金属微结构及半导体器件的制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115043375 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210752447.9 (22)申请日 2022.06.28 (71)申请人 上海积塔半导体有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国上海浦 东新区自由贸易试验区临港新片区云 水路600号 (72)发明人 冷国庆　邢会锋　陈倩　尹静娟　 刘建华　张水平　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 罗泳文 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 金属微结构及半导体器件的制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种新型的金属微结构的制 备方法，该制备方法通过设置掺杂硅玻璃层，在 掺杂硅玻璃层上形成自上向下宽度增大的沉积 槽，并将掺杂硅玻璃层作为金属剥离的阻挡层， 使掺杂硅玻璃层与其上金属层一起被剥离，将需 要保留的金属微结构粘附在基底上。一方面，本 发明在金属层沉积前就把光阻层完全去除，可以 有效避免金属层及金属层沉积机台被光阻等有 机材料的污染，另一方面，本发明采用的金属剥 离工艺与传统的半导体工艺及设备具备良好的 工艺兼容性，不需要增加专用机台，对关键机台 不会引入有机污染，且在金属沉积过程中可使用 A 高温(≥150℃)沉积工艺，可大大提高金属层的 5 制备窗口。 7 3