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• 一种制备氮化镓的氢化物气相外延装置及工作方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN117286569A 申请号：CN202311290490.9
  发明 一种制备氮化镓的氢化物气相外延装置及工作方法

  • 申请号：CN202311290490.9
  • 公开号：CN117286569A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：山东晶镓半导体有限公司

  本发明公开了一种制备氮化镓的氢化物气相外延装置，包括：腔体和内置于腔体的镓舟，所述腔体包括依次连接的进气区、镓反应区、生长区、换样区和装样区，所述镓舟设于镓反应区，所述进气区包括第一进气管和第二进气管，所述第一进气管的末端与镓反应区连通，所述第二进气管的末端与生长区连通，所述生长区包括籽晶托和尾气排放管，所述换样区为温度缓冲区，包括四个区，温度逐级降低，所述换样一区包括换样驱动电机和换样杆，所述装样区包括装样驱动电机和装样杆。本发明通过增加换样区和装样区，通过换样杆和装样杆运送籽晶，不用降温就可装样取样进行下一炉生长，极大的提高了氮化镓的生产效率。

  发布时间：2023-12-29 07:22:19

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• 一种降低碳化硅同质外延片表面粗糙度的外延方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN116770430A 申请号：CN202310556116.2
  发明 一种降低碳化硅同质外延片表面粗糙度的外延方法

  • 申请号：CN202310556116.2
  • 公开号：CN116770430A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：江苏汉印机电科技股份有限公司

  本发明公开了一种降低碳化硅同质外延片表面粗糙度的外延方法，步骤包括：将碳化硅衬底放在石墨托盘凹槽处，将石墨托盘放入反应腔的石墨基座上；利用惰性气体对反应腔内进行多次充抽，排空完毕后，设定主氢气量为10‑40slm，腔体压力50mbar‑100mbar；将反应腔体内的温度升温到第一预设温度1450‑1550℃，并且控制托盘旋转维持0.6‑1.5s/r，原位炉内退火5‑10min；随后继续升温到第二预设温度1550‑1750℃，同时增加氢气流量至80‑120slm，升到第二预设温度时，配合流量碳源/硅源，维持刻蚀时间5‑30min；刻蚀结束后，利用外延生长工艺，通入碳源和硅源进行C/Si比较低的缓冲层生长2‑10min；缓冲层结束后，进行二次刻蚀，刻蚀时间维持0‑5min；刻蚀结束后，保持合适C/Si比生长0‑5min；继而更改碳源硅源源量至转为较高碳硅比的外延层生长。

  发布时间：2023-09-24 07:17:58

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• 一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN114411254A 申请号：CN202111543071.2
  发明 一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备方法

  • 申请号：CN202111543071.2
  • 公开号：CN114411254A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：唤月照雪（厦门）科技有限责任公司

  本发明公开了一种大尺寸碳化硅单晶生长装置及其制备方法，利用主加热器和辅助加热器的配合，通过上下移动坩埚的位置，可以实现生长坩埚内温度场的局域化调整，精确控制坩埚原料内部最高温区位置始终能够接近于粉料表面区域，进而避免生长过程中因粉料内部温度过高而表面温度过低导致的原料表面石墨化和原料碳或碳化硅非晶颗粒对单晶生长质量的破坏，从而制得大尺寸、高质量的碳化硅单晶。

  发布时间：2023-05-09 10:47:52

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• 化合物羟基氟化硼酸铵和羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途 公开日期：2024-11-12 公开号：CN116121869A 申请号：CN202310154647.9
  发明 化合物羟基氟化硼酸铵和羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途

  • 申请号：CN202310154647.9
  • 公开号：CN116121869A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：中国科学院新疆理化技术研究所

  本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH)，分子量为209.52，采用水热法或室温溶液法制成，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=20.151(9)Å，b=7.770(3)Å，c=11.519(5)Å，α=90°，β=117.225(5)°，γ=90°，单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体，紫外截止边低于200 nm，双折射率为0.049@1064 nm，该晶体的化学稳定性良好，能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要作用。

  发布时间：2023-05-18 12:22:06

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• 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法 公开日期：2024-11-12 公开号：CN116657249A 申请号：CN202310637184.1
  发明 一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法

  • 申请号：CN202310637184.1
  • 公开号：CN116657249A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：上海天岳半导体材料有限公司

  本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结果，将不同衍射晶面的衍射峰与无应力晶片中对应衍射晶面的标准峰进行比较，获得晶片的各向应变值；(2)根据各向应变值和弹性常数计算晶片的各向应力。该方法能够实现对晶片各向应力的无损和精准检测，为晶片各向应力的分析提供了新思路，可推广用于晶片各向应力的标准化检测。

  发布时间：2023-08-31 08:44:23

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• 一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺 公开日期：2024-11-12 公开号：CN116657250A 申请号：CN202310648733.5
  发明 一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺

  • 申请号：CN202310648733.5
  • 公开号：CN116657250A
  • 公开日期：2024-11-12
  • 申请人：安徽微芯长江半导体材料有限公司

  本发明提供一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺，包括生长腔室、承载托、位控组件等组件，其中承载托包括可以相互分离的第一承载组件以及第二承载组件，在高温制备碳化硅晶体的过程中，控制第一承载组件以及第二承载组件底端端面平齐，能够以平整密封的端面来安装碳化硅籽晶，以避免籽晶发生背升华，避免引起晶体缺陷的形成；在降温的过程中，控制第二承载组件抬升远离第一承载组件，此时能够形成交替的间隙，能够在降温的过程中让晶体内部的应力能够释放。该发明能够解决降温的过程中晶体内部应力释放的问题，提高成品碳化硅晶体的质量。

  发布时间：2023-08-31 08:45:13

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• 多晶金刚石自立基板及其制备方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114672879A 申请号：CN202111597288.1
  发明 多晶金刚石自立基板及其制备方法

  • 申请号：CN202111597288.1
  • 公开号：CN114672879A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：胜高股份有限公司

  提供正面的与异种基板的接合性和背面的散热性两者均优异的多晶金刚石自立基板。本发明的多晶金刚石自立基板(100)具有正面(100A)和背面(100B)。正面(100A)的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下，背面(100B)的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下，正面(100A)的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下，厚度为300μm以上且3mm以下。

  发布时间：2023-05-14 12:07:17

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• 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法 公开日期：2024-11-08 公开号：CN112176414A 申请号：CN202010617597.X
  发明 碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法

  • 申请号：CN202010617597.X
  • 公开号：CN112176414A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：信越半导体株式会社

  本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。

  发布时间：2023-05-24 13:22:15

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• 控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量 公开日期：2024-11-08 公开号：CN113272479A 申请号：CN201980066785.3
  PCT发明 控制硅熔融物中的掺杂剂浓度以增强铸锭质量

  • 申请号：CN201980066785.3
  • 公开号：CN113272479A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：环球晶圆股份有限公司

  本发明公开用于制造单晶硅铸锭的方法，其中硅熔融物中的掺杂剂浓度受到控制。所述掺杂剂浓度的所述控制通过所述单晶硅铸锭的颈部、冠部及主体部分中的位错的减少或消除来增强铸锭质量。

  发布时间：2023-06-17 07:21:23

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• 单晶制造装置 公开日期：2024-11-08 公开号：CN114929951A 申请号：CN202080091664.7
  PCT发明 单晶制造装置

  • 申请号：CN202080091664.7
  • 公开号：CN114929951A
  • 公开日期：2024-11-08
  • 申请人：信越半导体株式会社

  本发明是一种单晶制造装置，其利用切克劳斯基法培育单晶，具有：主腔室，其容纳对原料融液进行收纳的坩埚和对原料融液进行加热的加热器；提拉腔室，其连接设置于主腔室的上部，生长的单晶被提拉而收纳于提拉腔室；冷却筒，其以包围提拉中的单晶的方式从主腔室的至少顶部向原料融液延伸并被冷却介质强制冷却；以及冷却辅助筒，其嵌合于冷却筒，冷却辅助筒的材料由石墨材料、碳素复合材料、不锈钢、钼、钨中的任意一种以上构成，冷却辅助筒具有覆盖冷却筒的面对原料融液的底面的结构，冷却辅助筒与冷却筒的底面的间隙是1.0mm以下。由此，能够提供一种可增大结晶内温度梯度并实现单晶的生长速度的高速化的单晶制造装置。

  发布时间：2023-05-20 11:10:10

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