一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵列、制备方法及应用

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112694062 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202011592356.0 (22)申请日 2020.12.29 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 段国韬　张征　 (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 李智 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图8页 (54)发明名称 一种基于TSV的晶圆级MEMS气体传感器阵 列、制备方法及应用 (57)摘要 本发明公开了一种基于TSV的晶圆级MEMS气 体传感器阵列、制备方法及应用，属于气体检测 技术领域。阵列包括阵列式排布的基于TSV的晶 圆级MEMS气体传感器，每个气体传感器包括硅晶 圆基片以及自下而上排布在在硅晶圆基片上的 ONO介质层、加热电极、绝缘层、测试电极和气敏 材料，加热电极和测试电极均通过硅通孔引至硅 晶圆基片的下表面。本发明提供的气体传感器阵 列能够降低成本，缩小器件尺寸，提高器件性能 稳定性和一致性，实现传感器阵列，并降低器件 功耗。 A 2 6 0 4 9 6 2 1 1 N C CN 112694062 A 权　利　要　求　书