作业/运输
- B01 一般的物理或化学的方法或装置;
- B02 破碎、磨粉或粉碎;谷物碾磨的预处理
- B03 用液体或用风力摇床或风力跳汰机分离固体物料;从固体物料或流体中分离固体物料的磁或静电分离;高压电场分离〔5〕;
- B04 用于实现物理或化学工艺过程的离心装置或离心机;
- B05 一般喷射或雾化;对表面涂覆液体或其他流体的一般方法〔2〕;
- B06 一般机械振动的发生或传递;
- B07 将固体从固体中分离;分选;
- B08 清洁;
- B09 固体废物的处理;被污染土壤的再生〔3,6〕;
- B21 基本上无切削的金属机械加工;金属冲压;
- B22 铸造;粉末冶金;
- B23 机床;其他类目中不包括的金属加工;
- B24 磨削;抛光;
- B25 手动工具;轻便机动工具;手动器械的手柄;车间设备;机械手;
- B26 手动切割工具;切割;切断;
- B27 木材或类似材料的加工或保存;一般钉钉机或钉U形钉机;
- B28 加工水泥、黏土或石料;
- B29 塑料的加工;一般处于塑性状态物质的加工;
- B30 压力机;
- B31 纸品或纸板或类似纸的方式加工的材料制品制作;纸或纸板或类似纸的方式加工的材料的加工;
- B32 层状产品;
- B33 附加制造技术〔2015.01〕;
- B41 印刷;排版机;打字机;模印机〔4〕;
- B42 装订;图册;文件夹;特种印刷品;
- B43 书写或绘图器具;办公用品;
- B44 装饰艺术;
- B60 一般车辆;
- B61 铁路;
- B62 无轨陆用车辆;
- B63 船舶或其他水上船只;与船有关的设备;
- B64 飞行器;航空;宇宙航行;
- B65 输送;包装;贮存;搬运薄的或细丝状材料;
- B66 卷扬;提升;牵引;
- B67 开启或封闭瓶子、罐或类似的容器;液体的贮运;
- B68 鞍具;家具罩面;
- B81 微观结构技术〔7〕;
- B82 纳米技术〔7〕;
- B99 检索本部其他类目中不包括的技术主题〔8〕;
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最新专利
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微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865058A 申请号:CN202311719577.3微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件
- 申请号:CN202311719577.3
- 公开号:CN117865058A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
本申请的实施例提供了一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件,所述方法包括:提供一硅晶圆和一衬底基板,硅晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面设置有第一凹槽,第一凹槽的侧壁与第一表面垂直或近似垂直;将硅晶圆的第一表面与衬底基板进行键合,得到键合衬底;对键合衬底中的第二表面进行干法刻蚀,以在第二表面形成与第一凹槽连通的第二凹槽,第二凹槽的侧壁与第二表面垂直或近似垂直,第二凹槽的宽度不等于第一凹槽的宽度;分离刻蚀后的所述键合衬底中的硅晶圆和衬底基板,得到具有硅通孔结构的硅晶圆。本申请的实施例能在不同晶相的硅晶圆上刻蚀得到上下不同尺寸且侧壁垂直或近似垂直的硅通孔结构。- 发布时间:2024-04-16 07:19:07
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封装产品及电子设备 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865056A 申请号:CN202311732676.5封装产品及电子设备
- 申请号:CN202311732676.5
- 公开号:CN117865056A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:歌尔微电子股份有限公司
本发明提供一种封装产品及电子设备,封装产品包括基板、MEMS芯片、ASIC芯片和封装层,封装层包裹MEMS芯片和ASIC芯片,MEMS芯片和ASIC芯片信号连接,MEMS芯片安装于基板,基板形成有面向MEMS芯片的通孔,ASIC芯片上连接有导电组件,导电组件暴露于封装层设置。通过在ASIC芯片上设置导电组件,导电组件暴露于封装层,导电组件用于与外部电子器件连接,MEMS芯片从感应到从通孔进入的轮胎压力信号,经过MEMS芯片转化成电信号后传递至ASIC芯片,经过ASIC芯片处理后的信号通过导电组件传递到外部电子器件上。通过在ASIC芯片上设置导电组件,代替了相关技术中在基板上设置引脚的技术方案,能够减小封装产品的面积。- 发布时间:2024-04-16 07:19:19
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一种基于钛硅欧姆接触的密封方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865061A 申请号:CN202311810610.3一种基于钛硅欧姆接触的密封方法
- 申请号:CN202311810610.3
- 公开号:CN117865061A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所
本发明提供一种基于钛硅欧姆接触的密封方法,包括:S1、在中间硅层(1)上制备分离的钛黏附层(10)和其上的钝化保护层(11),进行高温合金化处理;S2、在中间硅层(1)上制备硅引线层(8);硅引线层(8)与钛黏附层(10)之间形成了欧姆接触;S3、将盖板层(13)的垂直通孔和中间硅层(1)上的钝化保护层(11)进行对准,进行共晶键合密封封装;S4、通过干法刻蚀去除钛黏附层(10)上方的钝化保护层(11),在盖板层(13)的上表面沉积铝膜,通过光刻和湿法刻蚀在盖板层(13)上形成铝电极焊盘(18);铝电极焊盘(18)与硅引线层(8)之间导通。将钛的高温合金化欧姆接触与铝电极焊盘沉积工艺分离,提高了工艺质量。- 发布时间:2024-04-16 07:21:05
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神经形态微机电系统设备 公开日期:2024-04-12 公开号:CN113226975A 申请号:CN201980083480.3神经形态微机电系统设备
- 申请号:CN201980083480.3
- 公开号:CN113226975A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:索克普拉科学与工程公司
一种微机电系统(MEMS)设备,包括:惯性部件,被配置为通过柔性连接而连接至结构,柔性连接响应于对结构所施加的外部刺激而允许惯性部件相对于结构发生变形或移动。一个或多个谐振部件连接至结构或惯性部件,谐振部件具有谐振模式。换能单元测量谐振部件相对于惯性部件和/或结构的振荡运动。电子控制单元施加静电力泵来诱使谐振部件在谐振模式下发生振荡运动,振荡运动是静电力的强度的非线性函数。谐振部件被配置为耦合至惯性部件和/或结构,以使得惯性部件响应于外部刺激所发生的变形和/或运动改变泵的强度,电子控制单元被配置为用于产生并且输出作为所测量的振荡运动的数学函数的输出信号。还提供一种用于为暴露于外部刺激的MEMS设备产生神经形态输出的系统。- 发布时间:2023-06-16 07:28:13
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超表面探测器及其制造方法 公开日期:2024-04-12 公开号:CN117865059A 申请号:CN202410044252.8超表面探测器及其制造方法
- 申请号:CN202410044252.8
- 公开号:CN117865059A
- 公开日期:2024-04-12
- 申请人:中国科学院合肥物质科学研究院
本发明提供一种超表面探测器及其制造方法,针对超表面结构与探测器之间的集成,既能够避免超表面的性能下降又能够降低成本。在本发明的制造方法中,首先任选一个图像传感器,移除传感器表面的窗片使像敏面裸露,接着,在传感器的像敏面上形成一定厚度的镀层,然后,利用聚焦离子束技术在镀层直接刻写所需的图案从而将镀层加工成超表面阵列,最后,覆盖窗片完成超表面探测器的制造。由此,提供了高性能、低成本、设计和制造的过程灵活的超表面探测器的制造方法以及由该方法制造的超表面探测器。- 发布时间:2024-04-16 07:23:53
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半导体器件与其制作方法 公开日期:2024-04-09 公开号:CN111170263A 申请号:CN201811339671.5半导体器件与其制作方法
- 申请号:CN201811339671.5
- 公开号:CN111170263A
- 公开日期:2024-04-09
- 申请人:中国科学院微电子研究所
本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该制作方法包括:提供第一待键合结构,第一待键合结构包括具有凹槽的第一衬底,第一衬底的材料包括碳化硅;提供第二待键合结构,第二待键合结构包括依次叠置设置的第二衬底、感应层和形变层,感应层的材料包括基体材料和N型或P型的掺杂杂质;将第一待键合结构和第二待键合结构键合,使得形变层的远离感应层的表面与凹槽两侧的第一衬底的表面接触,且形变层和凹槽形成感应空腔;去除第二衬底。该制作方法形成的半导体器件能够在高温等极端恶劣的环境下实现精准测量。- 发布时间:2024-04-11 07:38:36
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利用粘滑驱动回退现象实现表面复合微纳结构加工的方法 公开日期:2024-04-09 公开号:CN114057158A 申请号:CN202111365888.5利用粘滑驱动回退现象实现表面复合微纳结构加工的方法
- 申请号:CN202111365888.5
- 公开号:CN114057158A
- 公开日期:2024-04-09
- 申请人:吉林大学
本发明涉及一种利用粘滑驱动回退现象实现表面复合微纳结构加工的方法,属于表面微纳结构加工领域。在划痕过程中,将粘滑压电驱动器作为划痕方向的驱动装置,利用粘滑压电驱动器的回退现象使材料在划痕过程中发生堆积,进而在划痕产生的微沟槽结构表面生成周期性的栅状二级结构,即复合微纳结构;通过X‑Y电机平台的运动使相邻两条划痕搭接,实现大面积复合微纳结构的加工。本发明操作简单、加工效率高,通过调节粘滑压电驱动器的驱动电压可获得不同尺寸的表面复合微纳结构,一方面实现了粘滑驱动回退现象的有效利用,另一方面为表面复合微纳结构的加工提供了新思路。- 发布时间:2023-04-26 09:40:43
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一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法 公开日期:2024-04-09 公开号:CN117842928A 申请号:CN202410048449.9一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法
- 申请号:CN202410048449.9
- 公开号:CN117842928A
- 公开日期:2024-04-09
- 申请人:杭州电子科技大学
本申请公开了一种增强触觉传感器性能的纯刚性封装设计方法,包括以下步骤:采用MEMS工艺,制造出玻璃基板、阵列的MEMS压阻式触觉传感器以及上层封装结构;在该封装设计中,压阻式触觉传感器封装结构被设计为三明治式结构,将压阻式触觉传感器放置在上层封装结构和玻璃基板中间;将压阻式触觉传感器上表面倒装于带通孔的玻璃基板上表面,完成对压阻式触觉传感器上表面封装;将压阻式触觉传感器下表面与设计出的上层封装结构对准键合,完成对压阻式触觉传感器下表面封装;经过上述封装设计步骤,提高了阵列的MEMS压阻式触觉传感器的灵敏度和线性度,并且实现了对阵列的MEMS压阻式触觉传感器防护。- 发布时间:2024-04-11 07:31:09
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包括使衬底和/或封装盖变薄的步骤的用于封装微电子器件的方法 公开日期:2024-04-09 公开号:CN111670159A 申请号:CN201980010689.7包括使衬底和/或封装盖变薄的步骤的用于封装微电子器件的方法
- 申请号:CN201980010689.7
- 公开号:CN111670159A
- 公开日期:2024-04-09
- 申请人:法国原子能源和替代能源委员会
本发明涉及一种用于将布置在支撑衬底(200)上的微电子器件(300)用封装盖(400)封装的方法,尤其包括以下一系列步骤:a)提供支撑衬底(200),微电子器件(300)布置在该衬底上;b)围绕微电子器件(300),在衬底(200)的第一面(201)上沉积粘合层(500);c)将封装盖(400)以封装微电子器件(300)的方式定位在粘合层(500)上;d)通过化学蚀刻,使支撑衬底(200)的第二主面(202)和封装盖(400)的第二主面(402)变薄。- 发布时间:2024-04-11 07:40:15
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一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法 公开日期:2024-04-09 公开号:CN117842929A 申请号:CN202410068747.4一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法
- 申请号:CN202410068747.4
- 公开号:CN117842929A
- 公开日期:2024-04-09
- 申请人:杭州邦齐州科技有限公司
本发明涉及光学器件技术领域,提供了一种提高微纳产品刻蚀均匀度的方法。本发明在基底表面依次沉积刻蚀阻挡层和刻蚀层,然后采用干法刻蚀的方法对刻蚀层进行刻蚀;刻蚀阻挡层自下而上依次包括氧化钛层和氧化铝层。本发明在沉积刻蚀层之前,先沉积一层刻蚀阻挡层,刻蚀气体对刻蚀阻挡层材料不会造成有效刻蚀,在进行干法刻蚀时,直接将暴露的刻蚀层刻穿,暴露出刻蚀阻挡层时停止刻蚀即可,刻蚀时无需预留刻蚀余地,只用增加刻蚀工艺时间直接刻穿即可刻蚀到有效精度,并且能够有效控制图形的尺寸,达到提高刻蚀均匀度的目的。同时,本发明通过提高刻蚀均匀度能够间接提高微纳产品的硬件条件,进而提高微纳产品的光学性能和使用寿命。- 发布时间:2024-04-11 07:32:15
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