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• 一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法 公开日期：2024-06-28 公开号：CN112938894A 申请号：CN202110264919.1
  发明 一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法

  • 申请号：CN202110264919.1
  • 公开号：CN112938894A
  • 公开日期：2024-06-28
  • 申请人：中北大学

  本发明涉及MEMS器件的抗冲击防护技术，具体是一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法。本发明解决了冲击过程中产生的应力波容易导致MEMS器件无法正常工作的问题。一种多层次立体化的MEMS器件抗冲击防护结构的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：步骤一：溅射第一金属电极层；步骤二：刻蚀形成硅凹槽；步骤三：将硅片的下表面与玻璃基底的上表面键合；步骤四：对硅片进行减薄；步骤五：释放MEMS器件的硅微结构；步骤六：刻蚀形成玻璃凹槽，刻蚀形成玻璃通孔；步骤七：将玻璃盖板的下表面与硅片的上表面键合；步骤八：溅射第二金属电极层；步骤九：包覆应力波内阻隔层；步骤十：包覆应力波外阻隔层。本发明适用于MEMS器件的抗冲击防护。

  发布时间：2023-06-11 13:00:44

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• 微结构流体流动控制装置 公开日期：2024-06-25 公开号：CN112340690A 申请号：CN202010787650.0
  发明 微结构流体流动控制装置

  • 申请号：CN202010787650.0
  • 公开号：CN112340690A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会

  本发明涉及一种微结构流体流动控制装置，该装置具有基板，其第一基板侧布置有压电致动第一膜片，基板具有流体通道，流体通道在第一基板侧和与其相对的第二基板侧之间延伸穿过基板。另外，微结构流体流动控制装置还包括延伸穿过流体通道的微型阀和第二膜片，微型阀被构造为在未致动状态下闭合流体通道，第二膜片布置在第一基板侧上且与第一膜片隔开，并且布置在流体通道和压电致动第一膜片之间。根据本发明，第二膜片与微型阀连结，并且朝向第一膜片机械地偏置，从而向微型阀施加偏置力(FV)，其中偏置力(FV)是使微型阀在未致动状态下闭合流体通道的回复力(FR)的一部分。

  发布时间：2023-05-28 13:22:06

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• 一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN113371674A 申请号：CN202110593586.7
  发明 一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法

  • 申请号：CN202110593586.7
  • 公开号：CN113371674A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：杭州电子科技大学温州研究院有限公司|||杭州电子科技大学

  本发明公开了一种宽量程压力传感器芯片及其单片集成制备方法。现有的压力传感器芯片存在线性度和灵敏度低以及量程较窄的问题。本发明涉及压阻式压力传感器的单片微加工制备。该压力传感器主要由真空腔室、压力敏感膜以及由四个压阻形成的惠斯通电桥构成。其中，压力敏感膜由硅膜和聚酰亚胺膜构成，这种新型的硅‑聚酰亚胺复合压敏膜一方面可以通过增加膜厚来增大压力传感器的测量范围，另一方面通过刚性和柔性的结合可以提高压力传感器的灵敏度和线性度。当外界压力变化时，硅膜和聚酰亚胺膜的共同形变引起压阻的阻值变化并使得惠斯通电桥的输出电压改变。

  发布时间：2023-06-23 07:43:55

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• 一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法 公开日期：2024-06-25 公开号：CN117430079A 申请号：CN202311464577.3
  发明 一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法

  • 申请号：CN202311464577.3
  • 公开号：CN117430079A
  • 公开日期：2024-06-25
  • 申请人：中国计量科学研究院

  本发明公开了一种基于自组装材料图案化微纳关键尺寸及其制备方法，硫醇SAM制备条件简单、结构稳定有序，在表面改性、电化学、生物传感器、分子电子学等诸多领域均有应用，且研究较为深入，本发明也因其稳定有序的结构特点，将其作为自组装单层物质的制备材料，硫醇分子由巯基、碳链、官能团组成，以正烷硫醇为例，官能团为甲基，使其具有疏水性；巯基对衬底产生吸附作用，在自组装过程中最为重要；碳链的长度决定了最终形成的SAM层的厚度，碳原子成“之”字形排列，形成全反式构象，使其具有热力学稳定性，且链之间的相互吸引力有助于稳定自组装膜结构，所制备的自组装材料具有均匀性和稳定性好的特点。

  发布时间：2024-01-26 08:52:52

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• 高真空状态下薄壳器件盖板组合式拾取机构 公开日期：2024-06-21 公开号：CN114084870A 申请号：CN202111553884.X
  发明 高真空状态下薄壳器件盖板组合式拾取机构

  • 申请号：CN202111553884.X
  • 公开号：CN114084870A
  • 公开日期：2024-06-21
  • 申请人：西北电子装备技术研究所（中国电子科技集团公司第二研究所）

  本发明公开了一种高真空状态下薄壳器件盖板组合式拾取机构，解决了如何完成薄壳器件盖板在真空环境下精确拾取并保证盖板在放下过程中不会受冲击力而发生变形的问题。在直线电机的向下输出轴上连接一个浮动的薄壳类盖板的拾取模具，通过直线电机向下输出轴的轴端与轴端套筒的浮动配合，克服拾取模具与被拾取的薄壳类盖板之间的接触冲击力，并在浮动的拾取模具与直线电机的密封腔体下端设置波纹管管套，实现对接触冲击力的二次吸收；另外，在拾取模具与直线电机的密封腔体之间设置方形愣柱导向杆，起到了有效防止拾取模具在拾取薄壳类盖板时发生转动现象的发生，从而大大提高了拾取的定位准确率，为后续工艺进行奠定了定位基础。

  发布时间：2023-04-26 10:06:56

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• 一种MEMS器件制造方法及MEMS器件 公开日期：2024-06-21 公开号：CN113735055A 申请号：CN202110822242.9
  发明 一种MEMS器件制造方法及MEMS器件

  • 申请号：CN202110822242.9
  • 公开号：CN113735055A
  • 公开日期：2024-06-21
  • 申请人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司

  本发明涉及一种MEMS器件制造方法及MEMS器件，选用SOI绝缘体硅片作为衬底，通过SOI顶层硅与作为结构层的硅晶圆进行硅‑硅键合，使整个制造工艺可以兼容VHF工艺；在形成疏水有机膜之前，先在需要去除疏水有机膜的区域淀积一层牺牲层二氧化硅，在形成疏水有机膜后，可以借助VHF工艺将键合区和电极区上的二氧化硅牺牲层刻蚀掉，去除二氧化硅的同时也一并将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，而其他区域需要保留的疏水有机膜则不会受到影响。本发明所公开的制造方法工艺简单、可实施性强、能够同时将键合区和电极区上的疏水有机膜去除干净，且不会对其他区域保留下来的疏水有机膜造成破坏。

  发布时间：2023-07-03 10:44:24

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• MEMS器件的制备方法及MEMS器件 公开日期：2024-06-21 公开号：CN118062806A 申请号：CN202410464965.X
  发明 MEMS器件的制备方法及MEMS器件

  • 申请号：CN202410464965.X
  • 公开号：CN118062806A
  • 公开日期：2024-06-21
  • 申请人：芯联集成电路制造股份有限公司

  本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供器件基板，其第一表面侧形成有第一器件结构、第二器件结构、以及凸起结构；提供封盖基板，其第三表面侧形成有第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、以及连通通道；在第一外部环境下将封盖基板与器件基板键合，第一凹槽形成为第一空腔，第二凹槽形成为第二空腔，第三凹槽容纳凸起结构且二者之间存在空隙，第一空腔通过连通通道与空隙连通，第一空腔与第二空腔之间不连通；在封盖基板上形成通孔，通孔与空隙连通；在第二外部环境下形成密封层，密封层填充空隙和/或连通通道以使第一空腔被密封。由此，在同一基板上实现了两种具有不同气压要求的器件的封装，且密封难度较低、密封效果好。

  发布时间：2024-06-01 07:30:09

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• 基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法 公开日期：2024-06-21 公开号：CN114572930A 申请号：CN202210206942.X
  发明 基于MEMS工艺微尺度流动换热高精度集成测试方法

  • 申请号：CN202210206942.X
  • 公开号：CN114572930A
  • 公开日期：2024-06-21
  • 申请人：北京航空航天大学

  基于MEMS工艺的微尺度流动换热高精度集成测试方法，包括：基于MEMS工艺的实验件加工；测试系统的集成；本发明通过玻璃激光打孔和硅晶圆的等离子体刻蚀技术，完成测压点的原位引出测量，避免了局部压力损失；利用金属电阻温度系数特性，通过电阻变化测量当前薄膜热电阻处的温度大小，将薄膜热电阻置于加热膜上方，使其更加贴近通道壁面，获得的温度数据更加准确；通过多层晶圆键合技术，将带测压孔的玻璃片、带微通道及测温热电阻的上硅片、带加热膜的下硅片进行分别依次进行多晶圆依次键合，保证微通道的密封性以及带金属薄膜硅表面的精确对准键合，结合测试系统的集成最终实现了测压、测温、加热与可视化的一体化设计。

  发布时间：2023-05-12 11:54:43

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• 一种传感器的硅硅键合真空封装工艺 公开日期：2024-06-21 公开号：CN117602575A 申请号：CN202311609406.5
  发明 一种传感器的硅硅键合真空封装工艺

  • 申请号：CN202311609406.5
  • 公开号：CN117602575A
  • 公开日期：2024-06-21
  • 申请人：山东中科思尔科技有限公司

  本发明涉及传感器的封装技术领域，具体公开一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。本发明的工艺通过在真空条件下对导气槽进行填充密封，解决了硅硅熔融键合无法实现高真空密封的问题。进一步地，本发明采用在所述密封孔中置入焊锡材质的球体，然后加热使所述焊锡材质的球体的表层熔化，并与所述Ti/Au复合层浸润结合的方式解决了密封可靠性差的问题，提升了传感器的耐压强度。本发明的工艺无需使用吸气剂，解决了吸气剂高温失活和清洗活化工艺兼容性差的问题；避免了传统采用吸气剂真空封装方法在高低温冲击后的裂纹、金属颗粒污染等问题，提升了器件的长期可靠性。

  发布时间：2024-03-02 07:57:42

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• 传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端 公开日期：2024-06-18 公开号：CN112794278A 申请号：CN202011642988.3
  发明 传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端

  • 申请号：CN202011642988.3
  • 公开号：CN112794278A
  • 公开日期：2024-06-18
  • 申请人：瑞声声学科技（深圳）有限公司

  本发明提供一种传感器封装结构、传感器封装结构制作方法和电子终端，传感器封装结构包括封装盖板、固定于封装盖板的声电转换芯片、固定于声电转换芯片远离封装盖板一侧表面并与声电转换芯片电连接的处理芯片、吸气结构以及与吸气结构电连接的激活吸气结构的电连接件。处理芯片设有第一通孔，电连接件设置在第一通孔内。处理芯片上设有开口朝向声电转换芯片的凹槽，吸气结构设置在凹槽内。处理芯片以及声电转换芯片连接形成第一腔，吸气结构用于吸收第一腔内的空气。封装盖板以及声电转换芯片连接形成第二腔，封装盖板设有与第二腔连通的第二通孔。该传感器封装结构有利于提高传感器的性能。

  发布时间：2023-06-07 12:31:22

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