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• 一种可变MEMS微波滤波器 公开日期：2024-05-31 公开号：CN113184798A 申请号：CN202110236597.X
  发明 一种可变MEMS微波滤波器

  • 申请号：CN202110236597.X
  • 公开号：CN113184798A
  • 公开日期：2024-05-31
  • 申请人：浙江水利水电学院

  本发明公开了一种可变MEMS微波滤波器，涉及无线通电硬件设备技术领域，包括有微波滤波器，所述微波滤波器包括上层硅片、下层硅片、谐振器电极、MEMS开关第一电极、MEMS开关第二电极以及氮化硅膜，所述下层硅片安装于上层硅片下方，所述谐振器电极、MEMS开关第一电极以及MEMS开关第二电极均设置于下层硅片与上层硅片之间，且谐振器电极末端串联MEMS开关第一电极以及MEMS开关第二电极。本发明通过设置MEMS开关第一电极以及MEMS开关第二电极，满足了减小体积的目的，实现不同的频率以及带宽；通过设置氮化硅膜，实现良好的接地作用；通过设置谐振器电极提高系统的集成度，降低了制作成本。

  发布时间：2023-06-16 07:17:04

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• 一种纳米锥形阵列结构及其制备方法 公开日期：2024-05-31 公开号：CN112591707A 申请号：CN202011482916.7
  发明 一种纳米锥形阵列结构及其制备方法

  • 申请号：CN202011482916.7
  • 公开号：CN112591707A
  • 公开日期：2024-05-31
  • 申请人：南方科技大学

  本发明涉及一种纳米锥形阵列结构及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)利用超快激光对基底进行加工，之后清洗得到中间基底；(2)将步骤(1)得到的中间基底进行等离子体刻蚀，得到所述纳米锥形阵列结构。本发明提供的方法，采用超快激光在表面制备微纳结构，在等离子体刻蚀过程中并利用微掩模效应在微纳结构区域的增强效果，即利用现有技术中缺陷制备了高深宽比的纳米锥阵列结构，该方法兼容性好、制备区域灵活可控，可极大提升纳米锥阵列结构的制备工艺精度。

  发布时间：2023-06-02 14:01:23

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• 一种高密度低噪声刚柔结合神经探针及其制备方法 公开日期：2024-05-31 公开号：CN114014252A 申请号：CN202111287899.6
  发明 一种高密度低噪声刚柔结合神经探针及其制备方法

  • 申请号：CN202111287899.6
  • 公开号：CN114014252A
  • 公开日期：2024-05-31
  • 申请人：杭州电子科技大学温州研究院有限公司|||杭州电子科技大学

  本发明公开了一种高密度低噪声刚柔结合神经探针及其制备方法。目前，大部分的柔性神经探针虽然具有良好的生物相容性，但其存在植入时的精准定位问题。而刚性探针虽然能够快速精准植入，却与组织的生物相容性较差。本发明拟提出一种骨架具有刚性、边缘具有柔性的高密度低噪声刚柔结合神经探针。通过探针局部柔软和整体刚性的设计，在实现精准快速植入的同时，还可以抑制炎症反应，提升植入式神经探针的使用寿命。通过在相邻记录通道导线之间设置接地导线，能够有效降低记录通道之间的信号串扰，在实现高通量的同时，还能提高记录神经信号的信噪比。

  发布时间：2023-04-25 09:28:25

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• 带腔体器件的气密封装结构和制造方法 公开日期：2024-05-31 公开号：CN113830724A 申请号：CN202111175740.5
  发明 带腔体器件的气密封装结构和制造方法

  • 申请号：CN202111175740.5
  • 公开号：CN113830724A
  • 公开日期：2024-05-31
  • 申请人：美新半导体（无锡）有限公司

  本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构和制造方法，带腔体器件的气密封装结构包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于半导体部件和盖板之间；第一腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；第二腔体，其位于半导体部件和盖板之间且被部分密封；若干第一通孔，其贯穿盖板至第一腔体；若干第二通孔，其贯穿盖板至第二腔体；第一密封层，其设置于盖板远离所述半导体部件的一侧表面，以密封所述若干第一通孔；第二密封层，其设置于所述第一密封层远离所述盖板的一侧表面，以密封所述若干第二通孔。与现有技术相比，本发明可以为带腔体器件提供更高的真空度，且不同芯片气压的均匀度好，进而提高带腔体器件的性能，改善良率。

  发布时间：2023-07-07 07:05:03

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• 一种气流监测芯片封装结构 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027686U 申请号：CN202322525092.2
  实用新型 一种气流监测芯片封装结构

  • 申请号：CN202322525092.2
  • 公开号：CN221027686U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：广东矽格半导体科技有限公司

  本实用新型公开了一种气流监测芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，包括封装底座，封装底座的顶端设置有封装罩壳，封装底座的顶端且位于封装罩壳内设置有气流传感芯片，封装底座与封装罩壳之间设置有密封组件，密封组件包括设置在封装底座顶端的环形凹槽，且封装罩壳的底部延伸至环形凹槽内，环形凹槽与封装罩壳的底部之间设置有密封胶；封装罩壳的顶端设置有第一气孔，封装底座内设置有第二气孔，封装罩壳的一端设置有气孔开关调节机构，且气孔开关调节机构的一端延伸至气流传感芯片的侧边。本实用新型可以根据不同的使用场景和需求进行调节，在不使用时，避免了外界有害物质的侵入，延长了气流传感芯片的使用寿命。

  发布时间：2024-06-01 08:21:31

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• 用于制造MEMS器件的方法和系统 公开日期：2024-05-28 公开号：CN118103321A 申请号：CN202280067110.2
  PCT发明 用于制造MEMS器件的方法和系统

  • 申请号：CN202280067110.2
  • 公开号：CN118103321A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：应美盛股份有限公司

  一种器件包括衬底和金属间电介质(IMD)层，IMD层被设置在衬底上方。该器件还包括第一多个多晶硅层，该第一多个多晶硅层被设置在IMD层上方并被设置在凸部挡块上方。该器件还包括第二多个多晶硅层，该第二多个多晶硅层被设置在IMD层内。该器件包括具有第一侧和第二侧的经图案化的致动器层，其中经图案化的致动器层的第一侧加衬有多晶硅层，并且其中经图案化的致动器层的第一侧面向凸部挡块。该器件进一步包括：支座，该支座在IMD层上方形成；过孔，该过孔穿过支座从而与致动器的多晶硅层、以及第二多个多晶硅层的部分电接触；以及接合材料，该接合材料被设置在经图案化的致动器层的第二侧上。

  发布时间：2024-06-01 07:53:01

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• 一种改良联结结构的MEMS芯片 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027690U 申请号：CN202322933087.5
  实用新型 一种改良联结结构的MEMS芯片

  • 申请号：CN202322933087.5
  • 公开号：CN221027690U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：苏州感测通信息科技有限公司

  本实用新型揭示了一种改良联结结构的MEMS芯片，与MEMS芯片、衬底基板及ASIC芯片一体封装相关联，特别在该MEMS芯片的底部生成有一个以上凸点，并以凸点为联结点，与衬底基板相连成一体。应用本MEMS芯片的结构微调，并使固结点强度接近芯片材料本身特性，提高了联结可靠性，降低了胶水粘接及衬底基板热膨胀系数差异导致的残余应力对芯片变形及输出特性的影响。

  发布时间：2024-06-01 08:34:07

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• 宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027689U 申请号：CN202322305782.7
  实用新型 宽调谐范围的可调谐MEMS-VCSEL

  • 申请号：CN202322305782.7
  • 公开号：CN221027689U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：吉光半导体科技有限公司

  本实用新型涉及激光器技术领域，具体提供一种宽调谐范围的可调谐MEMS‑VCSEL，在常规VCSEL结构上设计了分段式的MEMS结构，MEMS单元包括两个功能区，每个功能区内均包括一个空气层，并通过调整相应的厚度控制层，对两个空气层的厚度进行改变，通过对两个功能区进行电压驱动，使MEMS悬臂产生形变，改变谐振腔长，进而实现对输出波长的调谐，通过分别控制两个MEMS功能区，悬臂可实现向上和向下的弯曲，有效的扩大了在MEMS悬臂的最大位移范围，即提高了波长调谐范围。本实用新型扩大了MEMS悬臂部分可实现的最大位移范围，解决了在小气隙厚度下MEMS结构调谐范围受限的问题。

  发布时间：2024-06-01 08:18:07

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• 一种键合引线连接结构 公开日期：2024-05-28 公开号：CN221027687U 申请号：CN202322677155.6
  实用新型 一种键合引线连接结构

  • 申请号：CN202322677155.6
  • 公开号：CN221027687U
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：中冶赛迪技术研究中心有限公司

  本实用新型属于半导体封装技术领域，具体公开了一种键合引线连接结构，包括：支撑板，支撑板上设有多个焊盘，焊盘上均设有第一引脚；芯片，芯片固定连接在支撑板上，芯片上设有多个与第一引脚对应的第二引脚，第一引脚与第二引脚引线连接，引线与第一引脚和第二引脚的连接区域为连接区；复合层，复合层设置在连接区，复合层从下至上为连接层、耐温层和绝缘层，本实用新型通过设置的复合层能够实现引脚与引线的稳定连接，提升芯片的使用寿命，而设置的护壳便于复合层的设置，同时对芯片进行保护，能够进一步增加芯片的使用寿命。

  发布时间：2024-06-01 08:26:29

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• 一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法 公开日期：2024-05-28 公开号：CN110526198A 申请号：CN201810509553.8
  发明 一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法

  • 申请号：CN201810509553.8
  • 公开号：CN110526198A
  • 公开日期：2024-05-28
  • 申请人：深圳先进技术研究院

  本发明适用于柔性压力传感器技术领域，公开了一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法。柔性压力传感器包括PDMS柔性基底层、碳纳米管薄膜和PDMS柔性薄膜层，所述PDMS柔性基底层具有微结构，所述微结构呈球面凸起状，所述PDMS柔性基底层具有所述微结构的一面覆盖有所述碳纳米管薄膜，且所述碳纳米管薄膜位于所述PDMS柔性基底层和所述PDMS柔性薄膜层之间，所述碳纳米管薄膜连接有电极。制造方法用于制造上述柔性压力传感器。本发明所提供的一种基于半球形微结构的柔性压力传感器及其制造方法，其提高了柔性压力传感器的测量范围、灵敏度以及减少响应时间。

  发布时间：2024-06-01 08:11:18

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