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• 坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815303A 申请号：CN202310782854.9
  发明 坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法

  • 申请号：CN202310782854.9
  • 公开号：CN116815303A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：通威微电子有限公司

  本发明的实施例提供了一种坩埚、组合坩埚、长晶装置和方法，涉及半导体技术领域。坩埚包括坩埚本体，坩埚本体具有一顶部开口的腔室，腔室内设置有分隔部。分隔部将腔室分隔为上腔室和下腔室。上腔室用于容置碳化硅。坩埚本体的侧壁设置有多个与下腔室连通的通孔，以使下腔室与外部连通。其能够改善坩埚的温场分布不均匀的问题，从而提高长晶原料的利用率和改善形成重结晶的问题，与上坩埚件结合可延长长晶时间，增加生长晶锭的厚度。

  发布时间：2023-10-01 07:18:33

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• 一种SiC反应炉原位清洗的方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815307A 申请号：CN202310839726.3
  发明 一种SiC反应炉原位清洗的方法

  • 申请号：CN202310839726.3
  • 公开号：CN116815307A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：浙江芯科半导体有限公司

  本发明涉及外延反应炉清洗技术领域，具体公开了一种SiC反应炉原位清洗的方法，包括：正常生长时进行颗粒物监测、反应室颗粒物过量清洗程序开始、将对刻蚀气体敏感的传输盘移出反应室、升温并将大流量氢气通入反应室吹扫、降温降氢气流量、颗粒物监测、清洁完成和将对刻蚀气体敏感的传输盘移回反应室；本发明利用两步法，即高温氢气大流量和低温含氯混合气的分段式不同刻蚀速度清理反应室，加上离子束轰击反应室表面，去除附着的污染物并提供表面激活，以促进反应室下一步的再生和生长，利用加装光谱仪作为监测手段，及时发现腔体内SiC微粒水平超标情况，降低损失，并且可以对清理过程进行更精确的控制，不依赖经验值，且可推广性高。

  发布时间：2023-10-01 07:20:47

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• 真空冷屏、冷却装置及真空镀膜系统 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815304A 申请号：CN202210245472.8
  发明 真空冷屏、冷却装置及真空镀膜系统

  • 申请号：CN202210245472.8
  • 公开号：CN116815304A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：费勉仪器科技（上海）有限公司

  本公开提供了一种真空冷屏，包括：主体，包括一个或多个用于冷却的导热表面；以及一个或多个阻挡器，阻挡器设置在导热表面上，阻挡器包括：一个或多个阻挡板，用于阻挡热辐射和束流。

  发布时间：2023-10-01 07:10:07

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• 基于最优目标肩形的直拉单晶硅放肩自适应拉速控制方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815302A 申请号：CN202310674504.0
  发明 基于最优目标肩形的直拉单晶硅放肩自适应拉速控制方法

  • 申请号：CN202310674504.0
  • 公开号：CN116815302A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：浙江晶盛机电股份有限公司|||浙江求是半导体设备有限公司

  本申请提出了一种基于最优目标肩形的直拉单晶硅放肩自适应拉速控制方法，涉及光伏、半导体单晶拉制生产技术领域，包括：从拉晶历史状态数据筛选数据集，并对数据集进行预处理与放肩初始剩料重量划分，得到不同剩料重量下的放肩扩断数据集和放肩非扩断数据集；在同一剩料重量区间内，采用相似度衡量指标对放肩扩断数据集进行补全，并基于补全数据获得该剩料重量区间内的最优目标肩形；根据最优目标肩形与晶体直径预测模型，获取设定直径变化率与预测直径变化率；建立拉速推荐适应度约束函数，将预测直径变化率与设定直径变化率输入得到推荐拉速输出值。基于本申请提出的方法，能够有效提高单晶硅放肩的成活率与肩形一致性，减少工时浪费。

  发布时间：2023-10-01 07:15:42

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• 一种利用水性前驱体制备微纳米TiC晶须的方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815290A 申请号：CN202310698245.5
  发明 一种利用水性前驱体制备微纳米TiC晶须的方法

  • 申请号：CN202310698245.5
  • 公开号：CN116815290A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：西安理工大学

  本发明公开了一种利用水性前驱体制备微纳米TiC晶须的方法，该方法主要为SLS和VS生长机制，首先在磁力搅拌器搅拌下，配制好前驱体溶液，然后分别将溶液水热反应不同时间，接着真空干燥，最后在高温氩气气氛下煅烧，得到须粒比高、分布均匀、长势良好的TiC晶须；本发明制备周期短，经济性好，有望实现TiC晶须的大规模生产，制备的TiC晶须直径约为0.5‑2.5μm，长度约为50‑700μm，长径比达50‑250，长势很好，表面光滑，基本没有杂质，采用本发明制备的TiC晶须可用作金属基和超高温陶瓷基复合材料的增强增韧相，从而提高复合材料的综合性能。

  发布时间：2023-10-01 07:16:01

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• 盖体及具有该盖体的制绒清洗设备 公开日期：2023-09-29 公开号：CN219772334U 申请号：CN202223189345.5
  实用新型 盖体及具有该盖体的制绒清洗设备

  • 申请号：CN202223189345.5
  • 公开号：CN219772334U
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：江苏启威星装备科技有限公司

  本申请公开了一种盖体及具有该盖体的制绒清洗设备，涉及制绒清洗设备技术领域。一种盖体，用于制绒清洗设备，所述盖体包括：盖本体，及设置于盖本体的喷液机构和废液收集结构；其中，喷液机构包括泵体、管道和喷头，至少部分管道设置于所述盖本体上，位于盖本体上的管道连接有多个喷头，所述喷头的进口通过管道与所述泵体相连通，且喷头的出口朝向盖本体，用于向盖本体上喷冲洗液；所述废液收集结构设置于盖本体的侧端边缘，所述废液收集结构朝向盖本体的一侧设有供冲洗后的废液流入的开口。本申请可以实现对盖体上的碱结晶或其它污染物的自动清理，避免碱结晶或脏污腐蚀盖体或影响电池片的质量，有助于降低成本、提高产品的良率。

  发布时间：2023-10-01 07:27:51

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• 碱土硫代（硒代）镓酸盐化合物及碱土硫代（硒代）镓酸盐非线性光学晶体及制法和用途 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815323A 申请号：CN202310774717.0
  发明 碱土硫代（硒代）镓酸盐化合物及碱土硫代（硒代）镓酸盐非线性光学晶体及制法和用途

  • 申请号：CN202310774717.0
  • 公开号：CN116815323A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：天津理工大学

  本发明涉及系列碱土金属硫代(硒代)镓酸盐化合物及系列碱土金属硫代(硒代)镓酸盐非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和非线性光学晶体化学通式均为AE2Ga2O3Q2，其中AE＝Ba，Sr；Q＝S，Se，均属单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为Z＝2。该系列化合物采用高温固相法合成，该系列非线性光学晶体采用高温溶液法或布里奇曼法生长。该材料可用于制造非线性光学器件等。

  发布时间：2023-10-01 07:17:59

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• 一种气相外延反应系统 公开日期：2023-09-29 公开号：CN219772327U 申请号：CN202320559478.2
  实用新型 一种气相外延反应系统

  • 申请号：CN202320559478.2
  • 公开号：CN219772327U
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：宁波恒普技术股份有限公司

  本实用新型公开了一种气相外延反应系统，属于气相外延技术领域，包括供气单元、抽气单元和内设有反应腔室的气相外延反应室，气相外延反应室上设有与反应腔室连通的进气口和排气口，反应腔室内设有位于气体流通路径上的晶体安装座，进气口通过进气管与供气单元连通，排气口通过抽气管与抽气单元连通，抽气管上设有主路流量调节阀，主路流量调节阀和抽气单元之间设有旁通管，旁通管通过三通阀与进气管连通。在开启抽气单元后，不仅能够通过抽气管对气相外延反应室进行有效抽真空，还能通过旁通管直接对进气管抽真空，结合上抽气管对进气管间接抽真空，其抽真空效果大幅提升，能够有效避免气体残留和沉积在进气管内。

  发布时间：2023-10-01 07:30:42

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• 一种醇类聚合物辅助生长高质量CsPbBr3钙钛矿单晶的方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815316A 申请号：CN202310878475.X
  发明 一种醇类聚合物辅助生长高质量CsPbBr3钙钛矿单晶的方法

  • 申请号：CN202310878475.X
  • 公开号：CN116815316A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：中国石油大学（华东）

  本发明公开了一种将聚乙二醇(PEG)作为添加剂辅助生长全无机CsPbBr3钙钛矿单晶的方法。以PEG作为溶液法生长单晶的添加剂，可以有效避免CsPbBr3单晶在生长过程中出现的爆发性形核及生长孪晶、多晶等问题，调控后CsPbBr3单晶的缺陷态密度降低一个数量级。并且由PEG调控后生长的高质量CsPbBr3单晶制备的光电探测器，其响应度提升了大约6倍，可以达到2.23A/W，探测率也有大约3倍的提升，提升至6.06×1011Jones。通过将PEG添加到前驱体溶液中，可以得到具有高透明度、大尺寸、低缺陷密度的CsPbBr3单晶。本发明为钙钛矿单晶的制备提出了新思路。

  发布时间：2023-10-01 07:21:43

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• 一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法 公开日期：2023-09-29 公开号：CN116815312A 申请号：CN202310791533.5
  发明 一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法

  • 申请号：CN202310791533.5
  • 公开号：CN116815312A
  • 公开日期：2023-09-29
  • 申请人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司

  本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法，所述方法包括以下步骤：将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗净、LP前洗净后，进行LPCVD；本发明提供的方法在硅片上沉积多晶硅膜前，控制硅片浅表层内的镍含量，将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜前的硅片浅表层内的金属镍含量，即使在LPCVD机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃)和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用，也能控制住多晶硅膜内的体镍含量，使多晶硅膜内体镍(Ni)含量稳定的远低于1E14atoms/cm3，从而提高了产品良率，并使客户端器件的功能得到有力保障。

  发布时间：2023-10-01 07:19:04

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