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发明

单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法2024

2024-04-21 07:53:57 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201811631727.4
  • 公开（公告）日：2024-04-19
  • 公开（公告）号：CN109467044A
  • 申请人：南京潇澳酒业有限公司
摘要：本发明公开了单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备方法,所述集成CMOS加MEMS的热膜结构微加热器包括：在CMOS结构表面形成的绝热层；在绝热层表面形成的绝缘层Ⅰ；在绝热层及绝缘层Ⅰ上干法刻蚀出用于与电极柱子连接的pad的开口；在绝缘层Ⅰ表面形成的电极柱子；在电极柱子之间形成空腔及悬空加热结构；加热结构由下到上依次为支撑层，绝缘层，台阶结构层，加热层及钝化层；绝缘层覆盖在支撑层上；台阶结构层位于所述绝缘层上；加热层覆盖在含所述支撑层，绝缘层、台阶结构层的复合结构上、并覆盖电极柱子的上表面；钝化层覆盖所述加热层；所述绝热层的CMOS/ASIC电路与电极柱子连接；绝缘层Ⅰ、电极柱子、支撑层共同形成悬空加热器结构的空腔。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109467044 A (43)申请公布日 2019.03.15 (21)申请号 201811631727.4 (22)申请日 2018.12.29 (71)申请人 杭州北芯传感科技有限公司 地址 311258 浙江省杭州市萧山区经济技 术开发区启迪路198号B-3A02-20 (72)发明人 李晓波　蒋一博　 (74)专利代理机构 北京方安思达知识产权代理 有限公司 11472 代理人 王宇杨 (51)Int.Cl. B81B 7/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) B81C 1/00(2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图7页 (54)发明名称 单片集成的CMOS加MEMS的微加热器及制备 方法 (57)摘要 本发明公开了单片集成的CMOS加MEMS的微 加热器及制备方法,所述集成CMOS加MEMS的热膜 结构微加热器包括：在CMOS结构表面形成的绝热 层；在绝热层表面形成的绝缘层Ⅰ；在绝热层及绝 缘层Ⅰ上干法刻蚀出用于与电极柱子连接的pad 的开口；在绝缘层Ⅰ表面形成的电极柱子；在电极 柱子之间形成空腔及悬空加热结构；加热结构由 下到上依次为支撑层，绝缘层，台阶结构层，加热 层及钝化层；绝缘层覆盖在支撑层上；台阶结构 层位于所述绝缘层上；加热层覆盖在含所述支撑

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