一种磁场传感器和制作工艺方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108975261 A (43)申请公布日 2018.12.11 (21)申请号 201811020543.4 (22)申请日 2018.09.03 (71)申请人 黑龙江大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路74号 (72)发明人 赵晓锋　宋灿　温殿忠　张洪泉　 (74)专利代理机构 北京康思博达知识产权代理 事务所(普通合伙) 11426 代理人 刘冬梅　路永斌 (51)Int.Cl. B81B 1/00(2006.01) B81B 7/02(2006.01) B81C 1/00(2006.01) G01R 33/00(2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 一种磁场传感器和制作工艺方法 (57)摘要 本发明公开了一种磁场传感器及其制作工 艺，所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片 (2)，在所述第一硅片(1)上设置有一个呈立体结 构的硅磁敏三极管，在所述第一硅片(1)和第二 硅片(2)上分别设置一个聚/导磁微结构(4)，其 中，所述聚/导磁微结构(4)使得非磁敏感方向的 磁场聚集和传导至硅磁敏三极管的磁敏感方向， 以进行测量。本发明所述的磁场传感器，结构简 单，体积小，集成化程度高，其制作工艺操作方 便，易于实现，适合大规模工业应用。 A