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• 用于电容式传感器或开关装置的微机械构件 公开日期：2024-10-18 公开号：CN113710608A 申请号：CN202080028165.3
  PCT发明 用于电容式传感器或开关装置的微机械构件

  • 申请号：CN202080028165.3
  • 公开号：CN113710608A
  • 公开日期：2024-10-18
  • 申请人：罗伯特·博世有限公司

  本发明涉及一种用于电容式传感器或开关装置的微机械构件，包括：衬底(10)，其具有衬底表面(10a)；直接或间接在衬底表面(10a)上撑开的隔膜(12)，其包括无支撑的区域(14)；以及至少一个杠杆元件(18)和至少一个连接在该至少一个杠杆元件(18)上的第一电极(20)，其中，至少一个杠杆元件(18)如此连接在隔膜(12)上，使得在隔膜(12)的无支撑的区域(14)拱曲的情况下能够使至少一个杠杆元件(18)处于旋转运动中，由此，至少一个连接的第一电极(20)能够处于相对于衬底表面(10a)倾斜定向的第一调节运动(22)中；并且其中，至少一个杠杆元件(18)和至少一个连接在该至少一个杠杆元件(18)上的第一电极(20)布置在衬底表面(10a)和隔膜(12)的无支撑区域(14)的隔膜内侧(14a)之间。

  发布时间：2023-07-01 07:10:37

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• MEMS结构及其形成方法、集成芯片 公开日期：2024-10-15 公开号：CN113044800A 申请号：CN202011265692.4
  发明 MEMS结构及其形成方法、集成芯片

  • 申请号：CN202011265692.4
  • 公开号：CN113044800A
  • 公开日期：2024-10-15
  • 申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

  本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。

  发布时间：2023-06-14 12:21:55

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• 电子元件及半导体封装装置 公开日期：2024-10-11 公开号：CN113200509A 申请号：CN202110375327.7
  发明 电子元件及半导体封装装置

  • 申请号：CN202110375327.7
  • 公开号：CN113200509A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：日月光半导体制造股份有限公司

  本公开涉及电子元件及半导体封装装置。该电子元件包括第一密封焊垫和溢流焊垫，第一密封焊垫和溢流焊垫位于电子元件的表面，第一密封焊垫用于形成密封结构，溢流焊垫用于在焊接制程中容纳从第一密封焊垫溢出的焊料；第一密封焊垫和溢流焊垫之间通过颈部连接，颈部的面积小于溢流焊垫的面积；或者第一密封焊垫和溢流焊垫相互分离，第一密封焊垫和溢流焊垫之间的距离小于预设距离。本公开的电子元件及半导体封装装置能够实现MEMS装置和基板之间密封结构的焊料量的自动调节，在降低制程复杂度的同时保证MEMS半导体封装装置的密封性能和电连接性能。

  发布时间：2023-06-16 07:24:08

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• 半导体结构 公开日期：2024-10-11 公开号：CN113200510A 申请号：CN202110471280.4
  发明 半导体结构

  • 申请号：CN202110471280.4
  • 公开号：CN113200510A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：日月光半导体制造股份有限公司

  本公开涉及半导体结构。通过疏水材料与亲水材料形成密封材的限制区，解决了密封材不易控制的问题，改善了产品的性能，提高了产品的良率。

  发布时间：2023-06-16 07:25:13

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• 一种MEMS微热板及其制备方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN117401643A 申请号：CN202311365959.0
  发明 一种MEMS微热板及其制备方法

  • 申请号：CN202311365959.0
  • 公开号：CN117401643A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：扬州国宇电子有限公司

  本发明公开了MEMS传感器技术领域内的一种MEMS微热板，包括：硅基底；隔热层，设置于硅基底上部，隔热层材质为多孔硅；绝缘层，设置于隔热层上方，绝缘层从下至上依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；金属层，设置于绝缘层上方，金属层包括共平面的加热电极和测试电极，测试电极被加热电极所包围，测试电极和加热电极之间设置有隔离环。相较于悬空结构，该MEMS微热板的结构稳定性好，制作难度低；其绝缘层选择氧化硅‑氮化硅‑氧化硅的复合结构，提高了器件的机械强度和抗冷热冲击的能力；另外，该MEMS微热板的加热区域和测试区域相互独立，避免气敏材料涂敷时出现短路。

  发布时间：2024-01-26 08:09:05

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• 二自由度的致动器和MEMS装置 公开日期：2024-10-11 公开号：CN112533861A 申请号：CN201880093321.7
  PCT发明 二自由度的致动器和MEMS装置

  • 申请号：CN201880093321.7
  • 公开号：CN112533861A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：华为技术有限公司|||德国弗劳恩霍夫应用研究促进协会

  本发明涉及微机电系统MEMS装置。特别地，本发明提出了一种用于MEMS装置的致动器和包括这种致动器的MEMS装置。该致动器具有可连接到该MEMS装置的框架的多个边侧的第一端，并且具有，特别地，通过接头，可连接到该MEMS装置的台架的第二端。此外，该致动器的第二端被配置为当该致动器被驱动并且该第一端被连接时向上或向下弯曲。

  发布时间：2023-06-02 13:09:27

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• 一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜及其制备方法 公开日期：2024-10-11 公开号：CN113023665A 申请号：CN202110244978.2
  发明 一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜及其制备方法

  • 申请号：CN202110244978.2
  • 公开号：CN113023665A
  • 公开日期：2024-10-11
  • 申请人：浙江理工大学

  本发明公开了一种碳纤维布负载纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜及其制备方法。制备方法主要包括以下步骤：首先以可溶性镍盐、可溶性钴盐、硒粉作为原料活性碳纤维布作为基底，通过水热法制备纳米针状镍钴双金属硒化物薄膜前驱体，然后在惰性气体的保护下对前驱体进行热处理，得到纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜。本发明公开的针状晶体阵列薄膜，制备方法具有工艺简单和易于操作的特点；镍钴双金属硒化物晶体薄膜通过低维阵列的端点与活性碳纤维布直接结合，有利于增加活性位点、提高材料的导电性和稳定性。纳米针状镍钴双金属硒化物晶体阵列薄膜在储能和催化等领域有广阔的应用前景。

  发布时间：2023-06-14 12:14:07

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• 一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN114890373A 申请号：CN202210505995.1
  发明 一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法

  • 申请号：CN202210505995.1
  • 公开号：CN114890373A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：山东大学

  本发明涉及半导体光电元器件技术领域，具体公开了一种自支撑的MEMS红外光源及其制备方法，MEMS红外光源包括由下到上依次设置的硅衬底、介质薄膜、加热电阻和黑体辐射层，所述加热电阻通过金属剥离工艺形成图形结构，所述黑体辐射层位于加热电阻的中间区域，所述硅衬底背面通过刻蚀形成贯穿硅衬底的背洞区域，位于黑体辐射层下方的介质薄膜被刻蚀掉。本发明所公开的MEMS红外光源及其制备方法由加热电阻自支撑，其在MEMS红外光源工作时，因为减少了加热电阻下面的介质薄膜，可以减少黑体辐射层与硅衬底之间的热传导，从而提高MEMS红外光源的工作温度，进一步提高MEMS红外光源的响应速率和辐射效率。

  发布时间：2023-05-19 11:23:53

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• 基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN112607702A 申请号：CN202011489030.5
  发明 基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法

  • 申请号：CN202011489030.5
  • 公开号：CN112607702A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：广东省科学院半导体研究所

  本发明公开一种基于胶粘层的GaN基HEMT器件柔性转移方法，包括：对生长在衬底上的GaN基HEMT器件进行清洗和烘干；所述GaN基HEMT器件是Ga极性的；将酚醛树脂胶旋涂到所述GaN基HEMT器件上，使所述酚醛树脂胶形成多层胶粘层，并所述多层胶粘层的胶层总厚度大于厚度阈值；对所述GaN基HEMT器件先后进行温度为第一加热阈值、第二加热阈值的热烘，完成固化；将所述衬底从所述GaN基HEMT器件上去除，把所述GaN基HEMT器件转移到去离子水中进行清洗；对所述GaN基HEMT器件进行倒装完成极性转化后，将所述GaN基HEMT器件转移到新的柔性衬底上。本发明实施例通过引入一定厚度的胶粘层，支撑和保护GaN基HEMT器件在衬底剥离和整个柔性转移的过程中不被应力破坏。

  发布时间：2023-06-03 12:05:03

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• 一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN114560439A 申请号：CN202210181556.X
  发明 一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法

  • 申请号：CN202210181556.X
  • 公开号：CN114560439A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：东南大学

  本发明公开了一种基于MEMS工艺的超低频垂直轴硅微敏感结构及制造方法，顶层为镀有磁性薄膜的MEMS单片，中层为附加锚点和附加质量，底层为镀有金属薄膜的MEMS单片。中层附加锚点和附加质量键合于底层单片MEMS结构表面之上，顶层单片MEMS结构键合于中层附加锚点和附加质量之上，形成一个具有三维弹性梁构造的超低频垂直轴硅微敏感结构。该敏感结构谐振频率低至10Hz左右，机械灵敏度极高，具有检测超微小加速度、位移、重力变化的能力，兼容MEMS微加工工艺，交叉串扰极低，适用于微型化的超高精度加速度计、地震计、重力计等惯性仪器中。

  发布时间：2023-05-12 11:45:08

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