发明

一种MEMS封装结构及其制作方法2024

2024-04-21 07:55:15 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110808952.6
  • 公开(公告)日:2024-04-19
  • 公开(公告)号:CN113526454A
  • 申请人:芯知微(上海)电子科技有限公司
摘要:本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方法,包括:器件晶圆,其设置有控制单元以及与控制单元电连接的互连结构,器件晶圆的第一表面上形成有凹槽;第一焊垫,位于器件晶圆的第一表面,至少部分所述第一焊垫位于凹槽的下方并与互连结构电连接;绝缘层,形成于器件晶圆的第一表面及凹槽内;MEMS芯片,将所述MEMS芯片嵌入凹槽并与器件晶圆键合连接,MEMS芯片的的第一面具有多个裸露第二焊垫并与第一焊垫电连接。本发明通过键合工艺将MEMS芯片嵌入凹槽中,实现MEMS芯片与器件晶圆的连接,降低器件集成的高度,提高器件的集成度,另外,在器件晶圆的凹槽沉积一层具有压应力的绝缘层,平衡了后续产生的拉应力,减少封装制程中的晶圆的翘曲,提高产品的可靠性。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113526454 A (43)申请公布日 2021.10.22 (21)申请号 202110808952.6 (22)申请日 2021.07.16 (71)申请人 芯知微(上海)电子科技有限公司 地址 201600 上海市松江区泖港镇中南路 32号 (72)发明人 蔺光磊  (74)专利代理机构 北京思创大成知识产权代理 有限公司 11614 代理人 张立君 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图3页 (54)发明名称 一种MEMS封装结构及其制作方法 (57)摘要 本发明提供一种MEMS封装结构及其制作方 法,包括:器件晶圆,其设置有控制单元以及与控 制单元电连接的互连结构,器件晶圆的第一表面 上形成有凹槽;第一焊垫,位于器件晶圆的第一 表面,至少部分所述第一焊垫位于凹槽的下方并 与互连结构电连接;绝缘层,形成于器件晶圆的 第一表面及凹槽内;MEMS芯片,将所述MEMS芯片 嵌入凹槽并与器件晶圆键合连接,MEMS芯片的的 第一面具有多个裸露第二焊垫并与第一焊垫电 连接。本发明通过键合工艺将MEMS芯片嵌入凹槽 中,实现MEMS芯片与器件晶圆的连接,降低器件 集成的高度,提高器件的集成度,另外,在器件晶 A 圆的凹槽沉积一层具有压应力的绝缘层,平衡了

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