一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计及制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115057406 A (43)申请公布日 2022.09.16 (21)申请号 202210396176.8 (22)申请日 2022.04.15 (71)申请人 山东大学 地址 250013 山东省青岛市即墨区滨海路 72号 (72)发明人 陶继方　张子超　 (74)专利代理机构 青岛华慧泽专利代理事务所 (普通合伙) 37247 专利代理师 刘娜 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) F16L 59/02 (2006.01) G01L 21/12 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图9页 (54)发明名称 一种基于蛇形多孔硅隔热层的MEMS真空计 及制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于蛇形多孔硅隔热层 的MEMS真空计及制备方法，该真空计包括真空计 主体和键合于其上方的硅帽，真空计主体包括由 下到上依次设置的硅衬底、掩膜层一、绝缘介质 层一和铂金电极；硅衬底上通过电化学刻蚀方法 形成蛇形多孔硅隔热层，蛇形多孔硅隔热层上方 依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，相邻的蛇 形多孔硅隔热层之间的硅衬底上依次沉积有掩 膜层二和绝缘介质层一；硅帽位于蛇形多孔硅隔 热层的上方，并与真空计主体形成检测腔体，硅 帽具有空气微流道。本发明所公开的