微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902549 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410074848.2 (22)申请日 2024.01.18 (71)申请人 赛莱克斯微系统科技（北京）有限公 司 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术 开发区科创十四街99号33幢D栋二层 2208号（集中办公区） (72)发明人 肖文贺　杨云春　陆原　李立伟　 (74)专利代理机构 北京众达德权知识产权代理 有限公司 11570 专利代理师 冉丽 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器 件 (57)摘要 本申请的实施例提供了一种微机电器件硅 通孔的制作方法、及微机电器件，所述方法包括： 提供一晶圆衬底，所述晶圆衬底包括相对的第一 表面和第二表面；在所述晶圆衬底的第一表面形 成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上贴附保护 层；在贴附保护层后，从所述晶圆衬底的第二表 面形成贯穿所述晶圆衬底的硅通孔，所述硅通孔 停止于所述刻蚀停止层。本申请的实施例提供的 技术方案能避免在制作硅通孔的过程中进行背 面露头工艺，进而能避免对前段机台产生金属污 染，使得能实现大规模量产具有硅通孔结构的微 A 机电器件。 9 4 5 2