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• MEMS器件及其形成方法 公开日期：2024-05-24 公开号：CN113460956A 申请号：CN202010239106.2
  发明 MEMS器件及其形成方法

  • 申请号：CN202010239106.2
  • 公开号：CN113460956A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

  本发明提供了一种MEMS器件及其形成方法。通过在第一固定梳齿结构和第二固定梳齿结构之间设置支撑部，从而在键合第二衬底时，不仅可以提高第二衬底的键合表面，并且还可以利用支撑部使得第二衬底能够承受更大的压力，有利于缓解后续工艺中第二衬底容易发生隐裂甚至断裂的问题。以及，在后续工艺中从第一衬底的背面去除支撑部，以在第一固定梳齿结构和第二固定梳齿结构之间形成空腔，进而保障所形成的MEMS器件的性能。

  发布时间：2024-06-01 07:34:05

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• 微机电装置 公开日期：2024-05-24 公开号：CN118062801A 申请号：CN202211482141.2
  发明 微机电装置

  • 申请号：CN202211482141.2
  • 公开号：CN118062801A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：世界先进积体电路股份有限公司

  一种微机电(MEMS)装置，包含具有空腔的基底，以及设置在空腔上且附着于基底的微机电结构。微机电结构包含复数个悬臂部分，其中每个悬臂部分包含自由端和锚端。此外，微机电装置还包含设置在微机电结构上方的膜片，且膜片包含复数个突出部，分别连接到悬臂部分的自由端。另外，微机电装置还包含位于微机电结构和膜片之间的间隙，此间隙围绕这些突出部。

  发布时间：2024-06-01 07:18:31

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• 像素级封装结构及其制备方法 公开日期：2024-05-24 公开号：CN118062803A 申请号：CN202410193732.0
  发明 像素级封装结构及其制备方法

  • 申请号：CN202410193732.0
  • 公开号：CN118062803A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：安徽光智科技有限公司

  提供一种像素级封装结构及其制备方法。像素级封装结构包括像元结构以及封装结构，像元结构包括读出电路衬底和焦平面像素单元阵列，焦平面像素单元阵列位于读出电路衬底上，焦平面像素单元阵列包括热敏层；封装结构包括封装盖帽结构，封装盖帽结构设置在读出电路衬底上并封盖焦平面像素单元阵列，封装盖帽结构设置有上下贯通的排气孔，排气孔位于焦平面像素单元阵列的上方；封装结构还包括密封增透层；密封增透层覆盖在封装盖帽结构上并封堵排气孔，且密封增透层在上下方向的投影涵盖焦平面像素单元阵列的热敏层。在同一沉积过程中的密封增透层不仅实现增透层的沉积而且实现排气孔的密封，减少了工艺步骤，降低了成本。

  发布时间：2024-06-01 07:23:52

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• 微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备 公开日期：2024-05-24 公开号：CN117842926A 申请号：CN202410258763.X
  发明 微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备

  • 申请号：CN202410258763.X
  • 公开号：CN117842926A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司

  本发明提供了一种微差压传感器、封装结构、测试方法及电子设备，其中，所述微差压传感器包括MEMS芯片，MEMS芯片包括以层叠方式设置的基底、振膜以及背极板，背极板包括相互隔离的第一电极区域和第二电极区域，第一电极区域构成第一电极，第二电极区域构成第二电极，振膜构成第三电极，第一电极与第三电极构成第一电容，第二电极与第三电极构成第二电容；通过第一电连接端向第一电极施加电压激励信号或者高电压信号等方式，驱使振膜产生形变，以改变振膜和背极板之间的间距，来模仿加气流检测；然后通过第三电连接端输出感测到的所述第二电容的变化量，以根据第一预设阈值确定MEMS芯片是否处于劣化状态。

  发布时间：2024-04-11 07:36:54

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• 壳体 公开日期：2024-05-24 公开号：CN118076556A 申请号：CN202280067943.9
  PCT发明 壳体

  • 申请号：CN202280067943.9
  • 公开号：CN118076556A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：肖特股份有限公司

  示出了一种壳体，该壳体至少包括：具有外表面的第一基板和具有外表面的第二基板，其中第一基板和第二基板彼此相邻地布置，使得第一基板的内表面与第二基板的内表面相邻，其中第二基板至少部分地和/或至少对于一波长带宽是透明的；以及至少一个激光焊接区，其包含位于壳体中的信息图案，其中至少一个激光焊接区从第一基板内延伸到第二基板内，并且将第一基板永久地接合到第二基板。

  发布时间：2024-06-01 07:19:26

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• 基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法 公开日期：2024-05-24 公开号：CN115304022A 申请号：CN202210802816.0
  发明 基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法

  • 申请号：CN202210802816.0
  • 公开号：CN115304022A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：武汉大学

  本发明公开了一种基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法。本发明通过调控团簇离子束的组分原子能、衬底法线与团簇离子轰击方向之间的夹角、团簇离子剂量、团簇离子种类、衬底温度等工艺参数，即可高效可控制备出尺寸均匀、方向特定、排列有序的纳米结构。特征尺寸低至6nm，超低纳米级特征尺寸助力于半导体小型化、集成化的技术发展方向。本发明技术操作简单、高效可控，基于物理溅射机理，不涉及化学反应，不存在化学污染的问题，且无需额外使用掩模版，适用于任何材质的衬底。

  发布时间：2024-05-26 07:01:06

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• 微机电装置及其压电复合叠层 公开日期：2024-05-24 公开号：CN118062802A 申请号：CN202211479296.0
  发明 微机电装置及其压电复合叠层

  • 申请号：CN202211479296.0
  • 公开号：CN118062802A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：世界先进积体电路股份有限公司

  一种微机电(MEMS)装置，包含具有空腔的基底，以及设置在空腔上且附着于基底的微机电结构。微机电结构包含至少一第一压电层，具有第一压电系数，以及两个第二压电层，分别设置在第一压电层的下方和上方，其中每个第二压电层具有高于第一压电系数的第二压电系数。此外，微机电结构还包含第一电极层和第二电极层，将两个第二压电层夹在中间。

  发布时间：2024-06-01 07:18:24

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• 纸芯片及其制备方法 公开日期：2024-05-24 公开号：CN118062804A 申请号：CN202211496658.7
  发明 纸芯片及其制备方法

  • 申请号：CN202211496658.7
  • 公开号：CN118062804A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：中国科学院半导体研究所

  本公开提供了一种纸芯片及其制备方法，可应用于微流控芯片技术领域。其制备方法包括：S1、将预先设计的亲疏水图案进行加工，得到具有所述亲疏水图案的图案化的夹具模板；S2、将聚合物倒入所述图案化的夹具模板中，分别得到上层图案化夹具和下层图案化夹具；S3、将滤纸固定在所述上层图案化夹具和所述下层图案化夹具之间，得到夹有所述滤纸的装配体；S4、将所述夹有所述滤纸的装配体进行蒸镀；以及S5、取出所述装配体，得到具有所述亲疏水图案的纸芯片。该制备方法具有操作简单，低成本、安全无毒，环境友好等优点。

  发布时间：2024-06-01 07:18:52

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• 一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法 公开日期：2024-05-24 公开号：CN112919405A 申请号：CN202110108281.2
  发明 一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法

  • 申请号：CN202110108281.2
  • 公开号：CN112919405A
  • 公开日期：2024-05-24
  • 申请人：中北大学|||南通高等研究院

  本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。

  发布时间：2023-06-11 12:46:16

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• 具有应力解耦结构的MEMS器件 公开日期：2024-05-21 公开号：CN118056778A 申请号：CN202311545922.6
  发明 具有应力解耦结构的MEMS器件

  • 申请号：CN202311545922.6
  • 公开号：CN118056778A
  • 公开日期：2024-05-21
  • 申请人：英飞凌科技股份有限公司

  本公开涉及具有应力解耦结构的MEMS器件。提出了一种MEMS器件(100)，该MEMS器件(100)包括具有内膜区段(112)和外膜区段(114)的悬置膜结构(110)。外膜区段(114)围绕内膜区段(112)。膜结构(110)包括在外膜区段(114)中的可弹性形变的弹簧结构(116)，其中弹簧结构(116)被布置为将悬置膜结构(110)中的热致压缩应力转换为弹簧位移。

  发布时间：2024-05-23 07:20:19

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