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• 用于封闭MEMS元件中的进口部的方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN113195402A 申请号：CN201980085028.0
  PCT发明 用于封闭MEMS元件中的进口部的方法

  • 申请号：CN201980085028.0
  • 公开号：CN113195402A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明提供一种用于封闭MEMS元件中的进口部的方法，该方法包括下述步骤：‑提供具有功能区域的功能层，‑借助于在功能层的功能区域之外的第一进口部在功能层的功能区域的下方制造空腔，‑封闭第一进口部，‑在功能层的功能区域之外制造通向空腔的第二进口部，‑熔化在第二进口部的区域中的封闭材料，和‑冷却已熔化的封闭材料，用以封闭第二进口部。

  发布时间：2023-06-16 07:16:28

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• 堆叠结构及其制造方法 公开日期：2024-11-22 公开号：CN112744780A 申请号：CN202011118468.2
  发明 堆叠结构及其制造方法

  • 申请号：CN202011118468.2
  • 公开号：CN112744780A
  • 公开日期：2024-11-22
  • 申请人：日月光半导体制造股份有限公司

  一种堆叠结构包含聚合物层和金属层。所述金属层安置在所述聚合物层上。所述聚合物层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约150μm，且所述金属层的表面上的毛刺长度为约0.8μm到约7μm。

  发布时间：2023-06-05 18:31:54

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• 一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114671396A 申请号：CN202210320303.6
  发明 一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构及其制备方法

  • 申请号：CN202210320303.6
  • 公开号：CN114671396A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：中国科学院力学研究所

  本发明涉及柔性电子器件的封装领域，具体涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构，其在柔性器件的两面分别覆盖有封装薄膜，封装薄膜与柔性器件的表面共形贴合；在封装薄膜和柔性器件之间的缝隙中形成有弹性层，柔性器件通过弹性层与封装薄膜粘接。本申请的软压封装结构成本低且制备方法简单，其使用封装薄膜与柔性器件表面共形贴合，同时使用弹性层填充两者之间的空隙，不仅有效保证器件的稳健性，还没有大幅度增加“桥”部分的厚度，极大程度地保持了岛桥结构的凹凸构型，使得封装后的岛桥结构器件仍具有高的柔性和可拉伸性，可以很好地与各种复杂表面的共形贴合。本发明还涉及一种岛桥结构柔性器件的软压封装结构的制备方法。

  发布时间：2023-05-14 12:13:47

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• 一种疏水减反射新型微纳米结构CaF2薄膜及其制备方法 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114408852A 申请号：CN202011089056.0
  发明 一种疏水减反射新型微纳米结构CaF2薄膜及其制备方法

  • 申请号：CN202011089056.0
  • 公开号：CN114408852A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：天津工业大学

  本发明属于光学薄膜技术领域，公开了一种疏水减反射新型微纳米结构CaF2薄膜及其制备方法，其特征在于，薄膜表面为凹凸不平的微纳米结构，该结构在2000倍下表现为大小不均匀的凹陷坑，在70000倍下呈现为尺寸不一的纳米颗粒；该薄膜以磁控溅射法制备，以CaF2为靶材，以SF6作为反应气体掺入到工作气体Ar2中，SF6电离出的F‑离子既与石英玻璃SiO2反应，在玻璃表面刻蚀出凹凸微纳米结构，又抑制CaF2薄膜的F贫乏；调整工作压力、溅射功率等，可以调整微纳米结构的尺寸等。CaF2膜可以提高玻璃在300‑1100nm波长范围内的平均透过率2‑5个百分点，薄膜表面水接触角达到139.4°，接近于超疏水表面。采用本技术方案制得CaF2减反射膜可应用于室外光学器件上，制备工艺过程简单、可控。

  发布时间：2023-05-09 10:41:16

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• 一种裸芯片组合封装结构 公开日期：2024-11-19 公开号：CN112479150A 申请号：CN202011149196.2
  发明 一种裸芯片组合封装结构

  • 申请号：CN202011149196.2
  • 公开号：CN112479150A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：上海航天控制技术研究所

  本发明公开了一种裸芯片组合封装结构，包括：PCB板，所述PCB板上设有干个凹槽，若干个芯片，每一所述芯片通过粘接层设置在所述PCB板上，所述粘接层对应覆盖于所述凹槽上，与所述凹槽构成一中空部。本发明实现在保证MEMS陀螺仪高性能的同时，降低封装技术成本、减小二级封装系统的体积，提高PCB板的利用率的目的。

  发布时间：2023-06-02 12:25:55

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• 带减振结构的封装管壳及MEMS惯性器件 公开日期：2024-11-19 公开号：CN114380268A 申请号：CN202111433887.X
  发明 带减振结构的封装管壳及MEMS惯性器件

  • 申请号：CN202111433887.X
  • 公开号：CN114380268A
  • 公开日期：2024-11-19
  • 申请人：上海航天控制技术研究所

  本发明提供一种带减振结构的封装管壳及MEMS惯性器件，所述带减振结构的封装管壳，包括管壳本体及多个减振结构，多个所述减振结构采用弹性材料，嵌入在所述管壳本体中并呈对称状分布。所述MEMS惯性器件包括盖板、MEMS芯片和上述的带减振结构的封装管壳，所述MEMS芯片与所述封装管壳电连接，所述盖板与所述封装管壳气密性连接。本发明通过在管壳结构上添加减振结构达到使MEMS惯性器件减振，可以有效的减小有害振动、冲击对MEMS惯性器件的破坏。

  发布时间：2023-05-09 10:14:10

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• 微机电麦克风结构与其制造方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN113371667A 申请号：CN202010770917.5
  发明 微机电麦克风结构与其制造方法

  • 申请号：CN202010770917.5
  • 公开号：CN113371667A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：鑫创科技股份有限公司

  本发明公开一种微机电麦克风结构与其制造方法。微机电麦克风包括基板，具有第一开口。介电层设置在基板上，其中所述介电层具有与所述第一开口对准的第二开口。隔膜设置在所述介电层的所述第二开口内，其中所述隔膜的外围区域在所述第二开口的侧壁处嵌入所述介电层中。背板层设置在所述介电层上并覆盖所述第二开口。所述背板层包括布置成规则数组图案的多个声孔，其中所述规则数组图案包括图案单元，所述图案单元包括所述之一声孔作为中心孔，并且围绕所述中心孔的所述声孔的外围孔与中心孔的间距相同。

  发布时间：2023-06-23 07:38:55

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• 一种临时键合的载片结构的解键合方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN114455539A 申请号：CN202111628989.7
  发明 一种临时键合的载片结构的解键合方法

  • 申请号：CN202111628989.7
  • 公开号：CN114455539A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：苏州希景微机电科技有限公司

  本发明公开了一种临时键合的载片结构的解键合方法，包括：在载片结构的晶圆的预设区域内形成通孔；将载片结构倒置于支撑件上，使支撑件与载片结构之间的接触区域位于通孔内，接触区域小于通孔的面积；将载片结构和支撑件浸泡在解键合溶液中，并搅拌解键合溶液，溶解载片结构的晶圆和载片之间的临时键合胶。本发明提高了临时键合的载片结构的解键合速度。

  发布时间：2023-05-09 11:41:15

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• MEMS热电堆红外传感器及制备方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN113428833A 申请号：CN202110814837.X
  发明 MEMS热电堆红外传感器及制备方法

  • 申请号：CN202110814837.X
  • 公开号：CN113428833A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：瑶芯微电子科技（上海）有限公司

  本发明提供一种MEMS热电堆红外传感器及制备方法，其中，位于上层的第二半导体层具有贯穿第二半导体层的第一刻蚀窗口，红外吸收层具有贯穿红外吸收层的第二刻蚀窗口，且位于冷结端的第一半导体层及第二半导体层的相对两面均与绝缘介质层相接触，位于热结端的第一半导体层与第二半导体层之间具有第一空腔，位于热结端的第二半导体层与红外吸收层之间具有第二空腔，且第一刻蚀窗口、第一空腔、第二刻蚀窗口及第二空腔相贯通。本发明仅保留冷结端的绝缘介质层，可减少导热横截面积，降低热结热量损耗，有效提高传感器的灵敏度，且在形成红外吸收层时可形成支撑部以对热电偶起到支撑作用，降低破裂概率，提高质量。

  发布时间：2023-06-23 08:23:10

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• 半导体器件的制造方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN113086942A 申请号：CN202011491189.0
  发明 半导体器件的制造方法

  • 申请号：CN202011491189.0
  • 公开号：CN113086942A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：现代凯菲克株式会杜

  本发明涉及半导体器件的制造方法，本发明提供的半导体器件的制造方法包括：通过对第一基板的一侧表面进行蚀刻来形成中空槽的步骤；在形成有上述中空槽的上述第一基板的一侧表面附着包括硅层的第二基板的步骤；通过对上述第二基板进行蚀刻来仅保留硅层的步骤；在上述第二基板的硅层表面形成由至少一个层组成的薄膜结构的步骤；以及从上述第一基板分离形成薄膜结构的上述第二基板的步骤，由此，在半导体器件的工序过程中，通过在器件的下部形成中空槽结构来最终便于进行器件分离。

  发布时间：2023-06-14 12:39:54

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