理系统中，具有较好的记录性能和机械性能，便于长期在生物体内进行神经电信号记录。

  发布时间：2024-04-21 07:48:33

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• 一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902545A 申请号：CN202310240136.9
  发明 一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺

  • 申请号：CN202310240136.9
  • 公开号：CN117902545A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：苏州恒芯微电子有限公司

  本发明涉及半导体芯片加工技术领域，且公开了一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺。所述硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺，是在传统的大面积刻蚀技术的基础上，通过光刻技术将待刻蚀区域进行分割，形成分割图案，然后按照分割图案进行网格式分割刻蚀。通过采用网格式分割的刻蚀方法，有效地分割了大面积刻蚀过程中因为负载效应的产生而出现的钻刻现象；也解决了刻蚀的底部平整性差、存在严重的弧度的问题，形成了底部平整、深度均匀的深槽结构；利用干法刻蚀的侧向刻蚀能力，实现网格式的去除；有效提升了芯片的品质和性能。

  发布时间：2024-04-21 07:43:20

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• 一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN116199181A 申请号：CN202310231556.0
  发明 一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法

  • 申请号：CN202310231556.0
  • 公开号：CN116199181A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：清华大学

  本发明属于微纳米表面涂层技术领域，具体涉及一种金属纳米颗粒微图案结构及其制备方法。本发明提供的一种金属纳米颗粒微图案结构的制备方法，包括如下步骤：(1)得到改性纳米颗粒分散液和改性基底；(2)得到表面覆盖金属纳米颗粒自组装层的微图案基底；(3)在目标基底表面制备形成可诱导固化的粘结层，得到粘结基底；(4)将金属纳米颗粒自组装层部分与粘结基底的粘结层部分相贴合压紧，并诱导粘结层固化；(5)将微图案基底的基底进行剥离，即得所需金属纳米颗粒微图案结构。本发明提供的制备方法可以兼顾生产效率高、生产成本低，并且制备得到的金属纳米颗粒微图案结构分辨率且质量高。

  发布时间：2023-06-04 11:16:06

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• 一种二维材料电子器件及其制备方法和应用 公开日期：2024-04-19 公开号：CN112357878A 申请号：CN202011320451.5
  发明 一种二维材料电子器件及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202011320451.5
  • 公开号：CN112357878A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：华东师范大学

  本发明涉及电子器件技术领域，特别涉及一种二维材料电子器件及其制备方法和应用。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：在绝缘衬底的表面从下到上依次制备二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层，得到第一中间产物；所述刻蚀阻挡层的面积分别小于二维材料层和石墨烯层的面积且所述石墨烯层完全包覆所述刻蚀阻挡层；以二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层的重叠区域为起点，在第一中间产物的上表面进行图形化后，根据得到的图形制备金属电极，得到第二中间产物；以金属电极为掩膜版，对第二中间产物中的二维材料层和石墨烯层进行刻蚀，得到二维材料电子器件。本发明通过设置刻蚀阻挡层，保护二维材料层不受刻蚀的影响，从而保证电子器件的电学性能。

  发布时间：2023-05-28 13:39:30

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• 一种磁场传感器和制作工艺方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN108975261A 申请号：CN201811020543.4
  发明 一种磁场传感器和制作工艺方法

  • 申请号：CN201811020543.4
  • 公开号：CN108975261A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：黑龙江大学

  本发明公开了一种磁场传感器及其制作工艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向，以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方便，易于实现，适合大规模工业应用。

  发布时间：2024-04-21 07:53:44

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• 一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902546A 申请号：CN202311760358.X
  发明 一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构

  • 申请号：CN202311760358.X
  • 公开号：CN117902546A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：深圳清力技术有限公司|||清华大学

  综上所述，本申请提供了一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。该控制方法包括提供超滑结构，再对超滑结构施加一扭矩，其中，超滑结构包括超滑滑块和超滑基底。通过直接对超滑滑块施加扭矩的方式，使超滑滑块能够在扭矩的驱动下相对于超滑基底进行转动，不仅实现了滑移面自公度接触状态到非公度接触状态的快速切换，还能够使滑移面以大失配角度远离公度接触状态，提高了滑移面在非公度接触状态下的稳定性。

  发布时间：2024-04-21 07:45:25

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• 具有氢排出层的微机械装置 公开日期：2024-04-19 公开号：CN117902543A 申请号：CN202311349109.1
  发明 具有氢排出层的微机械装置

  • 申请号：CN202311349109.1
  • 公开号：CN117902543A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明涉及一种微机械装置，具有MEMS芯片(100)，所述MEMS芯片具有空穴(120)；具有IC芯片(200)，所述IC芯片具有IC基底(210)和至少一个IC功能层(240)，其中，所述IC芯片与所述MEMS芯片连接，使得所述IC功能层布置在所述IC基底和所述空穴之间。本发明的核心在于，所述IC芯片具有氢排出层(230)，所述氢排出层布置在所述IC功能层和所述空穴之间。

  发布时间：2024-04-21 07:43:51

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• 光学芯片的生产方法 公开日期：2024-04-19 公开号：CN113135547A 申请号：CN202110260479.2
  发明 光学芯片的生产方法

  • 申请号：CN202110260479.2
  • 公开号：CN113135547A
  • 公开日期：2024-04-19
  • 申请人：苏州深水渔半导体有限公司

  本发明公开了一种光学芯片及其生产方法，一种光学芯片，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形。本发明的有益效果：一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，通过改变转轴的形状抑制所受外力导致转轴的向下弯曲变形，从而增大旋转角度的范围。

  发布时间：2023-06-14 13:06:12

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