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• 后段主体长度具有减小变形的锭的制备工艺 公开日期：2024-12-10 公开号：CN113825862A 申请号：CN202080035184.9
  PCT发明 后段主体长度具有减小变形的锭的制备工艺

  • 申请号：CN202080035184.9
  • 公开号：CN113825862A
  • 公开日期：2024-12-10
  • 申请人：环球晶圆股份有限公司

  本发明公开一种通过丘克拉斯基(Czochralski)方法生长具有减小的直径偏差的单晶硅锭的方法。

  发布时间：2023-07-06 10:54:53

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• 一种降低碳化硅晶体应力的生长方法 公开日期：2024-12-10 公开号：CN116334748A 申请号：CN202310277916.0
  发明 一种降低碳化硅晶体应力的生长方法

  • 申请号：CN202310277916.0
  • 公开号：CN116334748A
  • 公开日期：2024-12-10
  • 申请人：浙江材孜科技有限公司

  本发明公开了一种降低碳化硅晶体应力的生长方法，使用硬质石墨和多孔石墨制作坩埚衬环，放置于籽晶与石墨坩埚之间，通过计算模拟调整硬质石墨和多孔石墨的厚度、形状、结合形式，使得在晶体生长过程中，生长初期将硅气氛有效排出，减弱对碳化硅形核的负面影响，在保持等径或扩径生长的晶体外形的同时，也能够通过压缩多孔石墨的孔隙来达到释放热应力的效果，减少晶锭中裂痕和开裂情况的发生，降低微管，晶界和位错缺陷的密度，获得高品质的晶锭。

  发布时间：2023-06-29 07:12:59

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• 一种n型半导体金刚石材料的制备方法 公开日期：2024-12-10 公开号：CN116180237A 申请号：CN202310155639.6
  发明 一种n型半导体金刚石材料的制备方法

  • 申请号：CN202310155639.6
  • 公开号：CN116180237A
  • 公开日期：2024-12-10
  • 申请人：四川大学

  本发明所述n型半导体金刚石材料的制备方法，工艺步骤如下：(1)单晶金刚石的预处理，以去除单晶金刚石表面的杂质；(2)掺杂坯体的制备，将预处理后的单晶金刚石置于n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体中模压成型，或者将n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体放入箔材或无机非金属材料容器中，再将预处理后的单晶金刚石置于n型掺杂物质的单质粉体或化合物粉体中模压成型；(3)将掺杂坯体放入静高压设备中，在确定的掺杂压力和掺杂温度保温保压进行热扩散掺杂，热扩散掺杂完成后，清洗去除包裹材料和掺杂后的金刚石表面杂质并干燥，即得到晶格完整、掺杂浓度高、性能优良的n型半导体金刚石材料。

  发布时间：2023-06-02 12:54:52

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• 一种纳米氧化亚铜立方体单晶的制备方法、应用及冷冻液 公开日期：2024-12-10 公开号：CN114908413A 申请号：CN202210425985.7
  发明 一种纳米氧化亚铜立方体单晶的制备方法、应用及冷冻液

  • 申请号：CN202210425985.7
  • 公开号：CN114908413A
  • 公开日期：2024-12-10
  • 申请人：微冻眠（厦门）科技有限公司

  本发明涉及一种纳米氧化亚铜立方体单晶的制备方法、应用及冷冻液，制备方法包括以下步骤：S1：将铜盐和十二烷基硫酸钠用超纯水溶解并搅拌均匀。S2：加入碱的水溶液进行反应。S3：加入还原剂水溶液进行反应。S4：将步骤S3的反应产物分离并清洗，得到40nm氧化亚铜立方体单晶。其中，所述铜盐、十二烷基硫酸钠、碱和还原剂的质量比为40～90：0～215：16～28：30～45。本发明可以制备40nm氧化亚铜立方体单晶，相比于现有的沉淀法、水热法、溶剂热法制备工艺，具有简便、绿色、低成本的特点，通过本发明方法制备得到的40nm氧化亚铜立方体单晶分散应用的冷冻液中，可以有效地改善冷冻液的传热效率，进而提高冷冻效率。

  发布时间：2023-05-20 11:02:13

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• 一种制备钙钛矿薄膜的装置和方法 公开日期：2024-12-06 公开号：CN117779164A 申请号：CN202311718180.2
  发明 一种制备钙钛矿薄膜的装置和方法

  • 申请号：CN202311718180.2
  • 公开号：CN117779164A
  • 公开日期：2024-12-06
  • 申请人：北京烁威光电科技有限公司

  本发明公开了一种制备钙钛矿薄膜的装置和方法，该装置包括：成膜控制容器、第一加热装置和供气容器，成膜控制容器设置有用于放置大面积钙钛矿多晶薄膜的水平放置区，且还设置有可选择性与大气连通的排气口，排气口处对应设置有精密气阀。供气容器通过连通管与成膜控制容器连通，且连通管上还设置有第一开闭气阀，连通管上或成膜控制容器上还设置有用于检测其内部压力的压力检测装置，供气容器还设置有带第二开关阀门的大气连通导管。该装置基于“固‑液‑固”钙钛矿薄膜成膜机理，通过气压辅助重结晶方法调控中间相转变时间从而获得单晶或类单晶级大面积钙钛矿薄膜，将体相缺陷降到最低，组装成器件后性能大幅提升。

  发布时间：2024-03-31 07:33:57

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• 晶片、外延片及其制造方法 公开日期：2024-12-06 公开号：CN113322521A 申请号：CN202011098008.8
  发明 晶片、外延片及其制造方法

  • 申请号：CN202011098008.8
  • 公开号：CN113322521A
  • 公开日期：2024-12-06
  • 申请人：赛尼克公司

  本发明涉及晶片、外延片及其制造方法。实施方式涉及一种晶片，包括一面和另一面，上述一面的Rsk粗糙度为‑3nm至3nm，上述一面的边缘区域的Ra粗糙度与上述一面的中心区域的Ra粗糙度之间的差异为‑2nm至2nm，上述一面的边缘区域是从上述一面的边缘向中心方向的距离相对于上述晶片的半径为13.3％至32.1％的区域，上述一面的中心区域是从上述一面的中心相对于上述晶片的半径具有9.4％的半径的区域。实施方式的晶片的一面的边缘区域与中心区域之间的粗糙度偏差不大，且可以显示出低不对称性。实施方式的外延片呈现出更均匀的厚度特性，基于此，在制造半导体器件时可以提高器件的特性和成品率。

  发布时间：2023-06-23 07:19:13

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• 用于制造结晶膜的方法 公开日期：2024-12-06 公开号：CN114836833A 申请号：CN202210479527.1
  发明 用于制造结晶膜的方法

  • 申请号：CN202210479527.1
  • 公开号：CN114836833A
  • 公开日期：2024-12-06
  • 申请人：株式会社FLOSFIA|||国立研究开发法人物质·材料研究机构

  根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

  发布时间：2023-05-18 12:52:44

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• 一种液相法单炉多次生长碳化硅晶体的装置及方法 公开日期：2024-12-03 公开号：CN116657251A 申请号：CN202310874845.2
  发明 一种液相法单炉多次生长碳化硅晶体的装置及方法

  • 申请号：CN202310874845.2
  • 公开号：CN116657251A
  • 公开日期：2024-12-03
  • 申请人：成都天一晶能半导体有限公司

  本发明公开了一种液相法单炉多次生长碳化硅晶体的装置及方法，所述装置包括主腔室、副腔室、安装座、石墨坩埚、加热机构、盖板机构、活动保温单元；所述安装座的内部安装有石墨坩埚，所述安装座的顶部设置有若干个盖板机构，且侧壁的两侧分别设置有若干个活动保温单元；所述盖板机构包括左移动盖板、右移动盖板，且左移动盖板与右移动盖板之间的中部设置有贯通的通孔。本发明通过副腔室实现石墨托的安装以及后续碳化硅晶体的冷却导出，提高了碳化硅晶体的生长效率。本发明通过若干个盖板机构以及活动保温单元，实现了推石墨坩埚内部纵向以及径向温度梯度的调节，保证了碳化硅晶体的生长质量与效率，具有较好的实用性。

  发布时间：2023-08-31 08:50:36

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• 具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法 公开日期：2024-11-29 公开号：CN114561705A 申请号：CN202111421201.5
  发明 具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法

  • 申请号：CN202111421201.5
  • 公开号：CN114561705A
  • 公开日期：2024-11-29
  • 申请人：意法半导体股份有限公司

  本公开的各实施例涉及具有残余应力控制的SiC晶片的制造方法。一种SiC晶片的制造方法包括以下步骤：将支撑件引入反应室；在支撑件上形成第一SiC层；将支撑件与第一SiC层分离；在第一SiC层上生长第二SiC层，包括将具有第一电导性的第一掺杂剂的气相的前体引入反应室以在第二SiC层中生成第一应力；并且将具有与第一电导性相对的第二电导性的第二掺杂剂的气相的前体引入反应室中以在第二SiC层中生成第二应力，第二应力与第一应力相对并且平衡第一应力。SiC晶片因此没有翘曲的影响。

  发布时间：2023-05-12 11:42:58

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• 单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆 公开日期：2024-11-29 公开号：CN113906171A 申请号：CN202080028464.7
  PCT发明 单晶硅晶圆的制造方法及单晶硅晶圆

  • 申请号：CN202080028464.7
  • 公开号：CN113906171A
  • 公开日期：2024-11-29
  • 申请人：信越半导体株式会社

  本发明为单晶硅晶圆的制造方法，其为适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，其中，通过使用氧浓度为12ppma(JEITA)以上的NV区域的单晶硅晶圆，并进行含氮氛围下且温度为1225℃以上的RTA处理、镜面抛光加工处理及BMD形成热处理，从而制造自单晶硅晶圆的表面起至少依次具有厚度为5～12.5μm的DZ层、及位于该DZ层正下方且BMD密度为1×1011/cm3以上的BMD层的单晶硅晶圆。由此，提供一种适合于多层结构器件的单晶硅晶圆的制造方法，该单晶硅晶圆能够在形成器件时在表层部正下方吸收硅晶圆表面受到的应力，用BMD层吸收应变引起的缺陷，可提升器件形成区域的强度并抑制表层中的位错的产生、伸长。

  发布时间：2023-04-22 08:55:27

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