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• 一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置 公开日期：2023-06-02 公开号：CN115838963A 申请号：CN202211716479.X
  发明 一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置

  • 申请号：CN202211716479.X
  • 公开号：CN115838963A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：浙江晶越半导体有限公司

  本发明涉及单晶制备技术领域，具体公开一种应用于升华法生长碳化硅单晶的坩埚装置，包括坩埚部件，旋转部件，多孔石墨部件和导流部件，坩埚内含收纳空间和导流空间。坩埚部件包含坩埚顶壁、坩埚侧壁、坩埚底壁和坩埚内壁。坩埚内壁和坩埚侧壁之间的空间为第一收纳空间，第一收纳空间内收纳碳化硅原料粉源；坩埚内壁下方布置有第二导流部件，其外壁之间构成扩口空间；第二导流部件下方布置第三导流部件，第三导流部件外壁之间构成导流空间，该导流空间顶部装置有多孔石墨部件，该导流空间的底部装置有籽晶。该坩埚装置能减小重力等因素对单晶生长的影响，能减少晶体生长过程中的碳包裹物，有利于提高晶体质量。

  发布时间：2023-04-15 07:07:47

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• 一种隔热机构、单晶炉及复投方法 公开日期：2023-06-02 公开号：CN116200802A 申请号：CN202211105331.2
  发明 一种隔热机构、单晶炉及复投方法

  • 申请号：CN202211105331.2
  • 公开号：CN116200802A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：浙江晶盛机电股份有限公司

  本申请涉及硅单晶生长技术领域，涉及一种隔热机构，应用于单晶炉的主炉室内，主炉室上开设有第一孔，包括：承载组件，承载组件，位于单晶炉的内部，所述承载组件具有竖直方向的移动自由度，所述承载组件包括：承载座，所述承载座具有一容置空间；隔热组件，所述隔热组件包括：隔热块，所述隔热块用于与所述第一孔配合使得所述第一孔受封堵，所述隔热块可活动，所述隔热块受外部复投装置驱动而形成有：第一状态下，所述隔热块位于所述第一孔内；第二状态下，所述隔热块位于所述容置空间内，所述隔热块随承载组件上升至所述第一孔以上位置。解决了现有技术中复投孔的隔热密封效果差的技术问题，达到了提高复投孔的隔热密封效果的技术效果。

  发布时间：2023-06-03 12:25:32

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• 一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法 公开日期：2023-06-02 公开号：CN114574947A 申请号：CN202210211940.X
  发明 一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法

  • 申请号：CN202210211940.X
  • 公开号：CN114574947A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：中锗科技有限公司

  本发明公开了一种N型重掺锗单晶生长磷元素掺杂装置及方法，N型重掺锗单晶生长磷元掺杂装置，包括锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板；锗籽晶包括支撑杆和支撑台，支撑杆垂直连接在支撑台顶部中央位置，支撑杆的直径小于支撑台的直径；锗铣磨片为锅形，锗铣磨片开口向上地设置，锗盖板活动盖设在锗铣磨片上；锗铣磨片底部中央设有第一通孔，锗盖板中央设有第二通孔，第一通孔的孔径小于支撑台的直径，支撑杆顶部依次穿过第一通孔和第二通孔后，锗铣磨片外侧底部落在支撑台上；锗籽晶、锗铣磨片和锗盖板所用材质均为锗，锗铣磨片内侧填充有红磷。本发明红磷挥发量少，实现了红磷的一次性大量掺杂；除了锗和磷没有其他元素参与，便于半导体单晶的质量控制。

  发布时间：2023-05-12 11:55:03

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• 晶硅太阳能电池变温扩散炉 公开日期：2023-06-02 公开号：CN114000202A 申请号：CN202111165033.8
  发明 晶硅太阳能电池变温扩散炉

  • 申请号：CN202111165033.8
  • 公开号：CN114000202A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：江苏龙恒新能源有限公司

  本发明公开了一种晶硅太阳能电池变温扩散炉，涉及扩散炉技术领域。该晶硅太阳能电池变温扩散炉包括炉体，炉体上开设有炉口，炉口一侧的炉体上铰接设有用于封闭炉口的炉门，炉口呈圆形状设置，炉门上设有封闭件、辅助隔离件和锁紧件，封闭件包括形成于炉门上的固定环，固定环外滑移连接有形状与炉口相同的封闭环，用于在炉门封闭时滑移卡接在炉口外并封闭炉口，本发明能够在关闭扩散炉的炉门时，通过联动件带动封闭机构同步对其炉口进行封闭，一方面增加对炉口封闭时的隔热性，避免发生热量逸散，保证炉体内温度快速增长并维持平衡，另一方面能够提升炉口位置的气密性，从而防止炉体内经过高温后硅片或其他元件产生的有害气体泄露。

  发布时间：2023-04-24 09:43:52

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• 一种周期极化KTP晶体制备方法 公开日期：2023-06-02 公开号：CN116005268A 申请号：CN202310300328.4
  发明 一种周期极化KTP晶体制备方法

  • 申请号：CN202310300328.4
  • 公开号：CN116005268A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：济南量子技术研究院

  本发明提出了一种周期极化KTP晶体制备方法，涉及非线性光学晶体制备技术领域，取KTP晶体测试片，在KTP晶体测试片双面制备电极，在KTP晶体测试片的双面电极上施加脉冲高压，测量实时电流和实时电阻率，在需要极化的KTP晶体正面制备周期性电极，计算出需要极化的面积，在KTP晶体正式片的双面电极上施加极化电压；在每个极化脉冲结束后，判断极化是否完成，通过判断实时的电荷量转移量，对离子电流和极化电流进行分离，获得实时的极化反转进度，从而判断极化是否完成。采用本发明的周期极化KTP晶体制备方法，可以准确地控制极化过程，获得高品质的PPKTP晶体。

  发布时间：2023-05-16 08:47:43

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• 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法 公开日期：2023-06-02 公开号：CN114737248A 申请号：CN202210282043.8
  发明 一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法

  • 申请号：CN202210282043.8
  • 公开号：CN114737248A
  • 公开日期：2023-06-02
  • 申请人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）

  本发明公开了一种基于液相外延法生长铁氧体单晶厚膜的高温退火方法，属于磁性功能材料技术领域，该方法包括：以GGG或SGGG为衬底，采用液相外延法制备百微米级铁氧体单晶厚膜，在惰性气体、氧气混合气氛下进行阶梯式升降温退火处理，再经酸煮、清洗得到表面光滑平整的铁氧体单晶厚膜；经本发明退火处理的单晶厚膜厚，介电损耗、铁磁共振线宽、光损耗降低，累积应力得以释放，使单晶膜质量得以显著提升。

  发布时间：2023-05-16 10:29:05

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• 一种芯片加工用单晶炉 公开日期：2023-05-30 公开号：CN116180242A 申请号：CN202310158177.3
  发明 一种芯片加工用单晶炉

  • 申请号：CN202310158177.3
  • 公开号：CN116180242A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：深圳市酷米实业有限公司

  本发明提供一种芯片加工用单晶炉，涉及单晶硅生产领域。该芯片加工用单晶炉，包括单晶炉本体，所述单晶炉本体炉腔内设置有石英坩埚，所述单晶炉本体炉腔内位于石英坩埚上侧设置有导流筒，所述导流筒末端设置有防溅机构，所述防溅机构包括可折叠的挡料部以及设置在挡料部上侧的立柱，所述立柱内部设置有用于驱动挡料部折叠以方便挡料部置于导流筒末端的驱动部件，所述挡料部包括横板以及两个分别铰接在横板较长边沿侧的折叠板，所述横板在挡料作业时与立柱垂直设置。防止硅料在石英坩埚内熔化过程中发生塌料现象而使硅液飞溅，从而有效防止硅液飞溅到内部石墨器件上，进而延长了石墨器件的使用寿命，减少了生产设备的投入成本。

  发布时间：2023-06-02 12:54:56

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• 一种用于人工晶体炉的门扣结构 公开日期：2023-05-30 公开号：CN106676629A 申请号：CN201710070310.4
  发明 一种用于人工晶体炉的门扣结构

  • 申请号：CN201710070310.4
  • 公开号：CN106676629A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：洛阳金诺机械工程有限公司

  一种用于人工晶体炉的门扣结构，本发明涉及人工晶体设备领域，本发明中锁紧拉条（3）被设置在炉室（2）边框的两侧面，锁紧块（6）左右对称地间隔固定在两条锁紧拉条上，炉门（1）两侧边分别设有若干凹槽（17），该凹槽的数量及位置与所述的锁紧块相对应，锁紧面位于每个凹槽的下方并具有一斜面部分，炉门关闭时，锁紧块（6）的一端穿过所述的凹槽抵靠在炉门的锁紧面上，锁紧块的另一端抵靠在炉室的边框上，锁紧拉条向下移动时，锁紧块随之向下移动，依靠所述锁紧面的斜面将炉门紧锁在炉室上，本发明大大提高了人工晶体炉炉门的启闭效率，确保了炉门启闭的可靠性，同时有效避免了对炉门的损害。

  发布时间：2023-06-02 13:00:32

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• 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉 公开日期：2023-05-30 公开号：CN116043329A 申请号：CN202310330399.9
  发明 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉

  • 申请号：CN202310330399.9
  • 公开号：CN116043329A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：苏州晨晖智能设备有限公司

  本发明涉及单晶生产技术领域，具体为一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，所述单晶炉包括主炉室、副炉室和基座，所述副炉室设置在主炉室的上方，所述主炉室设置在基座的上方，所述副炉室的上端设置有氩气进气管，本发明相比于目前的单晶炉设置有分流机构，通过分流机构控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走，同时在热屏套靠近坩埚的一侧产生一组气流防护层，以避免氩气在从坩埚内升起时，携带的杂质和挥发物沾附到热屏套上，本发明还设置有引流组件，通过引流组件能够提高硅原料的挥发物和残留空气的温度，以避免硅原料的挥发物和残留空气在流经引流组件时热量流逝，防止坩埚附近气体的温度降低。

  发布时间：2023-05-10 10:20:45

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• 一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置 公开日期：2023-05-30 公开号：CN116180223A 申请号：CN202310020001.1
  发明 一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置

  • 申请号：CN202310020001.1
  • 公开号：CN116180223A
  • 公开日期：2023-05-30
  • 申请人：宁波恒普真空科技股份有限公司

  本发明公开一种可稳定控温改善晶片生长均匀性的立式成膜装置，包括反应腔室、多区域控温机构和特定点位，反应腔室内热场分为上、下两部分，分别用于过程气体预热和晶片加热，且均为多区分布热场，成膜装置顶部至少安装有两个测温元件，成膜工艺过程中监测晶片中心和边缘温度，反馈至控制系统，实现下炉体热场的温控输出。下炉体热场靠近基座发热体辅助加热晶片，上炉体热场靠近进气室，由进气室处热电偶反馈温度数据控制输出功率，晶片成膜至一定膜厚维持原先热场输出功率，避免由于薄膜干涉产生温度变化影响正常成膜过程。

  发布时间：2023-06-02 12:51:58

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