外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115012031 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210686166.8 (22)申请日 2022.06.16 (71)申请人 季华实验室 地址 528200 广东省佛山市南海区桂城街 道环岛南路28号 (72)发明人 戴科峰　高桑田　仇礼钦　唐卓睿　 黄吉裕　 (74)专利代理机构 佛山市海融科创知识产权代 理事务所(普通合伙) 44377 专利代理师 陈椅行 (51)Int.Cl. C30B 25/16 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设 备及存储介质 (57)摘要 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开 了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子 设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取 反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或 至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输 出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入 浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该 方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚 度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视 的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了 沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生 A 成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精 1 度。 3 0 2 1 0 5 1