一种二维材料电子器件及其制备方法和应用

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112357878 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011320451.5 (22)申请日 2020.11.23 (71)申请人 华东师范大学 地址 200241 上海市闵行区东川路500号 (72)发明人 吴幸　夏银　骆晨　 (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 代理人 赵晓琳 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种二维材料电子器件及其制备方法和应 用 (57)摘要 本发明涉及电子器件技术领域，特别涉及一 种二维材料电子器件及其制备方法和应用。本发 明提供的制备方法，包括以下步骤：在绝缘衬底 的表面从下到上依次制备二维材料层、刻蚀阻挡 层和石墨烯层，得到第一中间产物；所述刻蚀阻 挡层的面积分别小于二维材料层和石墨烯层的 面积且所述石墨烯层完全包覆所述刻蚀阻挡层； 以二维材料层、刻蚀阻挡层和石墨烯层的重叠区 域为起点，在第一中间产物的上表面进行图形化 后，根据得到的图形制备金属电极，得到第二中 间产物；以金属电极为掩膜版，对第二中间产物 A 中的二维材料层和石墨烯层进行刻蚀，得到二维 8 材料电子器件。本发明通过设置刻蚀阻挡层，保 7 8 7 护二维材料层不受刻蚀的影响，从而保证电子器 5 3 2 件的电学性能。 1 1 N C CN 112357878 A 权　利　要　求　书