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• 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法 公开日期：2025-01-24 公开号：CN114855261A 申请号：CN202210279110.0
  发明 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法

  • 申请号：CN202210279110.0
  • 公开号：CN114855261A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：西北工业大学

  本发明提供了一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法基于化合物半导体晶体生长技术，解决了化合物半导体生长过程中存在的本征缺陷和电学性能不均匀的问题。该方法将生长原料和掺杂剂分离开，通过多段控温的晶体生长炉进行温度控制，在同一个容器中同时实现多晶料的合成、晶体生长与退火工艺。按照温度设计，严格控制掺杂剂的温度来调控掺杂剂在不同生长阶段的气体压力，使气态掺杂元素在晶体生长过程中掺入晶体内部格点位置，能够保证掺杂剂在生长全过程中的掺杂均匀性和晶格完整性，从而实现对缺陷补偿和电学性质均匀调控，获得在径向和轴向均匀的半导体晶体，提高了半导体晶体的结晶质量和性能。

  发布时间：2023-05-18 12:59:49

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• 降低<111>晶向重掺单晶电阻率径向变化率的方法、单晶晶棒及应用 公开日期：2025-01-24 公开号：CN117248268A 申请号：CN202311232017.5
  发明 降低<111>晶向重掺单晶电阻率径向变化率的方法、单晶晶棒及应用

  • 申请号：CN202311232017.5
  • 公开号：CN117248268A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

  本发明提供一种降低<111>晶向掺锑单晶电阻率径向变化率的方法及单晶晶棒，涉及<111>晶向单晶硅拉晶技术领域，在重掺拉制晶棒时，当晶棒进入等径阶段时，通过在预定等径长度内调整晶棒的拉速进行晶棒拉制，一方面，改善固液界面形状，从而中心电阻率和边缘电阻率偏差降低，使得晶体的电阻率分布更均匀，提高材料的电子性质均匀性；另一方面，减小杂质在(111)原子密排面与其他平面区的杂质浓度，进而减小<111>晶向重掺单晶的小平面效应，从而降低电阻率径向变化率（RRG），提高材料的电子性质稳定性，应用更加广泛。

  发布时间：2023-12-25 07:20:17

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• 一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置 公开日期：2025-01-24 公开号：CN113337880A 申请号：CN202110440189.6
  发明 一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置

  • 申请号：CN202110440189.6
  • 公开号：CN113337880A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：上海新昇半导体科技有限公司

  本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置，导流筒包括固定部和调节部，导流筒呈桶状并绕晶棒四周设置，其中，固定部上端向外延伸的部分固定于半导体生长装置上，固定部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面，固定部底部为靠近液面的平面，以控制与液面的最小距离；调节部位于固定部的斜面上，调节部通过固定装置固定于固定部的斜面上，调节部用于根据需要调整与晶棒之间的最小距离。本发明在不改变其他参数的情况下，改变导流筒的调节部可以调整晶体氧含量，从而控制晶体的质量。

  发布时间：2023-06-23 07:24:49

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• 一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2W2O9的制备方法和应用 公开日期：2025-01-24 公开号：CN116200829A 申请号：CN202310238466.4
  发明 一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2W2O9的制备方法和应用

  • 申请号：CN202310238466.4
  • 公开号：CN116200829A
  • 公开日期：2025-01-24
  • 申请人：临沂大学

  本发明公开一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体Bi2W2O9的制备方法和应用，属于闪烁晶体材料技术领域。本发明将元素周期表中最重的稳定元素Bi与重元素W与低维Aurivillius型晶体结构进行有机结合，制备得到一种高密度、快衰减时间的闪烁晶体材料。本发明制备得到的Bi2W2O9晶体的衰减时间短，最小衰减时间为1.40ns，慢分量为41.63ns，是一种超快衰减的闪烁体。本发明合成与晶体生长方法，所使用的原料均可以在市场购得，价格便宜，不含有毒有害元素，便于进行规模化生产，可应用于高能射线、高能粒子的探测和防护等技术领域。

  发布时间：2023-06-04 11:16:09

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• 一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法 公开日期：2025-01-10 公开号：CN116219530A 申请号：CN202310081355.7
  发明 一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法

  • 申请号：CN202310081355.7
  • 公开号：CN116219530A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本发明公开了一种载晶架及甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，属于晶体生长技术领域，该载晶架包括第一挡板、第二挡板以及连接第一挡板和第二挡板的支撑板，其中，所述第一挡板和/或第二挡板上连接有用以连接驱动源的连接杆，所述连接杆使得驱动源带动所述载晶架作滚筒式旋转运动。本发明所提供的载晶架和甲胺溴铅钙钛矿单晶生长方法，采用横向滚筒式旋转方式，可以使溶液下层得到充分的搅拌，保证整个溶质的均匀性，可有效解决晶体生长过程中白纹等缺陷产生的问题。

  发布时间：2023-06-11 11:41:57

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• SiC基板和SiC单晶的制造方法 公开日期：2025-01-10 公开号：CN113026104A 申请号：CN202011414844.2
  发明 SiC基板和SiC单晶的制造方法

  • 申请号：CN202011414844.2
  • 公开号：CN113026104A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：株式会社力森诺科

  本发明的SiC基板，含有3×1014cm‑3以上且1×1015cm‑3以下的钽或铌、以及1×1016cm‑3以上且1×1020cm‑3以下的氮。

  发布时间：2023-06-14 12:10:55

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• 气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术 公开日期：2025-01-10 公开号：CN114000197A 申请号：CN202111220327.6
  发明 气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术

  • 申请号：CN202111220327.6
  • 公开号：CN114000197A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：帕里杜斯有限公司

  本发明涉及有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷材料与方法。本发明所提供的材料与方法是为制备具有3个9、4个9、6个9以及更高纯度的聚碳氧化硅(SiOC)与碳化硅(SiC)材料。本发明还提供了气相沉积工序及其通过使用所述高纯度SiOC与SiC所得到的制品。

  发布时间：2023-04-24 09:44:26

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• (C5N10H12.5)2PbI7·H2O化合物、双折射晶体及其制法和用途 公开日期：2025-01-10 公开号：CN115726045A 申请号：CN202211547044.7
  发明 (C5N10H12.5)2PbI7·H2O化合物、双折射晶体及其制法和用途

  • 申请号：CN202211547044.7
  • 公开号：CN115726045A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：中国科学院福建物质结构研究所

  本发明涉及一种(C5N10H12.5)2PbI7·H2O化合物、晶体用于制作双折射光学器件的用途。属于单斜晶系，空间群为I2/m，晶胞参数为α＝90°，β＝93.253(4)°，γ＝90°，Z＝2；根据理论计算结果，该晶体在550nm的双折射率为0.43。本发明有如下有益效果：具有操作简便、成本低、污染少、所用原料毒性低、生长周期短、物理化学性能稳定等优点；该晶体可用于制作双折射光学器件；本发明双折射光学晶体制作的双折射光学器件在光通信和激光工业中对偏振光的调制起到重要作用。

  发布时间：2023-06-07 21:39:29

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• 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法 公开日期：2025-01-10 公开号：CN115821378A 申请号：CN202211507290.X
  发明 一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法

  • 申请号：CN202211507290.X
  • 公开号：CN115821378A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：厦门大学

  一种等离子体热氧化制备氧化镓薄膜的方法，将氮化镓薄膜转移到等离子体增强化学气相沉积装置内，并放置在管式炉加热区中间位置，启动机械泵将管式炉内抽真空，维持管式炉内压强在10～30Pa，之后将管式炉的温度升高到800～900℃；向管式炉内同时输入氩气和氧气，当管式炉内压强稳定在20～100Pa时，打开射频电源产生等离子体，在管式炉内放电稳定后停止通入氩气；待放电再次稳定后，保持管式炉内温度不变，进行热氧化处理；关闭射频电源，停止通入氧气，保持机械泵工作的同时，使管式炉自然冷却到室温。本发明实现快速、高质量的氧化镓薄膜制备。

  发布时间：2023-06-01 07:09:45

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• 一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用 公开日期：2025-01-10 公开号：CN116240632A 申请号：CN202310162514.6
  发明 一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用

  • 申请号：CN202310162514.6
  • 公开号：CN116240632A
  • 公开日期：2025-01-10
  • 申请人：山东大学

  本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种重掺杂p型SiC单晶及其生长方法和应用。本发明利用铝、氮元素构成的化合物或固溶体作为一类掺杂源和其它p型掺杂源作为二类掺杂源来进行Al‑N共掺。进一步的，在SiC粉料区中放置AlN材料作为一类掺杂源，使其分解时提供相同摩尔比的Al原子和N原子，进而实现N源与Al源同步释放，起到维持重掺杂晶体的单一晶型；放置Al4C3、Al2O3、Al等作为二类掺杂源，来提供额外的Al元素来实现n[Al]:n[N]在1.2～3.0的范围内，保证生长的晶体是单一晶型的p型SiC。得到p型SiC单晶具有Al掺杂浓度不低于7×1019cm‑3、电阻率不高于0.200Ω·cm、摇摆曲线半峰宽不超过60弧秒中的一个或多个特征，可应用于智能电网、光伏发电、大功率电力电子器件等领域。

  发布时间：2023-06-11 13:13:20

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