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• 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法 公开日期：2025-03-18 公开号：CN117448951A 申请号：CN202311430507.6
  发明 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法

  • 申请号：CN202311430507.6
  • 公开号：CN117448951A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：深圳左文科技有限责任公司

  本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对晶种的四个侧面进行机械切割，形成锯齿状边缘，锯齿的方向和<110>方向平行，使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。本发明通过在晶种的四个侧面进行机械切割，形成锯齿状边缘，锯齿的方向和<110>方向平行，使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域，形成一个阻隔区，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。

  发布时间：2024-01-30 07:16:47

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• 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法 公开日期：2025-03-18 公开号：CN117737859A 申请号：CN202311765497.1
  发明 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法

  • 申请号：CN202311765497.1
  • 公开号：CN117737859A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：武汉理工大学|||广东汇成真空科技股份有限公司

  本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。本发明提供的二维Bi2O2Se单晶双轴拉伸应变高达2.8～8％，样品出现理论研究中预测的铁电性，在铁电存储材料方面有着广阔的应用前景。

  发布时间：2024-03-25 07:53:04

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• 一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏 公开日期：2025-03-18 公开号：CN114574940A 申请号：CN202210164175.0
  发明 一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏

  • 申请号：CN202210164175.0
  • 公开号：CN114574940A
  • 公开日期：2025-03-18
  • 申请人：中国电子科技集团公司第四十六研究所

  本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生单晶炸裂或回熔导致成晶失败。

  发布时间：2023-05-12 11:52:56

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• 一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 公开日期：2025-03-14 公开号：CN115992385A 申请号：CN202310018194.7
  发明 一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法

  • 申请号：CN202310018194.7
  • 公开号：CN115992385A
  • 公开日期：2025-03-14
  • 申请人：山东晶镓半导体有限公司

  本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlNxO1‑x突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlNxO1‑x突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。

  发布时间：2023-04-26 09:15:26

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• 使用水平磁场生产硅的系统及方法 公开日期：2025-03-11 公开号：CN114787429A 申请号：CN202080086321.1
  PCT发明 使用水平磁场生产硅的系统及方法

  • 申请号：CN202080086321.1
  • 公开号：CN114787429A
  • 公开日期：2025-03-11
  • 申请人：环球晶圆股份有限公司

  一种用于通过水平磁场柴可斯基方法生产硅碇的方法包含：旋转装纳硅熔融物的坩埚；将水平磁场施加到所述坩埚；使所述硅熔融物与晶种接触；及在旋转所述坩埚的同时从所述硅熔融物抽出所述晶种以形成硅碇。所述坩埚具有可湿表面及形成于其上的方石英层。

  发布时间：2023-05-16 10:58:41

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• 稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用 公开日期：2025-03-11 公开号：CN115787060A 申请号：CN202211337263.2
  发明 稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用

  • 申请号：CN202211337263.2
  • 公开号：CN115787060A
  • 公开日期：2025-03-11
  • 申请人：山东大学

  本发明涉及稀土钙钛矿镍氧化合物高气压助熔剂法晶体生长及应用，以NiO、R2O3为原料，R为稀土元素，采用碱助熔剂体系充入氧气条件下进行晶体生长，先升温至400‑500℃使原料充分熔化，然后降温至生长温度使晶体生长，氧气压力范围为5‑300bar，生长温度为150‑450℃，生长结束后得到稀土钙钛矿镍氧化合物RNiO3晶体。本发明利用碱助熔剂体系，将RNiO3晶体生长温度降至500℃以下，所需氧压降至300bar以下，大大减小生长过程中的危险性，提高了晶体尺寸，在更低条件下得到了相对更大尺寸的RNiO3晶体，晶体尺寸可达45‑60μm。

  发布时间：2023-06-07 22:58:57

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• 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法 公开日期：2025-03-11 公开号：CN117448952A 申请号：CN202311430508.0
  发明 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法

  • 申请号：CN202311430508.0
  • 公开号：CN117448952A
  • 公开日期：2025-03-11
  • 申请人：深圳左文科技有限责任公司

  本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石晶种，并将金刚石晶种清洗干净；S2：对金刚石的四边进行镀膜处理；S3：将晶种放入MPCVD腔体，进行金刚石毛坯生长；S4：对生长结束的毛坯进行处理，去除边缘的多晶和石墨，成为金刚石单晶。本发明的有益效果在于，与现有技术相比：本发明通过在晶种的进行镀膜处理，金刚石晶种的边缘不再是金刚石，不具有金刚石的晶格和原子，当金刚石原子落到膜的上表面，只会形成多晶金刚石或者石墨，避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长，进而避免晶种水平扩张，减少金刚石晶体生长相互干涉。

  发布时间：2024-01-30 07:16:47

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• 一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置 公开日期：2025-03-11 公开号：CN113122917A 申请号：CN202110550502.1
  发明 一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置

  • 申请号：CN202110550502.1
  • 公开号：CN113122917A
  • 公开日期：2025-03-11
  • 申请人：宁波恒普技术股份有限公司

  本发明公开一种用于制备碳化硅晶体的石墨热场单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域，包括密封腔、加热结构、保温结构、调温结构、坩埚和测温机构；保温结构设于密封腔内；加热结构设于保温结构内，测温机构设于密封腔上；调温结构设于保温结构内，坩埚和籽晶托设于保温结构内；加热结构对坩埚底部和顶部加热，对坩埚的轴向和径向进行温度控制，测温机构分别测量坩埚顶部和底部的温度，保温结构对整个腔体的热场进行保温，还能减少坩埚的热量散失，实现对坩埚各部分的温度精确控制，调温结构能降低坩埚的径向温度梯度；从而减小碳化硅单晶生长过程中晶体的径向温度梯度和应力梯度，可降低晶体生长的缺陷，保证了晶体的质量。

  发布时间：2023-06-14 13:04:20

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• 用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法 公开日期：2025-03-07 公开号：CN116057202A 申请号：CN202180055480.X
  PCT发明 用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法

  • 申请号：CN202180055480.X
  • 公开号：CN116057202A
  • 公开日期：2025-03-07
  • 申请人：硅电子股份公司

  本发明涉及一种用于由气相在衬底晶圆上沉积外延层的方法，包括：测量衬底晶圆的边缘几何形状，其中所述边缘几何形状基于边缘位置将厚度特征值指派给衬底晶圆的边缘；将衬底晶圆放置在用于沉积外延层的装置的基座的袋状部中，其中袋状部被具有圆形的圆周的边界包围；加热衬底晶圆；以及使工艺气体在衬底晶圆上方通过；其特征在于，衬底晶圆被放置在袋状部中，使得在具有较厚边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离比在具有较薄边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离小。

  发布时间：2023-05-14 10:02:39

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• 一种用于高压器件的碳化硅厚外延片 公开日期：2025-03-07 公开号：CN117071062A 申请号：CN202311005444.X
  发明 一种用于高压器件的碳化硅厚外延片

  • 申请号：CN202311005444.X
  • 公开号：CN117071062A
  • 公开日期：2025-03-07
  • 申请人：南京百识电子科技有限公司

  本发明公开了一种用于高压器件的碳化硅厚外延片，有效解决外延片晶体缺陷和抗烧蚀性能差的问题。通过对碳化硅衬底进行涂布改性碳膜的方法，在外延和退火过程中通过碳膜的碳原子迁移，补充外延层的碳空位，从而实现碳空位修复的目的，提高碳化硅外延片载流子寿命的目的。其次在改性碳膜中掺杂铝粒子以提高其抗烧蚀性能，A l具有较高的熔点和较大的相变潜热，导热系数高、抗高温氧化性能好，氧化形成的A l 2O3具有熔点高、热膨胀系数低、良好的力学性能和耐腐蚀等优点，能充当隔热层并防止氧气扩散到内部S i C层中，实现表面裂纹自愈合，显著提高碳化硅厚外延片的抗烧蚀性能，对半导体器件的研制也具有重要的意义。

  发布时间：2023-11-19 07:22:11

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