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• 一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法 公开日期：2024-06-18 公开号：CN114348951A 申请号：CN202210018515.9
  发明 一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法

  • 申请号：CN202210018515.9
  • 公开号：CN114348951A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：中国人民解放军国防科技大学

  本发明公开了一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法，硅敏感单元包括外框、复合梁结构与质量块组件；复合梁结构包含梁应力释放结构、敏感梁和位移限制梁，梁应力释放结构的两侧通过敏感梁与外框相连、两端通过位移限制梁与外框相连；两个敏感梁、两个位移限制梁以梁应力释放结构为中心呈十字对称结构位于质量块组件间隔的镂空槽内；外框包含缓冲止挡结构。本发明应用于硅微传感器技术领域，增设位移限制梁与缓冲止挡结构，在不影响微加速度计工作模态下，位移限制梁可以在微加速度计受到冲击时提升敏感梁的刚度和整个敏感单元的刚性，外框上的缓冲止挡结构可在质量块与外框产生碰撞时进行阻挡与缓冲保护，提高了微加速度计抗过载性能。

  发布时间：2023-05-09 09:49:01

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• 一种自定义金属微纳米片的制备方法 公开日期：2024-06-18 公开号：CN113148945A 申请号：CN202110269495.8
  发明 一种自定义金属微纳米片的制备方法

  • 申请号：CN202110269495.8
  • 公开号：CN113148945A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：西湖大学

  本发明公开了一种自定义金属微纳米片的制备方法，清洗衬底之后旋涂有机胶材料，通过微纳加工技术设计结构、制备掩模，蒸镀金属，去除有机胶材料，在金属结构和衬底之间形成间隙层，利用锥形探针转移金属结构。通过微纳加工技术制备所得金属结构，操作简便，对所需结构的可控性、可重复性高，制备所得的结构具有原子级平整的低粗糙度表面，避免附带杂质，洁净度极高。

  发布时间：2023-06-15 07:18:05

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• 一种微机电系统及其制备方法 公开日期：2024-06-18 公开号：CN113120850A 申请号：CN201911408207.1
  发明 一种微机电系统及其制备方法

  • 申请号：CN201911408207.1
  • 公开号：CN113120850A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：华为技术有限公司

  本发明提供了一种微机电系统MEMS装置，包括：第一固定梳齿，第二固定梳齿，支撑梁，活动平台和活动梳齿；其中：所述第一固定梳齿和第二固定梳齿固定在基板上，所述第一固定梳齿和第二固定梳齿之间电学隔离；所述支撑梁的两端固定在基板上，所述活动平台连接在支撑梁上；所述活动梳齿连接在所述活动平台上，并与所述第一固定梳齿和第二固定梳齿形成三层梳齿结构。这样的结构提高了MEMS装置的驱动效率。

  发布时间：2023-06-14 12:57:24

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• 一种MEMS器件真空封装方法 公开日期：2024-06-18 公开号：CN117049470A 申请号：CN202311047725.1
  发明 一种MEMS器件真空封装方法

  • 申请号：CN202311047725.1
  • 公开号：CN117049470A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：北京中科格励微科技有限公司

  本说明书实施例提供一种MEMS器件真空封装方法，包括获取一SOI晶圆；在SOI晶圆上制备MEMS结构得到包括可动结构的MEMS结构晶圆；获取一硅晶圆或一SOI晶圆并制备凹槽结构得到盖板晶圆；将MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行非贴合对准以形成微型预备腔，可动结构容置于微型预备腔内；将MEMS结构晶圆和盖板晶圆置于键合设备中以重复进行抽气、充气、抽气操作；对MEMS结构晶圆和盖板晶圆进行键合以使微型预备腔形成微型气密腔得到键合片；将键合片置于加热设备中，以使微型气密腔内残留的气体逃逸或使其与微型气密腔内壁面和可动结构表面反应生成膜层。本方法工艺简单，能够提高器件中微型气密腔的真空度，提高器件品质。

  发布时间：2023-11-16 08:00:48

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• 一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器 公开日期：2024-06-18 公开号：CN116654862A 申请号：CN202310566663.9
  发明 一种双振动模式的单芯片MEMS三维电场传感器

  • 申请号：CN202310566663.9
  • 公开号：CN116654862A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：北京科技大学

  本发明公开了一种双振动模式的单芯片MEMS(Micro Electro Mechanical System，微机电系统)三维电场传感器，包括衬底和设置在衬底上的固定感应单元、可动屏蔽单元以及压电驱动单元；其中，固定感应单元与外部检测电路电连接；可动屏蔽单元与压电驱动单元机械连接，压电驱动单元与外部驱动电路电连接；在驱动电压的控制下，可动屏蔽单元在压电驱动单元的带动下，按照两种振动模式相对于固定感应单元振动，从而将被测三维电场信息以感应电流的方式输出，由外部检测电路根据固定感应单元输出的感应电流，计算得到被测三维电场。本发明可以实现三维电场测量，利于三维电场传感器的微型化。

  发布时间：2023-08-31 08:42:07

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• MEMS热泡打印头加热结构的制作方法 公开日期：2024-06-11 公开号：CN114684777A 申请号：CN202011611436.6
  发明 MEMS热泡打印头加热结构的制作方法

  • 申请号：CN202011611436.6
  • 公开号：CN114684777A
  • 公开日期：2024-06-11
  • 申请人：上海新微技术研发中心有限公司

  本发明提供一种MEMS热泡打印头加热结构的制作方法，包括：基底，基底表面具有下绝缘层；电阻材料层及导电材料层，形成于基底上；第一腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，第一腐蚀槽的侧壁呈具有第一倾角的斜面；腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，腐蚀槽的侧壁呈具有第二倾角的斜面；第一刻蚀槽，形成于第一腐蚀槽显露的电阻材料层中；以及第二刻蚀槽，形成于腐蚀槽显露的电阻材料层中。本发明可大大提高加热结构刻蚀均匀性，并有效节约成本。

  发布时间：2023-05-14 12:22:35

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• 一种基于硝化石墨烯的氨气传感器及其制备方法 公开日期：2024-06-11 公开号：CN113816334A 申请号：CN202110915113.4
  发明 一种基于硝化石墨烯的氨气传感器及其制备方法

  • 申请号：CN202110915113.4
  • 公开号：CN113816334A
  • 公开日期：2024-06-11
  • 申请人：广西师范大学

  本发明公开了一种基于硝化石墨烯的氨气传感器及其制备方法，通过在所述基底沉积金属结构，再采用湿法刻蚀技术将石墨烯转移至金属结构表面，接着利用光刻技术以及等离子去胶机设备去除多余部分石墨烯，实现图案化石墨烯，将形成的石墨烯器件置于硝酸溶液中，控制硝酸浓度、处理温度及时间等制备参数，获得所述的基于硝化石墨烯的氨气传感器，制备的传感器结构简单，成本低廉，同时具有灵敏度高、响应速度快、重复性好、常温下工作、测量浓度下限低等特点，解决了现有技术中石墨烯氨气传感器存在的技术问题。

  发布时间：2023-07-06 10:56:10

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• 一种压电微机械执行器 公开日期：2024-06-11 公开号：CN113135548A 申请号：CN202110423690.1
  发明 一种压电微机械执行器

  • 申请号：CN202110423690.1
  • 公开号：CN113135548A
  • 公开日期：2024-06-11
  • 申请人：广州蜂鸟传感科技有限公司

  本发明公开了一种压电微机械执行器，属于压电微机械技术领域，解决了现有技术中的压电微机械执行器在工作中输出位移性能受限的问题，本发明包括基座，所述基座内部连接有对称的两个驱动台，所述两个驱动台分别连接有两弹簧梁，两弹簧梁连接有同一位移台，所述位移台的底面上连接有质量块，位移台与基座相对的两侧上开设有多个通气槽，所述通气槽相对的基座上连接有与通气槽数量匹配的调节柱。本发明设计了质量块/位移台、弹簧梁、驱动台为核心的三级位移放大机构，提高了压电微机械执行器的输出性能。

  发布时间：2023-06-14 13:07:16

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• 具有气密空腔的微机电装置 公开日期：2024-06-11 公开号：CN113120851A 申请号：CN201911390433.1
  发明 具有气密空腔的微机电装置

  • 申请号：CN201911390433.1
  • 公开号：CN113120851A
  • 公开日期：2024-06-11
  • 申请人：财团法人工业技术研究院

  本发明公开一种具有气密空腔的微机电装置，其中该微机电装置包括一基板、一固定电极、一可动电极及一加热器。基板包含一上表面、一内底面及一内侧面。内侧面环绕且连接内底面。内侧面及内底面定义一凹槽。固定电极设置于内底面。可动电极覆盖凹槽。可动电极、内底面及内侧面定义一气密空腔。加热器位于可动电极上且位于气密空腔上方。

  发布时间：2023-06-14 12:56:36

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• MEMS热泡打印头加热结构及其制作方法 公开日期：2024-06-11 公开号：CN114684776A 申请号：CN202011609090.6
  发明 MEMS热泡打印头加热结构及其制作方法

  • 申请号：CN202011609090.6
  • 公开号：CN114684776A
  • 公开日期：2024-06-11
  • 申请人：上海新微技术研发中心有限公司

  本发明提供一种MEMS热泡打印头加热结构及其制作方法，包括：基底，基底表面具有下绝缘层；电阻材料层及导电材料层，形成于基底上；第一腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，第一腐蚀槽的侧壁呈具有第一倾角的斜面；第二腐蚀槽，形成于导电材料层中并显露电阻材料层，第二腐蚀槽的侧壁呈具有第二倾角的斜面；第一刻蚀槽，形成于第一腐蚀槽显露的电阻材料层中；以及第二刻蚀槽，形成于第二腐蚀槽显露的电阻材料层中。本发明利用第二层掩膜进行先湿法腐蚀后干法刻蚀的方法，使需要进行干法刻蚀的膜层厚度一致，保证了下绝缘层的过刻蚀深度在较小的厚度范围，下绝缘层过刻蚀深度小于1000埃米，大大提高了刻蚀均匀性。

  发布时间：2023-05-14 12:22:22

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