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• MEMS驱动器件及其形成方法 公开日期：2024-07-05 公开号：CN113233411A 申请号：CN202110485548.X
  发明 MEMS驱动器件及其形成方法

  • 申请号：CN202110485548.X
  • 公开号：CN113233411A
  • 公开日期：2024-07-05
  • 申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

  本发明提供了一种MEMS驱动器件及其形成方法。通过在第一衬底或第二衬底上设置固定件，以用于在刻蚀形成可动梳齿结构的过程中，固定微机械结构进而限制可动梳齿结构中的各个梳齿发生扭转，改善梳齿侧壁受到刻蚀损伤的问题。并且，在第一衬底上对应于微机械结构还设置有止挡件，该止挡件可用于限制微机械结构的最大扭转角度，以防止在外力冲击下微机械结构发生断裂的问题。

  发布时间：2023-06-17 07:09:16

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• 一种复合功能MEMS器件结构及其制造方法 公开日期：2024-07-05 公开号：CN114715836A 申请号：CN202210390856.9
  发明 一种复合功能MEMS器件结构及其制造方法

  • 申请号：CN202210390856.9
  • 公开号：CN114715836A
  • 公开日期：2024-07-05
  • 申请人：苏州感芯微系统技术有限公司

  本发明公开了一种复合功能MEMS器件结构，包括MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件，两者集成制备在同一个衬底上。包括由下到上依次层叠的衬底、隔离层、下背极、第一间隙层、振膜、第二间隙层、上背极；所述MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件分列左右两部分；MEMS电容器部分的衬底、隔离层、第一间隙层、第二间隙层、上背极的中部对应设置通孔；下背极、上背极中部设置声孔；MEMS静电语音压力敏感膜器件部分的衬底、隔离层、下背极、第一间隙层、第二间隙层的中部对应设置通孔。本发明利用MEMS微机电加工技术将MEMS电容器和MEMS静电语音压力敏感膜器件集成制备在一个衬底上。节省封装空间，降低采购成本。

  发布时间：2023-05-15 11:27:29

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• 基于MEMS的压电式仿生耳蜗纤毛感受器及其加工方法 公开日期：2024-07-05 公开号：CN112194096A 申请号：CN202011131772.0
  发明 基于MEMS的压电式仿生耳蜗纤毛感受器及其加工方法

  • 申请号：CN202011131772.0
  • 公开号：CN112194096A
  • 公开日期：2024-07-05
  • 申请人：中北大学

  本发明公开了一种基于MEMS的压电式仿生耳蜗纤毛感受器及其加工方法，涉及MEMS在助听方面的应用技术领域，压电式仿生耳蜗纤毛感受器，包括基底和聚丙烯纤毛，基底包括金属铜上电极、聚偏氟乙烯薄膜与金属铝下电极，聚偏氟乙烯薄膜位于金属铜上电极与金属铝下电极之间，三者固定连接且外围呈方框状，外围的方框内部其中一对相对的边之间为波浪形状的纤毛固定梁，聚丙烯纤毛垂直固定于纤毛固定梁的中心处。本发明通过刻蚀以及腐蚀等工艺在上下具有金属电极铜和铝的PVDF薄膜上进行蚀刻，可以有效提高传感器的电压信号输出并且在体积更小，功耗更低的基础上实现耳蜗基底膜的频率分选功能，而且加工工艺简单，加工成本低廉。

  发布时间：2023-05-25 12:07:59

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• 一种基于黑磷辅助的二氧化钒/掺杂硅组合的高效非接触光子热二极管 公开日期：2024-07-02 公开号：CN112938890A 申请号：CN202110201441.8
  发明 一种基于黑磷辅助的二氧化钒/掺杂硅组合的高效非接触光子热二极管

  • 申请号：CN202110201441.8
  • 公开号：CN112938890A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：哈尔滨工业大学

  一种基于黑磷辅助的二氧化钒/掺杂硅组合的高效非接触光子热二极管。本发明属于热调整器领域。本发明的目的是为了解决现有热二极管系统热整流系数较低，整流效果差，并且其整流能力一旦设定则无法调整，缺乏主动的可调性的技术问题。本发明的光子热二极管由热流正向端口复合异质结构和热流反向端口复合异质结构构成，且二者之间具有真空间隙并平行设置，所述热流反向端口复合异质结构由上至下依次为反向端基底、反向端热致色变层、反向端黑磷层；所述热流正向端口复合异质结构由上至下依次为正向端黑磷层、正向端内膜、正向端基底，所述反向端热致色变层为二氧化钒薄膜，所述正向端内膜为P型掺杂硅膜层。本发明的光子热二极管整流效果好。

  发布时间：2023-06-11 12:59:15

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• 一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构 公开日期：2024-07-02 公开号：CN112158792A 申请号：CN202011001239.2
  发明 一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构

  • 申请号：CN202011001239.2
  • 公开号：CN112158792A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：浙江大学

  本发明涉及传感器芯片封装领域，尤其涉及一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构，包括MEMS传感器芯片和管壳，传感器芯片底部两端设有金属层区域，管壳腔体底部两端也设有对应的金属层区域；传感器芯片底部一端金属层与管壳腔体底部一端金属层粘接，芯片底部另一端金属层与管壳腔体底部另一端金属层仅接触但不粘接；为阻止粘接材料高温封装时溢向另一侧金属层区域，在传感器芯片底部两侧金属层之间，靠近其中一侧设有凹槽；MEMS传感器芯片仅底部一端与管壳封装为一体，另一端呈自由状态，且芯片与管壳侧壁留有一定的间隙，保证了高温封装时，芯片材料有一定裕度的膨胀空间，从而将传感器的封装应力降低到最小。

  发布时间：2023-05-24 13:15:54

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• 一种微区域光致动器 公开日期：2024-07-02 公开号：CN117088326A 申请号：CN202311067941.2
  发明 一种微区域光致动器

  • 申请号：CN202311067941.2
  • 公开号：CN117088326A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：东华大学

  一种微区域光致动器，属于微纳加工和微纳致动领域，具体涉及一种新型的弹性体微结构阵列，包含光响应材料，可通过投射来进行远程局部光致动，致动效果表现在得以实现操控微结构软致动器阵列中特定的微结构笔来进行分子打印。笔可响应于光照情况进行大于14μm的可逆面外运动，可进行高质量、高精度、可重复的分子打印行为。

  发布时间：2023-11-24 07:19:50

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• 一种使用SOI圆片制作MEMS驱动臂的方法 公开日期：2024-07-02 公开号：CN113120847A 申请号：CN201911402850.3
  发明 一种使用SOI圆片制作MEMS驱动臂的方法

  • 申请号：CN201911402850.3
  • 公开号：CN113120847A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：无锡微文半导体科技有限公司

  一种使用SOI圆片制作电热式MEMS驱动臂的方法，包括如下步骤：步骤1）、选择SOI圆片作为衬底1；步骤2）、对顶硅层1‑3进行离子掺杂形成低阻硅，作为加热电阻层4；步骤3）、在加热电阻层4上制作绝缘材料作为绝缘层5；步骤4）、在绝缘层5上制作高热膨胀系数的材料作为第一结构层6；步骤5）、刻蚀衬底1的底部至氧埋层1‑2；步骤6）、在衬底1的上部按照预先设计的MEMS驱动臂形状进行正面图形化刻蚀；最终完成该电热式MEMS驱动臂的制作，其中步骤5）和步骤6）可以互换。优点：硅既作为结构层的同时，又作为加热层，免除了还要做加热层的麻烦，采用离子注入的方法制作加热层，简化了电热式MEMS驱动臂的加热层的工艺步骤，提高了效率。

  发布时间：2023-06-14 12:57:08

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• 一种利用图形化衬底压印制备石墨烯纳米网的方法 公开日期：2024-07-02 公开号：CN113104809A 申请号：CN202110377003.7
  发明 一种利用图形化衬底压印制备石墨烯纳米网的方法

  • 申请号：CN202110377003.7
  • 公开号：CN113104809A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：德州学院

  本发明涉及一种利用图形化衬底压印制备石墨烯纳米网的方法，其主要步骤包括：衬底/Gr制备、图形化衬底的清洗、衬底/Gr与图形化衬底的组装、压印、脱模和GNM表征。对比现有的GNM制备方法，本发明利用图形化衬底中的凸起图案在压印过程中将Gr穿透，可实现快速、大面积、均匀、低成本、高孔隙率、低缺陷GNM的制备。根据图形化衬底的选取，可实现多种图案及尺寸的GNM制备。另外，本发明所采用的方法普适性高，可以迁移至除Gr以外其他二维材料如MoS2、BN等纳米网的制备。

  发布时间：2023-06-14 12:52:07

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• 晶片级封装件和制造方法 公开日期：2024-07-02 公开号：CN112262100A 申请号：CN201980037782.7
  PCT发明 晶片级封装件和制造方法

  • 申请号：CN201980037782.7
  • 公开号：CN112262100A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：RF360新加坡私人有限公司

  一种晶片级封装件包括具有第一表面的功能晶片、连接到第一表面上布置的器件焊盘的器件结构。具有内表面和外表面的盖晶片利用内表面被键合到功能晶片的第一表面。围绕器件结构的框架结构被布置在功能晶片与盖晶片之间。连接柱将第一表面上的器件焊盘连接到内表面上的内部盖焊盘。导电过孔被引导穿过盖晶片，连接盖晶片的内表面上的内部盖焊盘和外表面上的封装焊盘。

  发布时间：2023-05-28 12:02:42

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• 一种光学微纳结构的制备方法 公开日期：2024-07-02 公开号：CN113120857A 申请号：CN202110400994.6
  发明 一种光学微纳结构的制备方法

  • 申请号：CN202110400994.6
  • 公开号：CN113120857A
  • 公开日期：2024-07-02
  • 申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

  本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。

  发布时间：2023-06-14 13:01:30

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