发明

基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法

2024-05-26 07:01:06 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210802816.0
  • 公开(公告)日:2024-05-24
  • 公开(公告)号:CN115304022A
  • 申请人:武汉大学
摘要:本发明公开了一种基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳米结构的方法。本发明通过调控团簇离子束的组分原子能、衬底法线与团簇离子轰击方向之间的夹角、团簇离子剂量、团簇离子种类、衬底温度等工艺参数,即可高效可控制备出尺寸均匀、方向特定、排列有序的纳米结构。特征尺寸低至6nm,超低纳米级特征尺寸助力于半导体小型化、集成化的技术发展方向。本发明技术操作简单、高效可控,基于物理溅射机理,不涉及化学反应,不存在化学污染的问题,且无需额外使用掩模版,适用于任何材质的衬底。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115304022 A (43)申请公布日 2022.11.08 (21)申请号 202210802816.0 (22)申请日 2022.07.07 (71)申请人 武汉大学 地址 430072 湖北省武汉市武昌区八一路 299号 (72)发明人 瓦西里 ·帕里诺维奇 曾晓梅  (74)专利代理机构 武汉科皓知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 42222 专利代理师 齐晨涵 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图3页 (54)发明名称 基于超低能团簇离子束自组装制备功能纳 米结构的方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于超低能团簇离子束 自组装制备功能纳米结构的方法。本发明通过调 控团簇离子束的组分原子能、衬底法线与团簇离 子轰击方向之间的夹角、团簇离子剂量、团簇离 子种类、衬底温度等工艺参数,即可高效可控制 备出尺寸均匀、方向特定、排列有序的纳米结构。 特征尺寸低至6nm,超低纳米级特征尺寸助力于 半导体小型化、集成化的技术发展方向。本发明 技术操作简单、高效可控,基于物理溅射机理,不 涉及化学反应,不存在化学污染的问题,且无需 额外使用掩模版,适用于任何材质的衬底。 A 2 2 0 4 0 3 5 1 1 N C CN 115304022 A 权 利 要 求 

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