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• 一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114804007A 申请号：CN202210397408.1
  发明 一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法

  • 申请号：CN202210397408.1
  • 公开号：CN114804007A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：山东大学

  本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法，该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极，所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上；所述硅衬底上通过电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层，所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方，并与所述真空计主体形成检测腔体，所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题，能够增强MEMS真空计的鲁棒性，提高在实际工作环境中的稳定性。

  发布时间：2023-05-17 11:58:26

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• 一种多孔薄膜吸气剂结构及其制备方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN113772618A 申请号：CN202111091412.7
  发明 一种多孔薄膜吸气剂结构及其制备方法

  • 申请号：CN202111091412.7
  • 公开号：CN113772618A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：安徽光智科技有限公司

  本发明公开了多孔薄膜吸气剂结构，包括晶圆和薄膜吸气剂，晶圆上表面具有凹槽结构，凹槽结构的内壁均为多孔结构，薄膜吸气剂覆盖多孔结构。还公开了该结构的制备方法，采用干法或湿法刻蚀联合金颗粒辅助刻蚀三维薄膜吸气剂结构，在制备的凹槽结构上制备多孔结构以增大薄膜吸气剂沉积面积及沉积体量，从而有效增加薄膜吸气剂的吸气性能和使用寿命；通过蒸镀‑剥离工艺沉积的金膜在高温快速退火的工艺条件下可在凹槽的侧壁和基底形成分布均匀的金颗粒，利用退火后的金颗粒进行刻蚀工艺，在侧壁刻蚀出均匀分布的多孔结构，进而增大吸气剂薄膜和侧壁、底部衬底的粘附性，避免发生吸气剂脱落、损坏器件等现象。

  发布时间：2023-07-05 07:08:54

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• 基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114906798A 申请号：CN202210484915.9
  发明 基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法

  • 申请号：CN202210484915.9
  • 公开号：CN114906798A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：强一半导体（苏州）股份有限公司

  本发明涉及一种基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法，包括以下步骤；制备玻璃MASK；根据封装基板制作玻璃MASK，在封装基板的金属PAD的地方做透光处理；对封装基板进行有机清洗；在金属PAD上制作金属种子层；制作光刻胶膜，采用匀胶、光刻、显影的方式制作光刻胶膜；步骤S5,对带有光刻胶膜的金属PAD进行烘烤和Plasma处理；电镀铜；有机清洗去除基板表面的光刻胶；对金属种子层进行离子束刻蚀；上PI胶，进行PI胶匀胶和固化操作；采用CMP化学机械抛光工艺，露出金属PAD。本发明提供了一种基于MEMS加工工艺在封装基板表面长铜柱的方法，将低于阻焊层的金属PAD长高，并凸出阻焊层，提高了探针卡组装的成功率。

  发布时间：2023-05-20 11:03:05

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• 具有电极和电介质的MEMS装置 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114655917A 申请号：CN202111569951.7
  发明 具有电极和电介质的MEMS装置

  • 申请号：CN202111569951.7
  • 公开号：CN114655917A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：美商楼氏电子有限公司

  本公开涉及具有电极和电介质的MEMS装置。MEMS装置可以包括第一支撑层、第二支撑层和悬置在第一支撑层与第二支撑层之间的固体电介质。固体电介质可以相对于第一支撑层和第二支撑层移动，并且可以包括多个孔。MEMS装置可以包括第一多个电极，所述第一多个电极联接到第一支撑层和第二支撑层并且延伸穿过所述多个孔的第一子集。MEMS装置可以包括第二多个电极，所述第二多个电极联接到第一支撑层并且部分地延伸到所述多个孔的第二子集中。MEMS装置可以包括第三多个电极，所述第三多个电极联接到所述第二支撑层并且部分地延伸到所述多个孔的第三子集中。

  发布时间：2023-05-14 11:55:46

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• MEMS器件、包括MEMS器件的组件，以及操作MEMS器件的方法 公开日期：2024-11-05 公开号：CN114269680A 申请号：CN202080057896.0
  PCT发明 MEMS器件、包括MEMS器件的组件，以及操作MEMS器件的方法

  • 申请号：CN202080057896.0
  • 公开号：CN114269680A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会

  提供了一种MEMS器件，MEMS器件包括层堆叠，层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至少一个第二层。在第二层中形成腔。MEMS器件进一步包括在腔内横向间隔开布置的两个横向可偏转元件。两个横向可偏转元件中的每一个包括连接至腔的侧壁的相应端部。另外，MEMS器件包括连接元件，连接元件连接至两个横向可偏转元件，以便耦接两个横向可偏转元件的移动。多个第一指状物在腔的侧壁上、离散地间隔布置在两个横向可偏转元件之间。进一步地，多个第二指状物在连接元件上、离散地间隔布置在两个横向可偏转元件之间。多个第二指状物与多个第一指状物交错。进一步地，在两个可横向偏转元件变形时，多个第二指状物能相对于多个第一指状物横向移位，使得多个第一指状物和多个第二指状物在腔内限定多个体积可变的子腔。多个子腔中的每一个经由相应的开口与MEMS器件的环境流体接触。在多个子腔的相邻子腔的情况下，相邻子腔中的一个子腔的相应开口形成在第一层、第二层和第三层中与相邻子腔中的另一个子腔的开口不同的层中。

  发布时间：2023-05-05 09:30:21

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• MEMS器件、包括MEMS器件的组件以及用于操作MEMS器件的方法 公开日期：2024-11-05 公开号：CN114728781A 申请号：CN201980102175.4
  PCT发明 MEMS器件、包括MEMS器件的组件以及用于操作MEMS器件的方法

  • 申请号：CN201980102175.4
  • 公开号：CN114728781A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会

  提供了一种MEMS器件，MEMS器件包括层堆叠，层堆叠具有形成在第一层与第三层之间的至少一个第二层。在第二层中形成至少一个第一腔。MEMS器件还包括可横向偏转元件，可横向偏转元件具有自由端部以及连接到第一腔的侧壁的端部。此外，MEMS器件包括无源元件，无源元件刚性地拴系至可横向偏转元件的自由端部，以跟随可横向偏转元件的移动。可横向偏转元件和无源元件将第一腔分成第一子腔和第二子腔。第一子腔经由至少一个第一开口与MEMS器件的环境流体接触。此外，第二子腔经由至少一个第二开口与MEMS器件的环境流体接触。至少一个第一开口形成在第一层和第三层的、与至少一个第二开口不同的层中。

  发布时间：2023-05-15 11:15:57

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• 一种微纳金属三维结构的加工仪器 公开日期：2024-11-05 公开号：CN112441554A 申请号：CN201910814031.3
  发明 一种微纳金属三维结构的加工仪器

  • 申请号：CN201910814031.3
  • 公开号：CN112441554A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：中国科学院微电子研究所

  本发明涉及一种微纳金属三维结构的加工仪器，包括：本体，本体包括容置腔；原料及靶材装配模块，设置在容置腔的一端，贯穿容置腔内外，用于提供原料以及靶材；制备金属结构层模块，制备金属结构层模块设置于容置腔的底端，具体包括：光敏材料形成模块、固化处理模块、去除模块、第一金属形成模块、第二金属形成模块，制备金属结构层模块用于形成N层金属结构层，每层金属结构层具体包括图形化的第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层的材料不同；牺牲金属释放模块，牺牲金属释放模块用于去除每层金属结构层中的第一金属层或第二金属层，获得微纳金属三维结构，大幅度提高微纳三维金属结构的制备效率，更提高了加工的可靠性。

  发布时间：2023-06-02 12:06:12

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• MEMS密封腔结构及其制备方法 公开日期：2024-11-05 公开号：CN114180514A 申请号：CN202111472312.9
  发明 MEMS密封腔结构及其制备方法

  • 申请号：CN202111472312.9
  • 公开号：CN114180514A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：瑞声声学科技（深圳）有限公司

  本发明提供了一种MEMS密封腔结构，包括基底；上盖，盖设固定于基底并与基底共同围成空腔；泄漏孔，贯穿上盖设置，并将空腔与外界连通；密封盖板，贴合固定于上盖的外表面并完全覆盖泄漏孔，以使泄漏孔密封；密封帽，包括压设于密封盖板远离泄漏孔一侧的帽本壁以及由帽本壁向靠近上盖方向延伸并抵接固定于上盖的帽侧壁，帽侧壁呈环状并与密封盖板的周侧贴合；帽本壁沿泄漏孔的泄漏方向向上盖的正投影完全位于上盖范围内；沿垂直于泄漏方向，帽侧壁的外周侧较帽本壁的外周侧更靠近密封盖板。本发明还提升一种MEMS密封腔结构的制备方法。与相关技术相比，本发明的MEMS密封腔结构的制备方法及MEMS密封腔结构，其密封可靠性更好。

  发布时间：2023-04-28 09:48:31

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• 一种基于电场驱动下的薄膜的剥离方法及应用 公开日期：2024-11-05 公开号：CN116119606A 申请号：CN202310134434.X
  发明 一种基于电场驱动下的薄膜的剥离方法及应用

  • 申请号：CN202310134434.X
  • 公开号：CN116119606A
  • 公开日期：2024-11-05
  • 申请人：中国科学院力学研究所

  本发明实施例公开了一种基于电场驱动下的薄膜的剥离方法，包括：在黏附于导电基底的薄膜的至少部分受限边界条件处滴加电解质溶液；将电解质溶液与电源的第一电极电性连接，导电基底与电源的第二电极连接，通过第一电极与第二电极施加外加电场，电解质溶液在外加电场的作用下沿薄膜的受限边界铺展；电解质溶液侵入薄膜与导电基底的界面结合层，将薄膜从导电基底上的抬升与剥离。本发明基于电场操控液体的动态特性，通过电场力克服薄膜张力及界面结合力，从而使得电解质溶液能够侵入薄膜和导电基底的界面结合层中，对薄膜进行抬升并剥离。该方法不受预留空白区的局限，且能有效并完全地实现对黏附的薄膜的完全剥离。

  发布时间：2023-05-18 12:21:11

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• MEMS腔体结构的形成方法 公开日期：2024-11-01 公开号：CN114314501A 申请号：CN202111630653.4
  发明 MEMS腔体结构的形成方法

  • 申请号：CN202111630653.4
  • 公开号：CN114314501A
  • 公开日期：2024-11-01
  • 申请人：瑞声声学科技（深圳）有限公司

  本发明涉及半导体技术领域，并提供一种MEMS腔体结构的形成方法，可以提高关于MEMS结构的功能稳定性和可靠性的MEMS集成和封装的工艺良率。该方法包括步骤：在底层上形成粘附材料层；在所述粘附材料层上形成支撑结构和在由所述支撑结构围成的空间中填充牺牲层；在所述支撑结构和所述牺牲层上形成封盖层，所述底层、所述支撑结构和所述封盖层共同形成腔体；以及释放所述牺牲层和所述粘附材料层，以形成所述腔体结构。

  发布时间：2023-05-06 10:03:59

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