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• 用于双层结构生长衬底外延生长的样品托 公开日期：2025-04-01 公开号：CN116288691A 申请号：CN202310291640.1
  发明 用于双层结构生长衬底外延生长的样品托

  • 申请号：CN202310291640.1
  • 公开号：CN116288691A
  • 公开日期：2025-04-01
  • 申请人：广东天域半导体股份有限公司

  本发明公开了一种用于双层结构生长衬底外延生长的样品托，包括托盘本体和掩膜板，托盘本体上开设有设有容纳生长衬底的主容置槽和容纳参考衬底的副容置槽，掩膜板沿一随托盘本体的旋转离心方向设置的滑动轨道滑动安装于托盘本体上，副容置槽位于沿滑动轨道由后向前排布的第一位置和第二位置，掩膜板沿滑动轨道在滑动后位和滑动前位之间滑动以切换遮盖第一位置处的副容置槽和第二位置处的副容置槽，掩膜板和滑动轨道之间的接触表面光滑，以使掩膜板在托盘本体减速时可在惯性作用下从遮盖第一位置处的副容置槽切换至遮盖第二位置处的副容置槽。本发明可通过掩膜板的惯性滑动切换遮盖参考衬底，在双层外延层生产时获得每一层外延层生长的单层样品。

  发布时间：2023-06-27 09:45:46

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• 一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置 公开日期：2025-03-25 公开号：CN115710749A 申请号：CN202211324028.1
  发明 一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置

  • 申请号：CN202211324028.1
  • 公开号：CN115710749A
  • 公开日期：2025-03-25
  • 申请人：南京大学

  本发明公开了一种过渡金属硫族化合物单晶薄膜的制备方法及装置，所述制备方法通过高活性的反应气体与固态金属源进行原位表面反应得到气态金属源，接着与含有硫族元素的气体源在衬底表面进行气相反应，生长得到过渡金属硫族化合物单晶薄膜；通过高形核密度和高生长速率实现薄膜的快速生长；采用该制备方法的装置，将衬底从进样室传送至外延腔室，在温度恒定的外延腔室进行批量化材料生长，样品由外延腔体传输到取样室进行降温冷却，避免了外延腔室升降温过程带来的时间和能源消耗，实现了过渡金属硫族化合物单晶薄膜的不间断、批次生长和传输，提高了生产效率。

  发布时间：2023-06-10 07:11:21

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• 一种掺铒钇铝石榴石晶体及光学元件的生产方法 公开日期：2025-03-21 公开号：CN118087043A 申请号：CN202410459886.X
  发明 一种掺铒钇铝石榴石晶体及光学元件的生产方法

  • 申请号：CN202410459886.X
  • 公开号：CN118087043A
  • 公开日期：2025-03-21
  • 申请人：成都沃达惠康科技股份有限公司

  本发明公开了一种用于光学元件的掺铒钇铝石榴石晶体的生产方法及一种光学元件的制备方法，属于光学元件的制备，包括以下步骤：S1：原料处理，包括以下步骤：S2：形成掺铒钇铝石榴石晶体，包括以下步骤：S21：将S1处理后的料装入钼坩埚，装入真空电阻加热炉；S22：装炉后封闭炉门，使用真空泵扩散泵将炉内空气抽出，使其达到真空；S23：将炉内充入氩气和二氧化碳；S24：启动电源进行加热至1200‑1800℃；S25：控制籽晶位置至溶液表面；S26：开始拉晶，拉速1‑10 mm/h，转速50‑200rpm；S27：等到晶体放肩完成，进行界面翻转，转速30‑80r/min,拉速1‑3mm/出晶。本发明生产成本较低，生产周期较短，晶体利用率较高，达90%，电光斜率提高了20%。

  发布时间：2024-06-01 08:07:05

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• 一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用 公开日期：2025-03-21 公开号：CN118064980A 申请号：CN202410188428.7
  发明 一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用

  • 申请号：CN202410188428.7
  • 公开号：CN118064980A
  • 公开日期：2025-03-21
  • 申请人：同济大学

  本发明涉及一种半有机锑氟酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该材料的化学式为(C5H7N2)(Sb2F7)，属于单斜晶系，其空间群为Pn(No.7)，晶胞参数为α＝90°，β＝102.44°～102.64°，γ＝90°，Z＝2，晶胞体积为与现有技术相比，本发明的二阶非线性光学晶体材料(C5H7N2)(Sb2F7)在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的2倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较宽的透光波段，物化性能稳定，机械硬度适中，产率高，易于生长等优点，在激光频率转换、光信息存储、电光调制等光电信息领域具有重要的应用价值。

  发布时间：2024-06-01 07:23:38

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• 一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉 公开日期：2025-03-21 公开号：CN113122927A 申请号：CN202110570620.9
  发明 一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉

  • 申请号：CN202110570620.9
  • 公开号：CN113122927A
  • 公开日期：2025-03-21
  • 申请人：广东科技学院

  本发明属于半导体扩散工艺设备领域，公开一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，包括：炉门、炉体、进气管、出气管和隔热部，炉体一侧开口，炉门安装在炉体的开口处，炉门一端与炉体铰接，进气管和出气管分别与炉体连通，进气管至少为两个，炉体内靠近炉门一侧活动设置有隔热部。本方案可以使炉口气体浓度以及停留时间增加，并采用多路进气管，改善炉口处气体均匀性，提升了炉口附近硅片方阻扩散的均匀性。

  发布时间：2023-06-14 13:04:29

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• 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法 公开日期：2025-03-18 公开号：CN117737859A 申请号：CN202311765497.1
  发明 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法

  • 申请号：CN202311765497.1
  • 公开号：CN117737859A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：武汉理工大学|||广东汇成真空科技股份有限公司

  本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。本发明提供的二维Bi2O2Se单晶双轴拉伸应变高达2.8～8％，样品出现理论研究中预测的铁电性，在铁电存储材料方面有着广阔的应用前景。

  发布时间：2024-03-25 07:53:04

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• 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法 公开日期：2025-03-18 公开号：CN117448951A 申请号：CN202311430507.6
  发明 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法

  • 申请号：CN202311430507.6
  • 公开号：CN117448951A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：深圳左文科技有限责任公司

  本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对晶种的四个侧面进行机械切割，形成锯齿状边缘，锯齿的方向和<110>方向平行，使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。本发明通过在晶种的四个侧面进行机械切割，形成锯齿状边缘，锯齿的方向和<110>方向平行，使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域，形成一个阻隔区，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。

  发布时间：2024-01-30 07:16:47

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• 一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏 公开日期：2025-03-18 公开号：CN114574940A 申请号：CN202210164175.0
  发明 一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏

  • 申请号：CN202210164175.0
  • 公开号：CN114574940A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

  本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生单晶炸裂或回熔导致成晶失败。

  发布时间：2023-05-12 11:52:56

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• 一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 公开日期：2025-03-14 公开号：CN115992385A 申请号：CN202310018194.7
  发明 一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法

  • 申请号：CN202310018194.7
  • 公开号：CN115992385A
  • 公开日期：2025-03-14
  • 申请人：山东晶镓半导体有限公司

  本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlNxO1‑x突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlNxO1‑x突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。

  发布时间：2023-04-26 09:15:26

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• 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法 公开日期：2025-03-11 公开号：CN117448952A 申请号：CN202311430508.0
  发明 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法

  • 申请号：CN202311430508.0
  • 公开号：CN117448952A
  • 公开日期：2025-03-11
  • 申请人：深圳左文科技有限责任公司

  本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。本发明的有益效果在于，与现有技术相比：本发明通过在晶种的进行镀膜处理，金刚石晶种的边缘不再是金刚石，不具有金刚石的晶格和原子，当金刚石原子落到膜的上表面，只会形成多晶金刚石或者石墨，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。

  发布时间：2024-01-30 07:16:47

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