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发明

一种MEMS硅应变片的分离方法

2023-06-30 07:01:14 发布于四川 5
  • 申请专利号：CN202210511520.3
  • 公开（公告）日：2023-05-16
  • 公开（公告）号：CN115028139A
  • 申请人：美满芯盛（杭州）微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种MEMS硅应变片的分离方法，其包括以下步骤：1)准备硅衬底晶圆，使用刻蚀工艺在所述硅衬底晶圆上刻蚀出空腔；2)使用硅硅直接键合工艺，在所述空腔表面键合一片硅片，通过减薄或抛光工艺，形成顶硅层；3)采用半导体微纳制造工艺将硅应变片的压阻、介质层和金属焊盘加工在所述顶硅层上；4)使用光刻或干法刻蚀工艺，刻蚀出硅应变片，使硅应变片将沉入所述空腔底部；5)采用去胶工艺将光刻胶去除，并且将带有空腔的硅衬底晶圆作为硅应变片存放及运输的载具。本发明可以解决在晶圆上加工完成的硅应变片，由于其尺寸小、厚度薄、结构脆弱，很难高效、高良率的从晶圆上分离下来以及分离下来后，难存放、运输的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115028139 A (43)申请公布日 2022.09.09 (21)申请号 202210511520.3 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人 美满芯盛（杭州）微电子有限公司 地址 311231 浙江省杭州市萧山区经济技 术开发区桥南春晖路1号-8（自主分 割） (72)发明人 李文翔　王敏锐　 (74)专利代理机构 苏州瑞光知识产权代理事务 所(普通合伙) 32359 专利代理师 李亭亭 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种MEMS硅应变片的分离方法 (57)摘要 本发明公开了一种MEMS硅应变片的分离方 法，其包括以下步骤：1)准备硅衬底晶圆，使用刻 蚀工艺在所述硅衬底晶圆上刻蚀出空腔；2)使用 硅硅直接键合工艺，在所述空腔表面键合一片硅 片，通过减薄或抛光工艺，形成顶硅层；3)采用半 导体微纳制造工艺将硅应变片的压阻、介质层和 金属焊盘加工在所述顶硅层上；4)使用光刻或干 法刻蚀工艺，刻蚀出硅应变片，使硅应变片将沉 入所述空腔底部；5)采用去胶工艺将光刻胶去 除，并且将带有空腔的硅衬底晶圆作为硅应变片 存放及运输的载具。本发明可以解决在晶圆上加 工完成的硅应变片，由于其尺寸小、厚度薄、结构 A

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