一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902545 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202310240136.9 (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 苏州恒芯微电子有限公司 地址 215000 江苏省苏州市自由贸易试验 区苏州片区苏州工业园区星湖街218 号生物纳米园A4楼109C、110A室 (72)发明人 王丹丹　陈迎迎　刘彤　 (74)专利代理机构 北京国源中科知识产权代理 事务所(普通合伙) 16179 专利代理师 戈余丽 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干 法刻蚀工艺 (57)摘要 本发明涉及半导体芯片加工技术领域，且公 开了一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干 法刻蚀工艺。所述硅基mems芯片大面积背腔深刻 蚀的干法刻蚀工艺，是在传统的大面积刻蚀技术 的基础上，通过光刻技术将待刻蚀区域进行分 割，形成分割图案，然后按照分割图案进行网格 式分割刻蚀。通过采用网格式分割的刻蚀方法， 有效地分割了大面积刻蚀过程中因为负载效应 的产生而出现的钻刻现象；也解决了刻蚀的底部 平整性差、存在严重的弧度的问题，形成了底部 平整、深度均匀的深槽结构；利用干法刻蚀的侧 A 向刻蚀能力，实现网格式的去除；有效提升了芯 5 片的品质和性能。 4 5 2 0 9