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• 一种单晶复合衬底及其制备方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN117568912A 申请号：CN202311559095.6
  发明 一种单晶复合衬底及其制备方法

  • 申请号：CN202311559095.6
  • 公开号：CN117568912A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：松山湖材料实验室|||广东中民工业技术创新研究院有限公司

  本申请提供一种单晶复合衬底及其制备方法，涉及复合材料领域。单晶复合衬底的制备方法包括以下步骤：获得单晶复合衬底模板，单晶复合衬底模板包括衬底以及形成于其表面的单晶模板；在单晶模板的表面沉积一层沉积层，沉积层与单晶模板的材质相同，沉积层为非晶相；对沉积层使用脉冲激光辐射处理以使沉积层重结晶，获得单晶膜，重结晶的过程中衬底保持室温；重复沉积和重结晶的步骤，直至单晶膜的堆叠厚度达到预设厚度。该制备方法能够在增加单晶膜的总厚度的基础上，减小衬底和单晶膜之间的内应力，有效提高最终制得的单晶复合衬底的质量。

  发布时间：2024-03-02 07:15:49

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• 超声预调制优化合金定向凝固柱状晶取向单晶制备方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN116377577A 申请号：CN202310376713.7
  发明 超声预调制优化合金定向凝固柱状晶取向单晶制备方法

  • 申请号：CN202310376713.7
  • 公开号：CN116377577A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：西北工业大学

  本发明公开了一种超声预调制优化合金定向凝固柱状晶取向单晶制备方法，包括步骤：一、材料装载；二、预紧力调整；三、抽真空；四、加热初始化；五、凝固界面超声预处理；六、定向凝固；七、定向凝固结束，卸载合金棒金。本发明在定向凝固过程之前施加超声场，通过对界面初始状态的调制，使得开始生长后，柱状晶生长的晶面一致性得到大幅度提高，既利用了超声对静止界面的调制作用，又避免了生长过程中超声对界面造成的失稳作用；提高了单晶制备的效率，且大幅度降低了成本，为提高单晶制备效率、提高品质提供了新的方案。

  发布时间：2023-07-06 10:33:19

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• 一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构 公开日期：2024-10-01 公开号：CN113445129A 申请号：CN202110683880.7
  发明 一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构

  • 申请号：CN202110683880.7
  • 公开号：CN113445129A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：无锡吴越半导体有限公司

  本发明涉及GaN制备技术领域，且公开了一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构，包括安装基板和沉积底座，所述安装基板的底部表面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔离气体的环形导流圈，安装基板的底部表面中心处安装有混合导流圈，混合导流圈的内腔中心处安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈，所述安装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构，未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气体回流区内回流，隔离气体气膜层对未沉积的工艺气体进行引导回收，从而有效的降低工艺气体回流对设备表面产生腐蚀，降低或避免回流工艺气体对沉积的GaN材料成长的影响。

  发布时间：2023-06-23 08:27:37

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• 一种真空合成磷化铟多晶的方法 公开日期：2024-10-01 公开号：CN116145252A 申请号：CN202310179114.6
  发明 一种真空合成磷化铟多晶的方法

  • 申请号：CN202310179114.6
  • 公开号：CN116145252A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：昆明理工大学

  本发明公开一种真空合成磷化铟多晶的方法，将铟块和红磷粉末混合压块后放入石英管中，在真空条件下进行热处理，其合成率最高可达99.5％；本发明方法具有反应时间短，流程短，成本低的优点，并且可以有效地降低气相压力和材料被污染的风险，同时也提高了安全性。

  发布时间：2023-05-28 11:48:59

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• 一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置 公开日期：2024-10-01 公开号：CN116103746A 申请号：CN202211584868.1
  发明 一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置

  • 申请号：CN202211584868.1
  • 公开号：CN116103746A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本申请公开了一种二氧化碲单晶的生长方法及其生长装置。晶体在生长过程中匀速旋转和多根同时生长。克服了坩埚下降法生长二氧化碲晶体下降过程中单一降温导致的晶体中包裹、条纹等缺陷，还克服了之前只能单根生长、成本相对较高的缺点。得到的二氧化碲单晶质量高，缺陷少，成品率高，易于生产且成本降低，可生长出尺寸φ60mm*80mm的优质单晶。

  发布时间：2023-05-15 10:46:59

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• n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片 公开日期：2024-10-01 公开号：CN114606567A 申请号：CN202210251415.0
  发明 n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片

  • 申请号：CN202210251415.0
  • 公开号：CN114606567A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：胜高股份有限公司

  本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。

  发布时间：2023-05-12 12:14:52

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• 一种用于制备合金晶棒的区熔炉 公开日期：2024-10-01 公开号：CN114318497A 申请号：CN202210084148.2
  发明 一种用于制备合金晶棒的区熔炉

  • 申请号：CN202210084148.2
  • 公开号：CN114318497A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：洛阳市自动化研究所有限公司

  一种用于制备合金晶棒的区熔炉，涉及人工晶体制备领域，本发明通过在石英管（1）的上端设置顶部固定套（2），顶部固定套在固定石英管的同时还可以通过顶部固定套的位置微调保证石英管与加热器（12）同轴，然后在石英管的下端设置石英管调节杆（10）和底部支撑杆（9），通过旋拧底部支撑杆使石英管调节杆与石英管脱开，避免了因石英管与加热器不同轴导致石英管破裂的风险，进而有效的提高了生产合金晶棒的效率，降低了生产成本等，本发明具有结构简便，使用效果好等优点，适合大范围的推广和应用。

  发布时间：2023-05-06 10:13:09

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• 一种晶体材料及其制备方法和应用 公开日期：2024-10-01 公开号：CN115976647A 申请号：CN202211085722.2
  发明 一种晶体材料及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202211085722.2
  • 公开号：CN115976647A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用，属于光学材料领域。一种晶体材料，所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)·(C3N6H7)·PF6·H2O；所述晶体材料含有π共轭构筑单元；所述π共轭构筑单元为(C3N6)3‑；所述π共轭构筑单元垂直于c轴；所述π共轭构筑单元呈层状排列。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1020nm下的双折射率为0.2545；该双折射晶体材料在200nm～2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

  发布时间：2023-05-28 09:06:53

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• 类金刚石网格结构的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途 公开日期：2024-10-01 公开号：CN115772705A 申请号：CN202111039955.4
  发明 类金刚石网格结构的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途

  • 申请号：CN202111039955.4
  • 公开号：CN115772705A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本发明属于无机非线性光学材料技术领域，具体公开了一种类金刚石网格结构的红外非线性光学晶体、其制备方法与用途。本发明的光学该晶体的分子式为：ACd3Ga5S11；其中，A为碱金属元素，所述碱金属元素选自K，Rb或Cs，其晶体结构属于正交晶系，空间群为Pna21。本发明的光学晶体具有优良的二阶非线性光学性质，在红外波段能够实现相位匹配，较宽的透光范围，强的红外倍频响应，其粉末倍频强度可达到商用材料AgGaS2的2‑3倍，且其激光损伤阈值是AgGaS2晶体的35‑40倍，在激光频率转换、近红外探针、光折变信息处理等高科技领域有着重要应用价值，尤其是用于红外探测器和红外激光器。

  发布时间：2023-06-07 22:37:14

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• 一种碳酸锌氨非线性光学晶体及其制备方法和应用 公开日期：2024-10-01 公开号：CN115710748A 申请号：CN202110970905.1
  发明 一种碳酸锌氨非线性光学晶体及其制备方法和应用

  • 申请号：CN202110970905.1
  • 公开号：CN115710748A
  • 公开日期：2024-10-01
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本发明属于无机非线性光学材料技术领域，涉及一种碳酸锌氨非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式是Zn(NH3)CO3，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数是α＝β＝γ＝90°，采用溶剂热法生长出大尺寸的碳酸锌氨非线性光学晶体。该晶体的粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)的1.5倍，紫外透光范围宽，紫外截止边长204nm。碳酸锌氨非线性光学晶体能够实现紫外区的倍频激光输出，稳定性良好，不潮解，易于生长大尺寸高质量的单晶，可以用作紫外非线性光学晶体。

  发布时间：2023-06-10 07:10:30

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