MEMS高深宽比结构的形成方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902548 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311770039.7 (22)申请日 2023.12.21 (71)申请人 浙江欣芯微机电制造有限公司 地址 313200 浙江省湖州市德清县志远北 路457号 (72)发明人 赵聪　李航　孔伟鑫　 (74)专利代理机构 北京中微知著知识产权代理 事务所 (特殊普通合伙) 16136 专利代理师 郭士超 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 MEMS高深宽比结构的形成方法 (57)摘要 本申请提供一种MEMS高深宽比结构的形成 方法，包括：提供硅片；刻蚀所述硅片，形成第一 凹槽；在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层， 所述氧化层至少覆盖所述第一凹槽的侧壁；在所 述硅片表面沉积填充材料，形成至少填充满所述 第一凹槽的填充结构；去除所述氧化层，释放出 所述填充结构，形成第二凹槽，所述第二凹槽以 所述填充结构的侧壁、所述第一凹槽的侧壁为侧 壁。本申请可以实现极小间隙高深宽比结构，同 时可以精确控制小间隙尺寸。 A 8 4 5 2 0 9 7 1 1 N C CN 117902548 A 权　利　要　求　书 1/1页