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PCT发明

制造微结构的方法

2022-10-24 10:20:59 发布于四川 8
  • 申请专利号：CN202080092268.6
  • 公开（公告）日：2025-09-02
  • 公开（公告）号：CN114945533A
  • 申请人：梅姆斯塔有限公司
摘要：提供了一种制造微结构的方法，所述方法包括采用氟化氢(HF)蒸气蚀刻二氧化硅(SiO2)牺牲层，然后去除在HF蒸气蚀刻所述二氧化硅层时形成的残留层。所述残留层可以包含硅、铵盐或碳，并且公开了用于去除这些层的多种技术。这些技术可以同时应用于或依次应用于所述微结构。因此，与本领域已知的那些技术相比，所描述的方法制造的微结构表现出减少的残留物水平。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114945533 A (43)申请公布日 2022.08.26 (21)申请号 202080092268.6 (74)专利代理机构 北京汇知杰知识产权代理有 限公司 11587 (22)申请日 2020.11.12 专利代理师 杨巍　柴春玲 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 1916586.9 2019.11.14 GB B81C 1/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2022.07.06 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/GB2020/052885 2020.11.12 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2021/094762 EN 2021.05.20 (71)申请人 梅姆斯塔有限公司 地址 英国洛锡安 (72)发明人 A ·欧哈拉　 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 制造微结构的方法 (57)摘要 提供了一种制造微结构的方法，所述方法包 括采用氟化氢(HF)蒸气蚀刻二氧化硅(Si

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